El BSS138LT1G de onsemi es un MOSFET de Potencia de Canal N diseñado para la gestión eficiente de la energía en dispositivos portátiles y alimentados por batería. Opera con una corriente de drenaje continua máxima de 200mA y un voltaje de drenaje a fuente de 50V. El bajo voltaje de umbral del componente (0.85V a 1.5V) lo hace adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, mejorando su utilidad en circuitos electrónicos modernos.
Este MOSFET viene en un paquete SOT-23 compacto, optimizando el espacio en diseños densamente empaquetados. Se caracteriza por una resistencia estática de drenaje a fuente de 3.5Ω (a VGS = 5.0V, ID = 200mA), asegurando una operación eficiente. El dispositivo también presenta características de conmutación rápida, con tiempos de retardo de encendido y apagado típicamente alrededor de 20ns, contribuyendo a su rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
MOSFET
Transistores de Efecto de Campo de Óxido Metálico-Semiconductor (MOSFETs) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son un componente esencial en los circuitos electrónicos modernos, ofreciendo alta impedancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Los MOSFETs de canal N, como el BSS138LT1G, se utilizan típicamente para conmutar señales electrónicas en la dirección negativa (o 'de hundimiento').
Al seleccionar un MOSFET para un diseño, varios parámetros son importantes a considerar, incluyendo el voltaje de drenador a fuente (VDSS), la corriente de drenador (ID) y la resistencia estática de drenador a fuente en estado encendido (rDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y la eficiencia del circuito. Además, el voltaje umbral de compuerta a fuente (VGS(th)) es crucial para determinar qué tan fácilmente el MOSFET puede ser activado a un voltaje de compuerta dado, afectando la idoneidad del dispositivo para aplicaciones de bajo voltaje.
Los MOSFETs se utilizan ampliamente en aplicaciones que van desde la gestión y conversión de energía hasta la conmutación de señales. Su capacidad para controlar eficientemente altas corrientes y voltajes con una potencia de entrada mínima los hace indispensables en los dispositivos electrónicos modernos. La elección del encapsulado, como el encapsulado SOT-23 para el BSS138LT1G, también juega un papel significativo en la aplicación, afectando factores como el rendimiento térmico y la utilización del espacio en la placa.
En resumen, al elegir un MOSFET, es importante coincidir estrechamente las especificaciones del componente con los requisitos de la aplicación. Esto incluye considerar el entorno operativo, ya que la temperatura y la gestión térmica pueden impactar significativamente en el rendimiento y la fiabilidad del MOSFET.