El BSS138 es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N producido utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas propietaria de onsemi. Esta tecnología permite que el BSS138 alcance una baja resistencia en estado activo mientras mantiene un rendimiento de conmutación rápido, robusto y confiable. El dispositivo está optimizado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, lo que lo hace adecuado para control de pequeños motores servo, controladores de puerta de MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
Con un compacto paquete de montaje superficial estándar de la industria SOT-23, el BSS138 está diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción, con valores de 3.5Ω a VGS = 10V y 6.0Ω a VGS = 4.5V. Esta baja resistencia en estado de conducción se logra a través del diseño de celda de alta densidad de onsemi, contribuyendo a la eficiencia del dispositivo en sus aplicaciones. Además, el BSS138 se caracteriza por su robustez y fiabilidad, asegurando el rendimiento en una variedad de condiciones operativas.
El dispositivo también se destaca por ser libre de Pb y Halógenos, alineándose con los estándares ambientales actuales para componentes electrónicos. Esto hace que el BSS138 sea una elección amigable con el medio ambiente para ingenieros que buscan diseñar productos sostenibles.
Transistor
Los Transistores de Efecto de Campo (FETs) son un tipo de transistor utilizado en circuitos electrónicos para controlar el flujo de corriente. Son componentes clave en una amplia gama de aplicaciones, desde la gestión de energía hasta la amplificación de señales. Los FETs operan utilizando un campo eléctrico para controlar la forma y por lo tanto la conductividad de un 'canal' en un material semiconductor. Esto permite la conmutación y amplificación eficiente de señales electrónicas.
Al seleccionar un FET para una aplicación particular, varios parámetros son importantes a considerar. Estos incluyen el voltaje de drenaje-fuente, que indica el voltaje máximo que el FET puede manejar entre sus terminales de drenaje y fuente; el voltaje de puerta-fuente, que es la diferencia de voltaje requerida en la puerta para hacer que el FET sea conductivo; y la corriente de drenaje, que es la corriente máxima que puede fluir a través del FET. La resistencia en estado activo también es crucial, ya que afecta la eficiencia del FET al determinar cuánta potencia se pierde en forma de calor cuando el FET está conduciendo.
Los FET de Canal N, como el BSS138, son particularmente adecuados para aplicaciones que requieren una gestión de potencia eficiente y conmutación. Se utilizan típicamente en aplicaciones de bajo voltaje y corriente baja debido a su capacidad para controlar eficientemente el flujo de corriente con mínima pérdida de potencia. Al elegir un FET de Canal N, los ingenieros deben considerar las calificaciones de voltaje y corriente del dispositivo, resistencia en estado activo, velocidad de conmutación y rendimiento térmico para asegurar que cumpla con los requisitos de su aplicación.
El BSS138, con su baja resistencia en estado de conducción y diseño de celda de alta densidad, es un ejemplo de un FET de Canal N diseñado para un rendimiento eficiente en aplicaciones de baja tensión y baja corriente. Su compacto paquete SOT-23 y rendimiento robusto y fiable lo hacen adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo control de motores y conmutación de potencia.