Il BSS138 è un transistor ad effetto di campo (FET) N-Channel in modalità di arricchimento prodotto utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ad alta densità di celle di onsemi. Questa tecnologia consente al BSS138 di raggiungere una bassa resistenza allo stato acceso mantenendo prestazioni di commutazione rapide, affidabili e robuste. Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione, bassa corrente, rendendolo adatto per il controllo di piccoli motori servo, driver di gate di MOSFET di potenza e altre applicazioni di commutazione.
Dotato di un compatto pacchetto surface-mount standard industriale SOT-23, il BSS138 è progettato per minimizzare la resistenza in stato attivo, con valori di 3,5Ω a VGS = 10V e 6,0Ω a VGS = 4,5V. Questa bassa resistenza in stato attivo è ottenuta attraverso il design ad alta densità di celle di onsemi, contribuendo all'efficienza del dispositivo nelle sue applicazioni. Inoltre, il BSS138 è caratterizzato dalla sua robustezza e affidabilità, garantendo prestazioni in una varietà di condizioni operative.
Il dispositivo è inoltre noto per essere privo di Pb e alogeni, allineandosi con gli attuali standard ambientali per i componenti elettronici. Questo rende il BSS138 una scelta ecocompatibile per gli ingegneri che cercano di progettare prodotti sostenibili.
Transistor
I transistor ad effetto di campo (FET) sono un tipo di transistor utilizzato nei circuiti elettronici per controllare il flusso di corrente. Sono componenti chiave in una vasta gamma di applicazioni, dalla gestione dell'alimentazione all'amplificazione del segnale. I FET operano utilizzando un campo elettrico per controllare la forma e quindi la conducibilità di un 'canale' in un materiale semiconduttore. Ciò consente l'interruzione efficiente e l'amplificazione dei segnali elettronici.
Quando si seleziona un FET per una particolare applicazione, diversi parametri sono importanti da considerare. Questi includono la tensione drain-source, che indica la massima tensione che il FET può gestire tra i suoi terminali di drain e source; la tensione gate-source, che è la differenza di tensione richiesta al gate per rendere il FET conduttivo; e la corrente di drain, che è la massima corrente che può fluire attraverso il FET. Anche la resistenza in stato on è cruciale, poiché influisce sull'efficienza del FET determinando quanta potenza viene persa sotto forma di calore quando il FET è conduttivo.
I FET N-Channel, come il BSS138, sono particolarmente adatti per applicazioni che richiedono una gestione dell'energia efficiente e commutazione. Sono tipicamente utilizzati in applicazioni a bassa tensione e corrente bassa a causa della loro capacità di controllare efficientemente il flusso di corrente con una minima perdita di potenza. Quando si sceglie un FET N-Channel, gli ingegneri devono considerare le valutazioni di tensione e corrente del dispositivo, la resistenza in stato on, la velocità di commutazione e le prestazioni termiche per assicurarsi che soddisfi i requisiti della loro applicazione.
Il BSS138, con la sua bassa resistenza allo stato on e il design ad alta densità di celle, è un esempio di FET a canale N progettato per un'efficienza prestazionale in applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Il suo compatto pacchetto SOT-23 e le prestazioni affidabili e robuste lo rendono adatto per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui il controllo dei motori e la commutazione della potenza.