BSS138-7-F: MOSFET de modo de mejora de canal N, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

El BSS138-7-F es un MOSFET de Modo de Mejora N-Channel diseñado para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Cuenta con una baja resistencia en estado de conducción (RDS(ON)) de 3.5Ω a VGS = 10V, lo que minimiza la pérdida de potencia mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior. Este componente se caracteriza por su baja tensión de umbral de puerta, velocidad de conmutación rápida y baja fuga de entrada/salida, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de sistema y carga.

Este MOSFET está empaquetado en una pequeña carcasa SOT23, ofreciendo una solución compacta para diseños con limitaciones de espacio. Es completamente conforme con RoHS y designado como un dispositivo "Verde", indicando que está libre de halógenos y antimonio. El BSS138-7-F es ideal para ingenieros que buscan un interruptor confiable con bajo consumo de energía y alta eficiencia de conmutación.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje de drenaje-fuente (VDSS): 50V
  • Corriente de drenaje (ID): 200mA
  • Resistencia de drenaje-fuente estática (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Voltaje de umbral de puerta (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 50pF
  • Disipación de potencia (PD): 300mW
  • Rango de temperatura de operación: -55 a +150°C

BSS138-7-F Hoja de Datos

BSS138-7-F hoja de datos (PDF)

BSS138-7-F Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BSS138-7-F, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Aplicaciones de interruptor de sistema/carga
  • Gestión de energía de alta eficiencia

Categoría

Transistores

Información general

Los MOSFETs de modo de enriquecimiento N-Channel son un tipo de MOSFET diseñado para la conmutación de señales electrónicas. Estos componentes son ampliamente utilizados en aplicaciones de gestión de potencia debido a su eficiencia y capacidad para manejar niveles significativos de potencia. Los MOSFETs N-Channel se caracterizan por su capacidad para conducir corriente entre el drenaje y la fuente cuando se aplica un voltaje positivo al compuerta en relación con la fuente.

Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia estática drenaje-fuente encendida (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y la eficiencia en un circuito. El voltaje de umbral de puerta (VGS(TH)) también es importante, ya que afecta el voltaje requerido para activar el dispositivo.

Los MOSFETs de Canal N se utilizan en una variedad de aplicaciones, incluyendo circuitos de suministro de energía, controladores de motores y como interruptores en sistemas de gestión de energía de alta eficiencia. Su baja resistencia en estado activo y capacidades de conmutación rápida los hacen adecuados para aplicaciones que requieren manejo y control eficiente de la energía.

Además de las especificaciones técnicas, el empaquetado y la gestión térmica también son consideraciones importantes. Dispositivos como el BSS138-7-F, con su compacto empaquetado SOT23, ofrecen una solución para aplicaciones con limitaciones de espacio mientras aseguran una disipación de calor adecuada para una operación confiable.

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