BSS138-7-F: MOSFET de Modo de Enriquecimiento de Canal N, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

El BSS138-7-F es un MOSFET de Modo de Enriquecimiento de Canal N diseñado para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Presenta una baja resistencia en encendido (RDS(ON)) de 3.5Ω a VGS = 10V, lo que minimiza la pérdida de potencia mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior. Este componente se caracteriza por su bajo voltaje umbral de puerta, velocidad de conmutación rápida y baja fuga de entrada/salida, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de interruptores de sistema y carga.

Este MOSFET está empaquetado en una pequeña caja SOT23, ofreciendo una solución compacta para diseños con limitaciones de espacio. Cumple totalmente con RoHS y está designado como un dispositivo "Verde", lo que indica que está libre de halógenos y antimonio. El BSS138-7-F es ideal para ingenieros que buscan un interruptor confiable con bajo consumo de energía y alta eficiencia de conmutación.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDSS): 50V
  • Corriente de Drenaje (ID): 200mA
  • Resistencia Estática Drenaje-Fuente en Encendido (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Voltaje Umbral de Puerta (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss): 50pF
  • Disipación de Potencia (PD): 300mW
  • Rango de Temperatura de Operación: -55 a +150°C

Hoja de datos de BSS138-7-F

Hoja de datos de BSS138-7-F (PDF)

Sustitutos de BSS138-7-F
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BSS138-7-F, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Aplicaciones de Interruptor de Sistema/Carga
  • Gestión de energía de alta eficiencia

Categoría

Transistores

Información general

Los MOSFETs de Modo de Enriquecimiento de Canal N son un tipo de MOSFET diseñado para conmutar señales electrónicas. Estos componentes se utilizan ampliamente en aplicaciones de gestión de energía debido a su eficiencia y capacidad para manejar niveles de potencia significativos. Los MOSFETs de Canal N se caracterizan por su capacidad para conducir corriente entre el drenador y la fuente cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta en relación con la fuente.

Al seleccionar un MOSFET de Canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenador-fuente (VDSS), la corriente de drenador (ID) y la resistencia estática drenador-fuente en estado encendido (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y la eficiencia en un circuito. El voltaje umbral de puerta (VGS(TH)) también es importante, ya que afecta el voltaje requerido para encender el dispositivo.

Los MOSFETs de Canal N se utilizan en una variedad de aplicaciones, incluyendo circuitos de suministro de energía, controladores de motores y como interruptores en sistemas de gestión de energía de alta eficiencia. Su baja resistencia en encendido y capacidades de conmutación rápida los hacen adecuados para aplicaciones que requieren un manejo y control eficiente de la energía.

Además de las especificaciones técnicas, el empaquetado y la gestión térmica también son consideraciones importantes. Dispositivos como el BSS138-7-F, con su encapsulado compacto SOT23, ofrecen una solución para aplicaciones con limitaciones de espacio al tiempo que garantizan una disipación de calor adecuada para un funcionamiento fiable.

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