2N7000: MOSFET kênh N, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000 là một MOSFET N-Kênh được phát triển bởi onsemi sử dụng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao. Thành phần này được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái mở thấp trong khi đảm bảo hiệu suất chuyển mạch nhanh và đáng tin cậy. Nó đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp thấp và dòng điện thấp, bao gồm điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất, và các ứng dụng chuyển mạch khác.

Thiết bị có thiết kế tế bào mật độ cao, góp phần vào RDS(on) thấp của nó, làm cho nó trở thành một lựa chọn hiệu quả cho các nhiệm vụ quản lý năng lượng. Khả năng hoạt động như một công tắc tín hiệu nhỏ điều khiển bằng điện áp làm tăng thêm sự linh hoạt của nó trong các thiết kế mạch đa dạng. Dòng 2N7000 được biết đến với độ bền và độ tin cậy, cùng với khả năng dòng bão hòa cao, làm cho nó trở thành lựa chọn ưa thích của các nhà thiết kế tìm kiếm hiệu suất và độ bền.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-to-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V (Liên tục), ±40V (Không Lặp lại)
  • Dòng Drain Tối đa (ID): 200mA (Liên tục)
  • Công suất Tiêu thụ (PD): 400mW
  • Điện trở Nhiệt, Nút giao đến Môi trường (RθJA): 312.5°C/W
  • Điện áp Ngưỡng Gate (VGS(th)): 0.8V đến 3V
  • Điện trở Drain-Source Tĩnh (RDS(on)): 1.2Ω đến 5Ω
  • Dung lượng Đầu vào (Ciss): 20pF đến 50pF

2N7000 Bảng dữ liệu

2N7000 bảng dữ liệu (PDF)

Ứng dụng

  • Kiểm soát động cơ servo nhỏ
  • Trình điều khiển cổng MOSFET công suất
  • Các ứng dụng chuyển mạch điện áp thấp, dòng điện thấp đa dạng

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

N-Channel MOSFETs là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát dòng điện chảy giữa cực nguồn và cực thoát. N-Channel MOSFETs được đặc trưng bởi việc sử dụng một tín hiệu điều khiển mang điện tích âm tại cực cổng để kích hoạt dòng điện chảy.

Khi chọn một MOSFET kênh N, kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp nguồn-drain (VDSS), điện áp cổng-nguồn (VGSS), dòng drain tối đa (ID), tiêu thụ công suất (PD) và điện trở nhiệt. Các thông số này quan trọng trong việc đảm bảo rằng MOSFET có thể xử lý tải yêu cầu và hoạt động hiệu quả trong điều kiện hoạt động của mạch.

Lựa chọn bao bì (như TO-92 hoặc SOT-23 cho dòng 2N7000) cũng đóng một vai trò quan trọng trong ứng dụng, ảnh hưởng đến các yếu tố như quản lý nhiệt và hạn chế không gian vật lý. Ngoài ra, điện trở dẫn nguồn-drain tĩnh (RDS(on)) là một yếu tố quan trọng cần xem xét cho hiệu suất năng lượng, vì giá trị thấp hơn dẫn đến mất mát công suất ít hơn trong quá trình hoạt động.

MOSFET kênh N được sử dụng trong một loạt các ứng dụng, từ quản lý và điều chỉnh công suất đến xử lý tín hiệu. Khả năng chuyển đổi nhanh chóng và xử lý mức công suất đáng kể, trong khi duy trì hiệu quả, làm cho chúng không thể thiếu trong thiết kế điện tử hiện đại.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 9/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components