2N3906BU: PNP-Siliziumtransistor, VCEO 40V, IC 200mA, TO-92
onsemi

Der 2N3906BU, hergestellt von onsemi, ist ein PNP-Siliziumtransistor, der in einem TO-92-Gehäuse gekapselt ist. Diese Komponente ist für Allzweckanwendungen konzipiert und verfügt über eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von 40V und eine kontinuierliche Kollektorstromfähigkeit (IC) von bis zu 200mA. Er arbeitet effizient in einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 bis +150°C, was ihn für eine Vielzahl von Umweltbedingungen geeignet macht.

Der Transistor weist eine Kollektor-Basis-Spannung (VCBO) von 40V und eine Emitter-Basis-Spannung (VEBO) von 5,0V auf. Seine Gesamtverlustleistung bei 25°C ist mit 625mW bewertet, mit einem Derating über 25°C von 5,0mW/°C. Für Anwendungen, die eine höhere Verlustleistung erfordern, kann das Gerät bis zu 1,5W bei einer Gehäusetemperatur (TC) von 25°C abführen, mit einem Derating von 12mW/°C über dieser Temperatur. Diese Eigenschaften machen den 2N3906BU zu einer vielseitigen Komponente für verschiedene elektronische Schaltungen.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 40V
  • Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): 40V
  • Emitter-Basis-Spannung (VEBO): 5,0V
  • Kollektorstrom - Dauer (IC): 200mA
  • Gesamtverlustleistung (@ TA = 25°C): 625mW
  • Betriebs- und Lagertemperaturbereich der Sperrschicht (TJ, Tstg): -55 bis +150°C
  • Wärmewiderstand, Sperrschicht-zu-Umgebung (RΘJA): 200°C/W
  • Wärmewiderstand, Sperrschicht-zu-Gehäuse (RΘJC): 83,3°C/W

2N3906BU Datenblatt

2N3906BU Datenblatt (PDF)

2N3906BU Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für 2N3906BU dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Signalverstärkung
  • Schaltanwendungen
  • Audioverstärker

Kategorie

Transistoren

Allgemeine Informationen

Transistoren sind grundlegende Komponenten in elektronischen Schaltungen, die als Schalter oder Verstärker fungieren. Sie steuern den Fluss des elektrischen Stroms in einer Schaltung und sind wesentlich für die Erstellung funktionaler elektronischer Geräte. Bei der Auswahl eines Transistors sind Überlegungen wie der Typ (PNP oder NPN), maximale Nennwerte (wie Kollektor-Emitter-Spannung, Kollektorstrom), Verlustleistung und Gehäusetyp zu berücksichtigen.

PNP-Transistoren, wie der 2N3906BU, sind eine Art von Bipolartransistor (BJT), die Löcher als Hauptladungsträger verwenden. Sie werden häufig in Signalverstärkungs- und Schaltanwendungen eingesetzt. Die Kollektor-Emitter-Spannung, der Kollektorstrom und die Verlustleistung sind wichtige Parameter, die die Eignung des Transistors für eine bestimmte Anwendung bestimmen. Darüber hinaus sind die thermischen Eigenschaften, wie der thermische Widerstand, entscheidend, um sicherzustellen, dass das Gerät innerhalb sicherer Temperaturbereiche arbeitet.

In Anwendungen finden sich PNP-Transistoren oft in komplementären Paaren mit NPN-Transistoren, um Gegentaktverstärkerkonfigurationen zu erstellen, die Vorteile in Bezug auf Energieeffizienz und Signalintegrität bieten. Das Verständnis der elektrischen Eigenschaften und Leistungskennzahlen des Transistors ist wesentlich für seine effektive Integration in elektronische Schaltungen.

Schließlich beeinflusst das Gehäuse eines Transistors, wie das TO-92 für den 2N3906BU, seine Wärmeableitungsfähigkeiten und wie er auf einer Leiterplatte montiert werden kann. Ingenieure sollten die physikalischen Abmessungen und den Montagestil des Transistors berücksichtigen, um die Kompatibilität mit der beabsichtigten Anwendung und dem Schaltungsdesign sicherzustellen.

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