BSS138-7-F: MOSFET in modalità di arricchimento N-Channel, 50V, 200mA, 3,5Ω
Diodes Inc.

Il BSS138-7-F è un MOSFET a canale N in modalità di arricchimento progettato per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza. Presenta una bassa resistenza in conduzione (RDS(ON)) di 3,5Ω a VGS = 10V, che minimizza la perdita di potenza mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori. Questo componente è caratterizzato dalla sua bassa tensione di soglia del gate, velocità di commutazione rapida e bassa perdita di ingresso/uscita, rendendolo adatto per applicazioni di interruttore di sistema e carico.

Questo MOSFET è confezionato in un piccolo caso SOT23, offrendo una soluzione compatta per design con limitazioni di spazio. È completamente conforme RoHS e designato come dispositivo "Verde", indicando che è libero da alogeni e antimonio. Il BSS138-7-F è ideale per ingegneri alla ricerca di un interruttore affidabile con basso consumo di energia e alta efficienza di commutazione.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione drain-source (VDSS): 50V
  • Corrente di drain (ID): 200mA
  • Resistenza on-state drain-source statica (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Tensione di soglia del gate (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss): 50pF
  • Dissipazione di potenza (PD): 300mW
  • Intervallo di temperatura operativa: -55 a +150°C

BSS138-7-F Scheda tecnica

BSS138-7-F scheda tecnica (PDF)

BSS138-7-F Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per BSS138-7-F, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Applicazioni di interruttore di sistema/carico
  • Gestione dell'alimentazione ad alta efficienza

Categoria

Transistori

Informazioni generali

I MOSFET a canale N in modalità di arricchimento sono un tipo di MOSFET progettati per la commutazione di segnali elettronici. Questi componenti sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di gestione della potenza grazie alla loro efficienza e capacità di gestire livelli di potenza significativi. I MOSFET a canale N sono caratterizzati dalla loro capacità di condurre corrente tra il drenaggio e la sorgente quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto alla sorgente.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID) e la resistenza statica drain-source in conduzione (RDS(ON)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e l'efficienza in un circuito. Anche la tensione di soglia del gate (VGS(TH)) è importante, poiché influisce sulla tensione richiesta per attivare il dispositivo.

I MOSFET a canale N sono utilizzati in una varietà di applicazioni, inclusi i circuiti di alimentazione, i controllori di motori e come interruttori in sistemi di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La loro bassa resistenza allo stato attivo e le capacità di commutazione rapida li rendono adatti per applicazioni che richiedono una gestione e un controllo efficienti dell'alimentazione.

Oltre alle specifiche tecniche, anche l'imballaggio e la gestione termica sono considerazioni importanti. Dispositivi come il BSS138-7-F, con il suo compatto pacchetto SOT23, offrono una soluzione per applicazioni con limitazioni di spazio garantendo al contempo un'adeguata dissipazione del calore per un funzionamento affidabile.

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