BSS138LT3G: MOSFET N-Channel, 200 mA, 50 V, SOT-23
onsemi

Il BSS138LT3G di onsemi è un MOSFET a canale N che opera al massimo di 200 mA e 50 V, incapsulato in un compatto package SOT-23. Questo componente è progettato per gestire requisiti di potenza da bassi a moderati nei circuiti elettronici, rendendolo adatto per un'ampia gamma di applicazioni.

Le caratteristiche chiave includono una bassa tensione di soglia (VGS(th)) che varia da 0,85 V a 1,5 V, che consente un funzionamento efficiente in scenari di bassa tensione. Inoltre, il dispositivo è caratterizzato dalla sua bassa resistenza statica drain-to-source (RDS(on)) di 3,5 Ω quando VGS è 5,0 V e ID è 200 mA, contribuendo alla sua efficienza nella conduzione della corrente. Il BSS138LT3G è anche notevole per la sua robustezza, con un intervallo massimo di temperatura operativa e di stoccaggio di -55 a 150 °C, garantendo prestazioni affidabili in varie condizioni ambientali.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-to-Source (VDSS): 50 V
  • Tensione Gate-to-Source (VGS): ±20 V
  • Corrente di Drain Continua (ID) a 25°C: 200 mA
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 800 mA
  • Resistenza Drain-to-Source Statica (RDS(on)): 3.5 Ω a VGS = 5.0 V, ID = 200 mA
  • Tensione di Soglia Gate-Source (VGS(th)): 0.85 V a 1.5 V
  • Dissipazione Totale di Potenza (PD) a 25°C: 225 mW
  • Intervallo di Temperatura Operativa e di Stoccaggio: -55 a 150 °C
  • Resistenza Termica, Giunzione-Ambiente (RθJA): 556 °C/W

BSS138LT3G Scheda tecnica

BSS138LT3G scheda tecnica (PDF)

BSS138LT3G Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per BSS138LT3G, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Convertitori DC-DC
  • Gestione dell'alimentazione in prodotti portatili e alimentati a batteria
    • Computer
    • Stampanti
    • Schede PCMCIA
    • Telefoni cellulari e cordless

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET N-channel sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per scopi di commutazione e amplificazione. Questi componenti sono caratterizzati dalla loro capacità di controllare un elevato flusso di corrente utilizzando una tensione relativamente bassa, rendendoli essenziali nella gestione della potenza e nell'elaborazione dei segnali.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-to-source (VDSS), la tensione gate-to-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza statica drain-to-source accesa (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire tensione e corrente in applicazioni specifiche, così come la sua efficienza e le caratteristiche di dissipazione del calore.

Un'altra considerazione importante è la tensione di soglia (VGS(th)), che indica la tensione minima gate-source necessaria per attivare il dispositivo. Una tensione di soglia più bassa può essere vantaggiosa in applicazioni a bassa tensione, dove l'efficienza energetica è critica.

Il tipo di pacchetto gioca anche un ruolo cruciale, specialmente nei progetti con limitazioni di spazio. Il pacchetto SOT-23 del BSS138LT3G, ad esempio, offre un equilibrio tra compattezza e prestazioni termiche, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni, inclusi dispositivi portatili e alimentati a batteria.

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