BSS138BK: 60V、360mA NチャネルトレンチMOSFET、SOT23パッケージ

Nexperia

Nexperia BSS138BKは、小型のSOT23（TO-236AB）サーフェスマウントデバイス（SMD）プラスチックパッケージにパッケージされたトレンチMOSFET技術を利用するNチャネルエンハンスメントモードのフィールドエフェクトトランジスタ（FET）です。この部品は、最大60Vのドレイン-ソース電圧と最大360mAの連続ドレイン電流を提供する効率的な電力制御およびスイッチング機能を設計されています。

BSS138BKの主な特徴には、さまざまな回路設計での使用を容易にするロジックレベルの互換性と、敏感なアプリケーションでの信頼性と耐久性を確保するための1.5kVまでのESD保護が含まれます。非常に高速なスイッチング能力は、高速スイッチングアプリケーションに適しています。さらに、自動車アプリケーションに適していることを示すAEC-Q101認定を受けています。

• ドレイン-ソース電圧（VDS）: 60 V
• ゲート-ソース電圧（VGS）: ±20 V
• ドレイン電流（ID）: VGS = 10 V、25°Cで360 mA
• ドレイン-ソースオン状態抵抗（RDSon）: VGS = 10 V、ID = 350 mAで1から1.6 Ω
• 全電力散逸（Ptot）: 25°Cで350 mW
• 接合温度（Tj）: -55から150 °C
• ESD保護: 最大1.5 kVまで

• リレードライバ
• ローサイドロードスイッチ
• 高速ラインドライバ
• スイッチング回路

MOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）は、電子信号を増幅または切り替えるために設計されたFETの一種です。高効率、信頼性、および大きな電力レベルを処理する能力のため、電子デバイスに広く使用されています。NチャネルMOSFET（例：BSS138BK）は電子を電荷キャリアとして使用し、高速スイッチングアプリケーションに一般的に使用されます。

特定のアプリケーション用のMOSFETを選択する際、ドレイン-ソース電圧、ゲート-ソース電圧、ドレイン電流、および消費電力などの主要なパラメータを考慮する必要があります。これらのコンポーネントが回路要件を満たしていることを確認するためです。さらに、パッケージタイプと熱特性は、MOSFETの性能と意図したアプリケーションへの適合性に影響を与える重要な要因です。

MOSFETは、ポータブルデバイスの電力管理から自動車システムのモーター制御まで、さまざまなアプリケーションで不可欠です。電力を効率的にスイッチングおよび制御する能力により、現代の電子設計において重要なコンポーネントです。アプリケーションの特定の要件、必要な電圧および電流レベル、および望ましいスイッチング速度を理解することが、適切なMOSFETの選択を導きます。