El BSS138LT1G de onsemi es un MOSFET de Potencia de Canal N diseñado para una gestión eficiente de la energía en dispositivos portátiles y alimentados por batería. Opera a una corriente de drenaje continua máxima de 200mA y un voltaje de drenaje a fuente de 50V. El bajo voltaje de umbral del componente (0.85V a 1.5V) lo hace adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, mejorando su utilidad en circuitos electrónicos modernos.
Este MOSFET viene en un paquete compacto SOT-23, optimizando el espacio de la placa en diseños densamente empaquetados. Se caracteriza por una resistencia estática de drenaje a fuente de 3.5Ω (a VGS = 5.0V, ID = 200mA), asegurando una operación eficiente. El dispositivo también presenta características de conmutación rápida, con tiempos de retardo de encendido y apagado típicamente alrededor de 20ns, contribuyendo a su rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
MOSFET
Los Transistores de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFETs) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son un componente esencial en los circuitos electrónicos modernos, ofreciendo alta impedancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Los MOSFETs de Canal N, como el BSS138LT1G, se utilizan típicamente para conmutar señales electrónicas en la dirección negativa (o 'sumidero').
Al seleccionar un MOSFET para un diseño, es importante considerar varios parámetros, incluyendo el voltaje drenaje-a-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia estática drenaje-a-fuente en encendido (rDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y la eficiencia del circuito. Además, el voltaje umbral puerta-fuente (VGS(th)) es crucial para determinar con qué facilidad se puede encender el MOSFET a un voltaje de puerta dado, afectando la idoneidad del dispositivo para aplicaciones de bajo voltaje.
Los MOSFETs se utilizan ampliamente en aplicaciones que van desde la gestión y conversión de energía hasta la conmutación de señales. Su capacidad para controlar eficientemente altas corrientes y voltajes con una potencia de entrada mínima los hace indispensables en los dispositivos electrónicos modernos. La elección del empaquetado, como el paquete SOT-23 para el BSS138LT1G, también juega un papel significativo en la aplicación, afectando factores como el rendimiento térmico y la utilización del espacio en la placa.
En resumen, al elegir un MOSFET, es importante hacer coincidir estrechamente las especificaciones del componente con los requisitos de la aplicación. Esto incluye considerar el entorno operativo, ya que la temperatura y la gestión térmica pueden afectar significativamente el rendimiento y la fiabilidad del MOSFET.