BSS138BKAHZGT116: MOSFET N-Canal, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

Le BSS138BKAHZGT116 est un MOSFET N-Channel produit par ROHM, conçu pour des applications de commutation à faible puissance. Ce composant fonctionne comme un interrupteur qui peut contrôler le flux de puissance électrique dans un circuit sans pièces mobiles, utilisant les propriétés électriques du silicium. Il se caractérise par sa capacité à gérer efficacement la puissance avec des pertes minimales, le rendant adapté à une large gamme de circuits électroniques.

Présentant une tension maximale drain-source (Vds) de 50V et un courant de drain continu (Id) de 220mA, il est optimisé pour les applications basse tension où l'efficacité énergétique est cruciale. Le boîtier SOT-23 est largement utilisé en raison de sa taille compacte, le rendant adapté pour les applications à espace limité. La faible résistance à l'état passant et la haute vitesse de commutation du BSS138BKAHZGT116 améliorent encore sa performance dans les applications de commutation.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Type : MOSFET N-Channel
  • Tension maximale drain-source (Vds) : 50V
  • Courant de drain continu (Id) : 220mA
  • Boîtier : SOT-23
  • Dissipation de puissance : Non spécifiée
  • Tension de seuil de grille : Non spécifiée
  • Résistance à l'état passant : Non spécifiée

BSS138BKAHZGT116 Fiche technique

BSS138BKAHZGT116 fiche technique (PDF)

Substituts de BSS138BKAHZGT116
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Applications

  • Applications de commutation de faible puissance
  • Circuits de gestion de l'énergie
  • Dispositifs alimentés par batterie
  • Pilotes de charge/commutation

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFETs (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) sont un type de transistor utilisé dans les circuits électroniques pour commuter ou amplifier des signaux. Ils sont largement appréciés pour leur haute impédance d'entrée et leur faible consommation d'énergie, les rendant des composants essentiels dans la conception électronique moderne. Les MOSFETs à canal N, en particulier, sont conçus pour conduire le courant lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source.

Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, il est important de considérer des paramètres tels que la tension maximale drain-source (Vds), le courant de drain continu (Id) et le type de boîtier. Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant dans votre circuit. La résistance à l'état passant (Rds(on)) est une autre spécification cruciale, car elle affecte la perte de puissance et l'efficacité du dispositif.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, y compris la conversion de puissance, le contrôle de moteur et la commutation de signal. Le choix d'un MOSFET dépend des exigences spécifiques de l'application, telles que la tension de fonctionnement, la capacité de gestion du courant et les contraintes de taille physique. Il est également important de considérer la gestion thermique du dispositif, car les MOSFET peuvent générer une chaleur significative pendant le fonctionnement.

En résumé, les MOSFET jouent un rôle crucial dans l'électronique moderne, offrant une solution polyvalente pour le contrôle de la puissance dans une large gamme d'applications. Comprendre les spécifications clés et leur relation avec les exigences de votre application est essentiel pour sélectionner le bon MOSFET.

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