Il BSS138 è un transistor a effetto di campo (FET) a modalità di arricchimento a canale N prodotto utilizzando la tecnologia proprietaria DMOS ad alta densità di celle di onsemi. Questa tecnologia consente al BSS138 di ottenere una bassa resistenza in stato on mantenendo prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci. Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente, rendendolo adatto per il controllo di piccoli servomotori, driver di gate MOSFET di potenza e altre applicazioni di commutazione.
Caratterizzato da un pacchetto compatto a montaggio superficiale SOT-23 standard del settore, il BSS138 è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato on, con valori di 3,5Ω a VGS = 10V e 6,0Ω a VGS = 4,5V. Questa bassa resistenza in stato on è ottenuta grazie al design delle celle ad alta densità di onsemi, contribuendo all'efficienza del dispositivo nelle sue applicazioni. Inoltre, il BSS138 è caratterizzato dalla sua robustezza e affidabilità, garantendo prestazioni in una varietà di condizioni operative.
Il dispositivo è anche noto per essere privo di Pb e privo di alogeni, allineandosi agli attuali standard ambientali per i componenti elettronici. Ciò rende il BSS138 una scelta ecologica per gli ingegneri che cercano di progettare prodotti sostenibili.
Transistor
I transistor a effetto di campo (FET) sono un tipo di transistor utilizzato nei circuiti elettronici per controllare il flusso di corrente. Sono componenti chiave in una vasta gamma di applicazioni, dalla gestione dell'alimentazione all'amplificazione del segnale. I FET funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare la forma e quindi la conduttività di un 'canale' in un materiale semiconduttore. Ciò consente una commutazione e un'amplificazione efficienti dei segnali elettronici.
Quando si seleziona un FET per una particolare applicazione, è importante considerare diversi parametri. Questi includono la tensione drain-source, che indica la tensione massima che il FET può gestire tra i suoi terminali di drain e source; la tensione gate-source, che è la differenza di tensione richiesta al gate per rendere conduttivo il FET; e la corrente di drain, che è la corrente massima che può fluire attraverso il FET. Anche la resistenza in stato on è cruciale, in quanto influisce sull'efficienza del FET determinando quanta potenza viene persa sotto forma di calore quando il FET sta conducendo.
I FET a canale N, come il BSS138, sono particolarmente adatti per applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza e commutazione. Sono tipicamente utilizzati in applicazioni a bassa tensione e bassa corrente grazie alla loro capacità di controllare efficacemente il flusso di corrente con una perdita di potenza minima. Quando si sceglie un FET a canale N, gli ingegneri devono considerare i valori nominali di tensione e corrente del dispositivo, la resistenza in stato on, la velocità di commutazione e le prestazioni termiche per garantire che soddisfi i requisiti della loro applicazione.
Il BSS138, con la sua bassa resistenza in stato on e il design a celle ad alta densità, è un esempio di un FET a canale N progettato per prestazioni efficienti in applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Il suo pacchetto compatto SOT-23 e le prestazioni robuste e affidabili lo rendono adatto per una vasta gamma di applicazioni, tra cui il controllo motori e la commutazione di potenza.