Nexperian PMV90ENE on 30 V:n N-kanavainen Trench MOSFET, joka on suunniteltu käytettäväksi erilaisissa sovelluksissa, jotka vaativat tehokasta tehonhallintaa ja muuntamista. Se on koteloitu kompaktiin SOT23 (TO-236AB) -pintaliitoskoteloon (SMD), ja se hyödyntää edistynyttä Trench MOSFET -teknologiaa korkean suorituskyvyn saavuttamiseksi pienessä tilassa.
Tälle MOSFETille on ominaista sen logiikkatason yhteensopivuus, mikä mahdollistaa sen ohjaamisen suoraan logiikkapiireillä ilman ylimääräisiä ohjainkomponentteja. Siinä on myös erittäin nopeat kytkentäominaisuudet, mikä parantaa sen soveltuvuutta nopeisiin ja korkeataajuisiin sovelluksiin. Laite sisältää sähköstaattisen purkauksen (ESD) suojauksen, joka ylittää 2 kV HBM, suojaten sitä staattisten purkausten aiheuttamilta vaurioilta.
Transistori
N-kanavaiset Trench MOSFETit ovat kenttävaikutustransistoreita (FET), jotka hyödyntävät trench-hilarakennetta saavuttaakseen suuremman tiheyden ja hyötysuhteen verrattuna perinteisiin tasomaisiin MOSFETeihin. Näitä komponentteja käytetään laajalti tehonmuunnos- ja hallintasovelluksissa, koska ne pystyvät ohjaamaan tehon virtausta piireissä tehokkaasti.
Valittaessa N-kanavaista Trench MOSFETiä insinöörien tulisi ottaa huomioon parametrit, kuten nielu-lähde-jännite (VDS), hila-lähde-jännite (VGS), nieluvirta (ID) ja nielu-lähde-päällä-resistanssi (RDSon). Nämä parametrit määrittävät MOSFETin kyvyn käsitellä vaadittuja tehotasoja ja kytkentätaajuuksia tietyssä sovelluksessa.
Lisäksi kotelotyyppi ja lämpöominaisuudet ovat tärkeitä huomioitavia seikkoja. SOT23-kotelo on suosittu kompaktin kokonsa vuoksi, mikä tekee siitä sopivan tilarajoitteisiin sovelluksiin. Lämmönhallinta on ratkaisevan tärkeää ylikuumenemisen estämiseksi ja luotettavan toiminnan varmistamiseksi erilaisissa olosuhteissa.
Lopuksi ominaisuudet, kuten logiikkatason yhteensopivuus ja ESD-suojaus, ovat hyödyllisiä piirisuunnittelun yksinkertaistamisessa ja komponentin kestävyyden parantamisessa.