PMV37ENEA on 60 V N-kanavainen avaustilan kenttätransistori (FET), joka hyödyntää Trench MOSFET -teknologiaa tarjotakseen korkean hyötysuhteen ja suorituskyvyn. Pakattuna kompaktiin SOT23 (TO-236AB) pintaliitos (SMD) -muovikoteloon, se on suunniteltu monenlaisiin sovelluksiin. Tälle komponentille on ominaista sen logiikkatason yhteensopivuus, mikä mahdollistaa sen ohjaamisen suoraan logiikkapiireillä ilman ylimääräisiä ohjainpiirejä. Lisäksi se tukee laajennettua lämpötila-aluetta jopa 175 °C:seen asti, mikä tekee siitä sopivan korkean lämpötilan ympäristöihin.
PMV37ENEA on suunniteltu luotettavuutta ja kestävyyttä varten autoteollisuudessa ja muissa vaativissa sovelluksissa, ja sen sähköstaattisen purkauksen (ESD) suojaus ylittää 2 kV HBM (luokka H2) ja se on pätevöity AEC-Q101-standardien mukaisesti. Sen alhainen on-tilan vastus ja korkea hyötysuhde tekevät siitä erinomaisen valinnan virranhallintatehtäviin, mukaan lukien releiden ohjaus, nopea linjaohjaus, low-side-kuormakytkentä ja erilaiset kytkentäpiirit.
Transistori
N-kanavaiset MOSFETit ovat eräänlaisia kenttätransistoreita (FET), joita käytetään laajalti elektroniikkapiireissä signaalien kytkemiseen ja vahvistamiseen. Ne toimivat käyttämällä sähkökenttää ohjaamaan virran kulkua nielu- ja lähdeterminaalien välillä. N-kanava viittaa varauksenkuljettajan tyyppiin (elektronit), jotka johtavat virtaa laitteessa.
Valittaessa N-kanavaista MOSFETiä insinöörien tulisi ottaa huomioon parametrit, kuten nielu-lähde-jännite (VDS), hila-lähde-jännite (VGS), nieluvirta (ID) ja nielu-lähde-päällä-vastus (RDSon). Nämä parametrit määrittävät MOSFETin soveltuvuuden eri sovelluksiin, mukaan lukien virranhallinta, signaalinkäsittely ja suurtaajuuskytkentä.
Trench MOSFET -teknologia tarjoaa etuja alhaisemman päälle-tilan vastuksen ja korkeamman hyötysuhteen muodossa, mikä tekee siitä sopivan sovelluksiin, jotka vaativat suurta tehotiheyttä ja minimaalista lämmöntuottoa. Logiikkatason yhteensopivuus mahdollistaa suoran liitännän mikrokontrolleri- tai logiikkapiireihin, mikä yksinkertaistaa suunnittelua.
Sähköisten ominaisuuksien lisäksi tekijät, kuten kotelotyyppi, lämpöominaisuudet ja suojausominaisuudet (esim. ESD-suojaus), ovat myös tärkeitä. Nämä näkökohdat vaikuttavat MOSFETin suorituskykyyn tietyissä sovelluksissa ja sen kykyyn kestää ankaria käyttöolosuhteita.