BSS138LT1G: MOSFET di potenza a canale N, 200 mA, 50 V, package SOT-23
onsemi

Il BSS138LT1G di onsemi è un MOSFET di potenza a canale N progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in dispositivi portatili e alimentati a batteria. Funziona a una corrente di drain continua massima di 200mA e una tensione drain-source di 50V. La bassa tensione di soglia del componente (da 0,85V a 1,5V) lo rende adatto per applicazioni a bassa tensione, migliorando la sua utilità nei moderni circuiti elettronici.

Questo MOSFET è disponibile in un pacchetto compatto SOT-23, ottimizzando lo spazio sulla scheda in progetti densamente popolati. È caratterizzato da una resistenza statica drain-source in conduzione di 3,5Ω (a VGS = 5,0V, ID = 200mA), garantendo un funzionamento efficiente. Il dispositivo presenta anche caratteristiche di commutazione rapida, con tempi di ritardo di accensione e spegnimento tipicamente intorno ai 20ns, contribuendo alle sue prestazioni in applicazioni di commutazione ad alta velocità.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDSS): 50V
  • Corrente di Drain Continua (ID): 200mA
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 800mA
  • Resistenza Statica Drain-Source On (rDS(on)): 3.5Ω
  • Tensione di Soglia Gate-Source (VGS(th)): 0.85V a 1.5V
  • Dissipazione di Potenza Totale (PD): 225mW
  • Intervallo di Temperatura Operativa e di Stoccaggio: -55°C a 150°C
  • Resistenza Termica, Giunzione-Ambiente (RθJA): 556°C/W

Datasheet BSS138LT1G

Datasheet BSS138LT1G (PDF)

BSS138LT1G Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per BSS138LT1G, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Convertitori DC-DC
  • Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili
  • Prodotti alimentati a batteria come computer, stampanti, schede PCMCIA, telefoni cellulari e cordless

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono un componente essenziale nei moderni circuiti elettronici, offrendo un'elevata impedenza di ingresso e velocità di commutazione elevate. I MOSFET a canale N, come il BSS138LT1G, sono tipicamente utilizzati per commutare segnali elettronici nella direzione negativa (o 'sink').

Quando si seleziona un MOSFET per un progetto, è importante considerare diversi parametri, tra cui la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID) e la resistenza statica drain-source in stato on (rDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e l'efficienza del circuito. Inoltre, la tensione di soglia gate-source (VGS(th)) è cruciale per determinare quanto facilmente il MOSFET può essere acceso a una data tensione di gate, influenzando l'idoneità del dispositivo per applicazioni a bassa tensione.

I MOSFET sono ampiamente utilizzati in applicazioni che vanno dalla gestione e conversione dell'alimentazione alla commutazione del segnale. La loro capacità di controllare in modo efficiente correnti e tensioni elevate con una potenza di ingresso minima li rende indispensabili nei moderni dispositivi elettronici. La scelta del packaging, come il package SOT-23 per il BSS138LT1G, gioca anche un ruolo significativo nell'applicazione, influenzando fattori come le prestazioni termiche e l'utilizzo dello spazio sulla scheda.

In sintesi, quando si sceglie un MOSFET, è importante abbinare strettamente le specifiche del componente con i requisiti dell'applicazione. Ciò include considerare l'ambiente operativo, poiché la temperatura e la gestione termica possono avere un impatto significativo sulle prestazioni e l'affidabilità del MOSFET.

Indice di Popolarità PartsBox

  • Azienda: 4/10
  • Hobby: 4/10

Database Componenti Elettronici

Popular electronic components