BSS138-7-F: N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, 50 V, 200 mA, 3,5 Ω
Diodes Inc.

Der BSS138-7-F ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Energiemanagement-Anwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von 3,5Ω bei VGS = 10V aus, was den Leistungsverlust minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beibehält. Dieses Bauteil zeichnet sich durch seine niedrige Gate-Schwellenspannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und geringe Eingangs-/Ausgangsleckströme aus, wodurch es für System- und Lastschaltanwendungen geeignet ist.

Dieser MOSFET ist in einem kleinen SOT23-Gehäuse verpackt und bietet eine kompakte Lösung für Designs mit begrenztem Platzangebot. Er ist vollständig RoHS-konform und als "Green"-Gerät gekennzeichnet, was bedeutet, dass er frei von Halogenen und Antimon ist. Der BSS138-7-F ist ideal für Ingenieure, die einen zuverlässigen Schalter mit geringem Stromverbrauch und hoher Schalteffizienz suchen.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 50V
  • Drain-Strom (ID): 200mA
  • Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)): 3,5Ω bei VGS = 10V
  • Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)): 0,5 - 1,5V
  • Eingangskapazität (Ciss): 50pF
  • Verlustleistung (PD): 300mW
  • Betriebstemperaturbereich: -55 bis +150°C

BSS138-7-F Datenblatt

BSS138-7-F Datenblatt (PDF)

BSS138-7-F Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BSS138-7-F dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • System-/Lastschalter-Anwendungen
  • Hocheffizientes Energiemanagement

Kategorie

Transistoren

Allgemeine Informationen

N-Kanal-Anreicherungs-MOSFETs sind eine Art von MOSFET, die zum Schalten elektronischer Signale entwickelt wurden. Diese Komponenten werden aufgrund ihrer Effizienz und ihrer Fähigkeit, erhebliche Leistungspegel zu bewältigen, häufig in Energiemanagement-Anwendungen eingesetzt. N-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, Strom zwischen Drain und Source zu leiten, wenn eine positive Spannung am Gate relativ zur Source angelegt wird.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten Ingenieure Parameter wie die Drain-Source-Spannung (VDSS), den Drain-Strom (ID) und den statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die erforderlichen Leistungspegel und die Effizienz in einer Schaltung zu bewältigen. Die Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)) ist ebenfalls wichtig, da sie die Spannung beeinflusst, die erforderlich ist, um das Gerät einzuschalten.

N-Kanal-MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich Stromversorgungsschaltungen, Motorsteuerungen und als Schalter in hocheffizienten Energiemanagementsystemen. Ihr niedriger Einschaltwiderstand und ihre schnellen Schaltfähigkeiten machen sie geeignet für Anwendungen, die eine effiziente Energiehandhabung und -steuerung erfordern.

Neben den technischen Spezifikationen sind auch Verpackung und thermisches Management wichtige Überlegungen. Geräte wie der BSS138-7-F bieten mit ihrem kompakten SOT23-Gehäuse eine Lösung für platzbeschränkte Anwendungen und gewährleisten gleichzeitig eine ausreichende Wärmeableitung für einen zuverlässigen Betrieb.

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