BSS138-7-F: MOSFET a Canale N in Modalità Enhancement, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

Il BSS138-7-F è un MOSFET a canale N in modalità di arricchimento progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Presenta una bassa resistenza in conduzione (RDS(ON)) di 3.5Ω a VGS = 10V, che minimizza la perdita di potenza mantenendo prestazioni di commutazione superiori. Questo componente è caratterizzato dalla sua bassa tensione di soglia del gate, velocità di commutazione rapida e bassa dispersione in ingresso/uscita, rendendolo adatto per applicazioni di sistema e interruttori di carico.

Questo MOSFET è confezionato in un piccolo case SOT23, offrendo una soluzione compatta per progetti con vincoli di spazio. È completamente conforme alla direttiva RoHS e designato come dispositivo "Green", indicando che è privo di alogeni e antimonio. Il BSS138-7-F è ideale per gli ingegneri che cercano un interruttore affidabile con basso consumo energetico e alta efficienza di commutazione.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDSS): 50V
  • Corrente di Drain (ID): 200mA
  • Resistenza statica Drain-Source On (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Tensione di soglia Gate (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss): 50pF
  • Dissipazione di potenza (PD): 300mW
  • Intervallo di temperatura operativa: da -55 a +150°C

Datasheet BSS138-7-F

Datasheet BSS138-7-F (PDF)

BSS138-7-F Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per BSS138-7-F, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Applicazioni System/Load Switch
  • Gestione dell'alimentazione ad alta efficienza

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET a canale N in modalità di arricchimento sono un tipo di MOSFET progettato per la commutazione di segnali elettronici. Questi componenti sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione grazie alla loro efficienza e capacità di gestire livelli di potenza significativi. I MOSFET a canale N sono caratterizzati dalla loro capacità di condurre corrente tra il drain e il source quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto al source.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID) e la resistenza statica drain-source in conduzione (RDS(ON)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e l'efficienza in un circuito. Anche la tensione di soglia del gate (VGS(TH)) è importante, in quanto influisce sulla tensione richiesta per accendere il dispositivo.

I MOSFET a canale N sono utilizzati in una varietà di applicazioni, inclusi circuiti di alimentazione, controller per motori e come interruttori in sistemi di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La loro bassa resistenza in conduzione e le capacità di commutazione rapida li rendono adatti per applicazioni che richiedono una gestione e un controllo efficienti della potenza.

Oltre alle specifiche tecniche, anche il packaging e la gestione termica sono considerazioni importanti. Dispositivi come il BSS138-7-F, con il suo compatto package SOT23, offrono una soluzione per applicazioni con vincoli di spazio garantendo al contempo un'adeguata dissipazione del calore per un funzionamento affidabile.

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