BS170: MOSFET kênh N, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23

onsemi

BS170 là MOSFET Kênh N được sản xuất bằng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao độc quyền của onsemi. Linh kiện này được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái bật thấp trong khi đảm bảo hiệu suất chuyển mạch nhanh, đáng tin cậy và chắc chắn. Nó có khả năng xử lý dòng cực máng liên tục lên đến 500 mA, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng, đặc biệt là những ứng dụng yêu cầu điện áp thấp và dòng điện thấp. Ví dụ bao gồm điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất và các ứng dụng chuyển mạch khác nhau.

Với thiết kế tế bào mật độ cao, BS170 cung cấp RDS(ON) thấp, có lợi cho các ứng dụng yêu cầu quản lý năng lượng hiệu quả. Khả năng dòng bão hòa cao và chức năng chuyển mạch tín hiệu nhỏ được điều khiển bằng điện áp làm cho nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho các nhà thiết kế. Ngoài ra, BS170 được đặc trưng là bền bỉ và đáng tin cậy, với khả năng dòng bão hòa cao, khiến nó trở thành một lựa chọn vững chắc cho các môi trường đòi hỏi khắt khe.

• Điện áp cực máng-cực nguồn (VDSS): 60V
• Điện áp cực cổng-cực nguồn (VGSS): ±20V
• Dòng cực máng - Liên tục (ID): 500mA
• Dòng cực máng - Xung: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
• Điện trở bật tĩnh cực máng-cực nguồn (RDS(ON)): 1.2Ω đến 5Ω
• Điện áp ngưỡng cực cổng (VGS(th)): 0.8V đến 3V
• Công suất tiêu tán tối đa: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động và lưu trữ: -55°C đến 150°C

• Điều khiển động cơ servo nhỏ
• Trình điều khiển cổng MOSFET công suất
• Các ứng dụng chuyển mạch khác nhau

Transistor hiệu ứng trường (FET) như BS170 là các thiết bị bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. MOSFET kênh N, một loại FET, được thiết kế để dẫn dòng điện giữa các cực máng và cực nguồn khi một điện áp dương được đặt vào cực cổng. Điều này làm cho MOSFET kênh N trở nên lý tưởng cho các ứng dụng chuyển mạch hiệu suất cao.

Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDSS), điện áp cực cổng-nguồn (VGSS), dòng cực máng và điện trở bật cực máng-nguồn tĩnh (RDS(ON)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp và dòng điện trong một ứng dụng nhất định, cũng như hiệu quả và hiệu suất nhiệt của nó.

BS170, với RDS(ON) thấp và khả năng dòng bão hòa cao, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp. Thiết kế chắc chắn và đáng tin cậy của nó đảm bảo hiệu suất ổn định trong các điều kiện thay đổi. Các kỹ sư cũng nên xem xét các đặc tính nhiệt của MOSFET, bao gồm công suất tiêu tán tối đa và điện trở nhiệt, để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong dải nhiệt độ quy định.

Tóm lại, MOSFET kênh N BS170 cung cấp sự cân bằng về hiệu suất, độ tin cậy và hiệu quả, khiến nó trở thành một lựa chọn hấp dẫn cho nhiều ứng dụng. Việc lựa chọn nó nên dựa trên đánh giá kỹ lưỡng về các yêu cầu điện và nhiệt của ứng dụng.