2N7002LT3G on onsemi:n N-kanava MOSFET, joka on suunniteltu pienjännitteisiin sovelluksiin ja sijoitettu kompaktiin SOT-23-pakettiin. Tämä komponentti tarjoaa lähtö-jännitteen (VDSS) 60V ja maksimilähtövirran (ID) 115mA, mikä tekee siitä sopivan erilaisiin pienitehoisiin sovelluksiin. Sen matala päällä-tilan vastus ja nopea kytkentäkyky ovat ominaisia. Laite on AEC-Q101 pätevöity, mikä tekee siitä sopivan autoteollisuuden sovelluksiin, ja se on myös lyijytön, halogeeniton/BFR-vapaa ja RoHS-yhteensopiva, mikä heijastaa onsemi:n sitoutumista ympäristön kestävyyteen.
MOSFETissa on maksimi RDS(on) 7.5Ω 10V:ssa, osoittaen sen tehokkuutta virran johtamisessa minimaalisella tehohäviöllä. Se tukee myös pulssivirtaa (IDM) jopa 800mA, mahdollistaen hetkellisesti korkeamman virran toiminnot. Laitteen lämpöominaisuudet takaavat luotettavan toiminnan, maksimiliitoslämpötilan ollessa 150°C. Sen dynaamiset ominaisuudet sisältävät syöttökapasitanssin (Ciss) 50pF, tehden siitä reagoivan nopeissa kytkentäsovelluksissa.
MOSFET
MOSFETit (Metalli-Oksidi-Puolijohde Kenttävaikutus-Transistorit) ovat transistorityyppi, jota käytetään elektronisten signaalien vahvistamiseen tai kytkemiseen. Niitä luonnehtivat niiden portti, viemä ja lähde -liittimet. N-kanavaiset MOSFETit, kuten 2N7002LT3G, johtavat virtaa, kun porttiin suhteessa lähteeseen kohdistetaan positiivinen jännite, tehden niistä sopivia monenlaisiin kytkentäsovelluksiin.
Kun valitaan MOSFET tiettyyn sovellukseen, insinöörit ottavat huomioon parametreja, kuten lähteen ja nielun välisen jännitteen (VDSS), nieluvirran (ID), portin ja lähteen välisen jännitteen (VGS) ja staattisen lähteen ja nielun välisen päällä-tilan resistanssin (RDS(on)). Nämä parametrit määrittävät MOSFETin kyvyn käsitellä jännitettä ja virtaa, sen tehokkuuden ja soveltuvuuden nopeisiin kytkentäsovelluksiin. Myös lämpöominaisuudet ovat tärkeitä, sillä ne vaikuttavat laitteen luotettavuuteen ja pitkäikäisyyteen eri käyttöolosuhteissa.
MOSFETit ovat laajalti käytössä tehonhallintapiireissä, moottorinohjausjärjestelmissä ja erilaisten elektronisten laitteiden kuormien kytkemisessä. Niiden kyky kytketä nopeasti ja tehokkaasti tekee niistä arvokkaita vähentämään virrankulutusta ja lämmöntuotantoa elektronisissa järjestelmissä. Lisäksi valinta N-kanavan ja P-kanavan MOSFETien välillä riippuu piirin erityisvaatimuksista, mukaan lukien virran suunta ja ajettavan kuorman tyyppi.
MOSFETin valinnassa on tärkeää tehdä huolellinen analyysi sen sähköisistä ominaisuuksista, lämpösuorituskyvystä ja sovelluksen erityisvaatimuksista. Luotettavuus, tehokkuus ja ympäristöstandardien noudattaminen ovat myös keskeisiä harkintatekijöitä valintaprosessissa.