El BSS138LT3G de onsemi es un MOSFET de canal N que opera a un máximo de 200 mA y 50 V, encapsulado en un paquete compacto SOT-23. Este componente está diseñado para manejar requisitos de potencia bajos a moderados en circuitos electrónicos, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
Las características clave incluyen un bajo voltaje de umbral (VGS(th)) que varía de 0.85 V a 1.5 V, lo que permite una operación eficiente en escenarios de bajo voltaje. Además, el dispositivo se caracteriza por su baja resistencia estática de drenador a fuente (RDS(on)) de 3.5 Ω cuando VGS es 5.0 V e ID es 200 mA, contribuyendo a su eficiencia en la conducción de corriente. El BSS138LT3G también es notable por su robustez, con un rango máximo de temperatura de operación y almacenamiento de -55 a 150 °C, asegurando un rendimiento confiable en diversas condiciones ambientales.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutación y propósitos de amplificación. Estos componentes se caracterizan por su capacidad para controlar el flujo de corriente elevada utilizando un voltaje relativamente bajo, lo que los hace esenciales en la gestión de potencia y aplicaciones de procesamiento de señales.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje de drenaje a fuente (VDSS), el voltaje de puerta a fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia estática de drenaje a fuente (RDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar voltaje y corriente en aplicaciones específicas, así como su eficiencia y características de disipación de calor.
Otra consideración importante es el voltaje umbral (VGS(th)), que indica el voltaje mínimo de puerta-fuente requerido para activar el dispositivo. Un voltaje umbral más bajo puede ser ventajoso en aplicaciones de bajo voltaje, donde la eficiencia energética es crítica.
El tipo de encapsulado también juega un papel crucial, especialmente en diseños con limitaciones de espacio. El encapsulado SOT-23 del BSS138LT3G, por ejemplo, ofrece un equilibrio entre compactibilidad y rendimiento térmico, haciéndolo adecuado para una variedad de aplicaciones, incluyendo dispositivos portátiles y alimentados por batería.