BSS138LT3G: N-Kanal-MOSFET, 200 mA, 50 V, SOT-23
onsemi

Der BSS138LT3G von onsemi ist ein N-Kanal-MOSFET, der mit maximal 200 mA und 50 V arbeitet, eingekapselt in einem kompakten SOT-23-Gehäuse. Dieses Bauteil ist darauf ausgelegt, niedrige bis moderate Leistungsanforderungen in elektronischen Schaltungen zu bewältigen, was es für eine breite Palette von Anwendungen geeignet macht.

Wichtige Merkmale umfassen eine niedrige Schwellenspannung (VGS(th)) im Bereich von 0,85 V bis 1,5 V, die einen effizienten Betrieb in Niederspannungsszenarien ermöglicht. Zusätzlich zeichnet sich das Gerät durch seinen niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 3,5 Ω aus, wenn VGS 5,0 V und ID 200 mA beträgt, was zu seiner Effizienz bei der Stromleitung beiträgt. Der BSS138LT3G ist auch für seine Robustheit bekannt, mit einem maximalen Betriebs- und Lagerungstemperaturbereich von -55 bis 150 °C, was eine zuverlässige Leistung unter verschiedenen Umweltbedingungen gewährleistet.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 50 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei 25°C: 200 mA
  • Gepulster Drain-Strom (IDM): 800 mA
  • Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)): 3,5 Ω bei VGS = 5,0 V, ID = 200 mA
  • Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)): 0,85 V bis 1,5 V
  • Gesamtleistungsverlust (PD) bei 25°C: 225 mW
  • Betriebs- und Lagerungstemperaturbereich: -55 bis 150 °C
  • Thermischer Widerstand, Junction-zu-Umgebung (RθJA): 556 °C/W

BSS138LT3G Datenblatt

BSS138LT3G Datenblatt (PDF)

BSS138LT3G Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für BSS138LT3G dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten
    • Computer
    • Drucker
    • PCMCIA-Karten
    • Mobil- und Schnurlostelefone

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet sind, um Schalt- und Verstärkungszwecke zu erfüllen. Diese Komponenten zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, einen hohen Stromfluss mit einer relativ niedrigen Spannung zu steuern, was sie in der Leistungsverwaltung und Signalverarbeitung unverzichtbar macht.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDSS), Gate-Source-Spannung (VGS), Drain-Strom (ID) und statischen Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(on)) berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFET, Spannung und Strom in spezifischen Anwendungen zu handhaben, sowie seine Effizienz und Wärmeableitungseigenschaften.

Ein weiterer wichtiger Aspekt ist die Schwellenspannung (VGS(th)), die die minimale Gate-Source-Spannung angibt, die erforderlich ist, um das Gerät einzuschalten. Eine niedrigere Schwellenspannung kann in Niederspannungsanwendungen vorteilhaft sein, wo Energieeffizienz entscheidend ist.

Der Pakettyp spielt ebenfalls eine entscheidende Rolle, insbesondere bei platzbeschränkten Designs. Das SOT-23-Paket des BSS138LT3G bietet beispielsweise eine Balance zwischen Kompaktheit und thermischer Leistung und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich tragbarer und batteriebetriebener Geräte.

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