BSS138BK: 60 V、360 mA NチャネルトレンチMOSFET、SOT23パッケージ

Nexperia

Nexperia BSS138BKは、小型SOT23 (TO-236AB) 表面実装デバイス (SMD) プラスチックパッケージにパッケージ化された、トレンチMOSFET技術を利用したNチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ (FET) です。このコンポーネントは、最大60 Vのドレイン-ソース電圧と最大360 mAの連続ドレイン電流で、効率的な電力制御とスイッチング機能を提供するように設計されています。

BSS138BKの主な機能には、さまざまな回路設計での使いやすさを提供するロジックレベルの互換性と、敏感なアプリケーションでの信頼性と耐久性を保証する最大1.5 kVのESD保護が含まれます。その非常に高速なスイッチング機能により、高速スイッチングアプリケーションに適しています。さらに、AEC-Q101認定を受けており、自動車用途への適合性を示しています。

• ドレイン-ソース間電圧 (VDS): 60 V
• ゲート-ソース間電圧 (VGS): ±20 V
• ドレイン電流 (ID): 360 mA @ VGS = 10 V, 25°C
• ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDSon): 1 〜 1.6 Ω @ VGS = 10 V, ID = 350 mA
• 全許容損失 (Ptot): 350 mW @ 25°C
• 接合部温度 (Tj): -55 〜 150 °C
• ESD保護: 最大 1.5 kV

• リレードライバ
• ローサイドロードスイッチ
• 高速ラインドライバ
• スイッチング回路

MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、電子信号の増幅またはスイッチング用に設計されたFETの一種です。高効率、信頼性、および大きな電力レベルを処理できる能力により、電子機器で広く使用されています。BSS138BKのようなNチャネルMOSFETは、電子を電荷キャリアとして持ち、通常は高速スイッチングアプリケーションに使用されます。

特定のアプリケーション向けにMOSFETを選択する際には、ドレイン-ソース間電圧、ゲート-ソース間電圧、ドレイン電流、許容損失などの主要パラメータを考慮し、コンポーネントが回路要件を満たしていることを確認する必要があります。さらに、パッケージタイプと熱特性は、MOSFETの性能と意図されたアプリケーションへの適合性に影響を与える重要な要素です。

MOSFETは、ポータブルデバイスの電源管理から自動車システムのモーター制御まで、さまざまなアプリケーションに不可欠です。電力を効率的にスイッチングおよび制御する能力により、現代の電子設計において重要な部品となっています。必要な電圧と電流レベル、および希望するスイッチング速度など、アプリケーションの特定の要件を理解することが、適切なMOSFETの選択の指針となります。