2N7002LT1G onsemilta on N-kanavainen MOSFET, joka on suunniteltu pienjännitteisiin kytkentäsovelluksiin. Sijoitettuna kompaktiin SOT-23-pakkaukseen, tämä MOSFET tukee jopa 60V:n läpäise-jännitettä (VDSS) ja jatkuvaa läpäisevirtaa (ID) 115mA 25°C:ssa. Sen alhainen päällä-tilan vastus (RDS(on)) 7,5 Ohmia VGS:ssä = 10V, parantaa sen tehokkuutta piirin toiminnassa.
Laite tarjoaa myös vankan lämpösuorituskyvyn maksimiliitos-ympäristölämpöresistanssilla (RθJA) 556 °C/W FR-5-levyllä. Sovelluksissa, jotka vaativat korkeampaa lämpötehokkuutta, laitteen suorituskyky alumiinisubstraatilla osoittaa parantuneen RθJA:n 417 °C/W. 2N7002LT1G on suunniteltu käsittelemään pulssin läpäisee virtoja (IDM) jopa 800mA, tarjoten joustavuutta erilaisiin suunnittelutarpeisiin. Sen dynaamiset ominaisuudet sisältävät syöttö-, lähtö- ja käänteissiirtokapasitanssit, mahdollistaen tarkan mallinnuksen kytkentäsovelluksissa.
MOSFET
MOSFETit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) ovat transistorityyppi, jota käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen tai kytkemiseen. Niitä käytetään laajasti elektronisissa laitteissa niiden korkean tuloimpedanssin vuoksi, mikä minimoi virranoton tulojännitelähteestä, ja niiden kyky toimia korkeilla nopeuksilla. N-kanavaiset MOSFETit, kuten 2N7002LT1G, johtavat, kun porttiin suhteessa lähteeseen kohdistetaan positiivinen jännite, mikä tekee niistä sopivia monenlaisiin sovelluksiin, mukaan lukien tehonhallinta, kuorman kytkentä ja signaalivahvistus.
MOSFETia valittaessa tärkeitä parametreja ovat läpäise-lähde-jännite (VDSS), läpäisevirta (ID), päällä-tilan vastus (RDS(on)) ja lämpöominaisuudet. VDSS-luokitus ilmaisee maksimijännitteen, jonka MOSFET voi estää ollessaan pois päältä, kun taas ID-luokitus tarjoaa maksimivirran, jonka se voi johtaa ollessaan päällä. RDS(on)-arvo on kriittinen tehokkuuden kannalta, sillä pienemmät arvot johtavat vähempään tehon hajotukseen. Lämpöominaisuudet, kuten liitos-ympäristölämpövastus (RθJA), ovat myös tärkeitä varmistettaessa, että laite toimii turvallisissa lämpötilarajoissa.
Lisäksi näihin parametreihin, MOSFETin kytkentäominaisuudet, kuten päälle- ja pois päältäkytkentäajat, ovat ratkaisevia sovelluksissa, jotka vaativat nopeaa kytkentänopeutta. Runkodiodin ominaisuudet, jotka kuvaavat läpäisevän ja lähtevän välisen sisäisen diodin käyttäytymistä, ovat merkittäviä sovelluksissa, jotka sisältävät käänteisen virran kulun. Kaiken kaikkiaan MOSFETin valinnan tulisi perustua kattavaan arviointiin sen sähköisestä ja lämpöisestä suorituskyvystä täyttämään tietyn sovelluksen erityisvaatimukset.