BS170: MOSFET N-Channel, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

BS170 là một MOSFET kênh N được sản xuất bằng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao độc quyền của onsemi. Thành phần này được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái tiến thấp trong khi đảm bảo hiệu suất chuyển mạch nhanh, đáng tin cậy và bền bỉ. Nó có khả năng xử lý dòng drain liên tục lên đến 500 mA, làm cho nó phù hợp với một loạt các ứng dụng, đặc biệt là những ứng dụng yêu cầu điện áp thấp và dòng điện thấp. Ví dụ bao gồm điều khiển động cơ servo nhỏ, lái cổng MOSFET công suất, và các ứng dụng chuyển mạch khác nhau.

Với thiết kế tế bào mật độ cao, BS170 cung cấp một RDS(ON) thấp, có lợi cho các ứng dụng yêu cầu quản lý công suất hiệu quả. Khả năng dòng bão hòa cao và chức năng chuyển mạch tín hiệu nhỏ điều khiển bằng điện áp làm cho nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho các nhà thiết kế. Ngoài ra, BS170 được đặc trưng là bền và đáng tin cậy, với khả năng dòng bão hòa cao, làm cho nó trở thành một lựa chọn vững chắc cho môi trường đòi hỏi.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Dòng điện Drain - Liên tục (ID): 500mA
  • Dòng điện Drain - Xung: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • Điện trở Drain-Source Tĩnh (RDS(ON)): 1.2Ω đến 5Ω
  • Điện áp Ngưỡng Gate (VGS(th)): 0.8V đến 3V
  • Công suất Phát tán Tối đa: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • Phạm vi Nhiệt độ Hoạt động và Lưu trữ: -55°C đến 150°C

BS170 Bảng dữ liệu

BS170 bảng dữ liệu (PDF)

Ứng dụng

  • Điều khiển động cơ servo nhỏ
  • Trình điều khiển cổng MOSFET công suất
  • Các ứng dụng chuyển mạch khác nhau

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

Các Transistor Hiệu Ứng Trường (FETs) như BS170 là các thiết bị bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. MOSFET kênh N, một loại FET, được thiết kế để dẫn dòng điện giữa các cực thoát và nguồn khi một điện áp dương được áp dụng lên cực cổng. Điều này làm cho MOSFET kênh N lý tưởng cho các ứng dụng chuyển mạch hiệu quả cao.

Khi chọn một MOSFET N-Channel, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp drain-source (VDSS), điện áp gate-source (VGSS), dòng drain, và điện trở drain-source tĩnh (RDS(ON)). Những thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các điện áp và dòng điện trong một ứng dụng cụ thể, cũng như hiệu quả và hiệu suất nhiệt của nó.

BS170, với RDS(ON) thấp và khả năng dòng bão hòa cao, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp. Thiết kế bền và đáng tin cậy của nó đảm bảo hiệu suất ổn định dưới các điều kiện biến đổi. Các kỹ sư cũng nên xem xét các đặc tính nhiệt của MOSFET, bao gồm công suất phân tán tối đa và trở kháng nhiệt, để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong phạm vi nhiệt độ quy định.

Tóm lại, BS170 N-Channel MOSFET cung cấp một sự cân bằng của hiệu suất, độ tin cậy, và hiệu quả, làm cho nó trở thành một lựa chọn hấp dẫn cho nhiều ứng dụng. Việc lựa chọn của nó nên dựa trên một đánh giá kỹ lưỡng về yêu cầu điện và nhiệt của ứng dụng.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 4/10
  • Sở thích: 8/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components