BSS138-7-F: N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

Der BSS138-7-F ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von 3,5Ω bei VGS = 10V aus, was den Leistungsverlust minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beibehält. Dieses Bauteil ist durch seine niedrige Gate-Schwellenspannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und geringe Ein-/Ausgangsleckströme gekennzeichnet, was es für System- und Lastschalteranwendungen geeignet macht.

Dieser MOSFET ist in einem kleinen SOT23-Gehäuse verpackt und bietet eine kompakte Lösung für platzbeschränkte Designs. Er ist vollständig RoHS-konform und als "Grünes" Gerät gekennzeichnet, was bedeutet, dass er frei von Halogen und Antimon ist. Der BSS138-7-F ist ideal für Ingenieure, die nach einem zuverlässigen Schalter mit geringem Stromverbrauch und hoher Schaltleistung suchen.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 50V
  • Drainstrom (ID): 200mA
  • Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)): 3,5Ω bei VGS = 10V
  • Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)): 0,5 - 1,5V
  • Eingangskapazität (Ciss): 50pF
  • Leistungsverlust (PD): 300mW
  • Betriebstemperaturbereich: -55 bis +150°C

BSS138-7-F Datenblatt

BSS138-7-F Datenblatt (PDF)

BSS138-7-F Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für BSS138-7-F dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Anwendungen für System-/Lastschalter
  • Hochleistungs-Energiemanagement

Kategorie

Transistoren

Allgemeine Informationen

N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFETs sind eine Art von MOSFET, die für das Schalten elektronischer Signale konzipiert wurden. Diese Bauteile werden weit verbreitet in Anwendungen zur Leistungssteuerung eingesetzt, aufgrund ihrer Effizienz und Fähigkeit, signifikante Leistungsniveaus zu handhaben. N-Kanal-MOSFETs zeichnen sich dadurch aus, dass sie Strom zwischen dem Drain- und Source-Anschluss leiten können, wenn eine positive Spannung am Gate im Verhältnis zur Source angelegt wird.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET sollten Ingenieure Parameter wie die Drain-Source-Spannung (VDSS), den Drainstrom (ID) und den statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFET, die erforderlichen Leistungspegel und die Effizienz in einem Schaltkreis zu handhaben. Die Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)) ist ebenfalls wichtig, da sie die zum Einschalten des Geräts erforderliche Spannung beeinflusst.

N-Kanal-MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Stromversorgungsschaltungen, Motorsteuerungen und als Schalter in hocheffizienten Energiemanagementsystemen. Ihre niedrige Einschaltwiderstand und schnelle Schaltfähigkeiten machen sie geeignet für Anwendungen, die eine effiziente Energiehandhabung und -steuerung erfordern.

Neben den technischen Spezifikationen sind auch Verpackung und Wärmemanagement wichtige Überlegungen. Geräte wie der BSS138-7-F mit seiner kompakten SOT23-Verpackung bieten eine Lösung für platzbeschränkte Anwendungen und gewährleisten gleichzeitig eine angemessene Wärmeableitung für einen zuverlässigen Betrieb.

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