2N7000: MOSFET Kênh N, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000 là một MOSFET kênh N được phát triển bởi onsemi sử dụng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao. Linh kiện này được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái bật thấp trong khi đảm bảo hiệu suất chuyển mạch nhanh và đáng tin cậy. Nó đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp thấp và dòng điện thấp, bao gồm điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất và các ứng dụng chuyển mạch khác.

Thiết bị có thiết kế tế bào mật độ cao góp phần tạo nên RDS(on) thấp, biến nó thành một lựa chọn hiệu quả cho các tác vụ quản lý năng lượng. Khả năng hoạt động như một công tắc tín hiệu nhỏ được điều khiển bằng điện áp làm tăng thêm tính linh hoạt của nó trong các thiết kế mạch khác nhau. Dòng 2N7000 được biết đến với độ bền và độ tin cậy, cùng với khả năng dòng bão hòa cao, khiến nó trở thành lựa chọn ưu tiên cho các nhà thiết kế tìm kiếm hiệu suất và độ bền.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-to-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V (Liên tục), ±40V (Không lặp lại)
  • Dòng Drain tối đa (ID): 200mA (Liên tục)
  • Công suất tiêu tán (PD): 400mW
  • Điện trở nhiệt, Junction to Ambient (RθJA): 312.5°C/W
  • Điện áp ngưỡng Gate (VGS(th)): 0.8V đến 3V
  • Điện trở bật Drain-Source tĩnh (RDS(on)): 1.2Ω đến 5Ω
  • Điện dung đầu vào (Ciss): 20pF đến 50pF

Bảng dữ liệu 2N7000

Bảng dữ liệu 2N7000 (PDF)

Ứng dụng

  • Điều khiển động cơ servo nhỏ
  • Trình điều khiển cổng MOSFET công suất
  • Các ứng dụng chuyển mạch điện áp thấp, dòng điện thấp khác nhau

Danh mục

Bóng bán dẫn (Transistors)

Thông tin chung

MOSFET Kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát dòng điện giữa các cực nguồn và cực máng. MOSFET Kênh N được đặc trưng bởi việc sử dụng tín hiệu điều khiển tích điện âm tại cực cổng để cho phép dòng điện chạy qua.

Khi chọn MOSFET Kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDSS), điện áp cực cổng-nguồn (VGSS), dòng cực máng tối đa (ID), công suất tiêu tán (PD) và điện trở nhiệt. Các thông số này rất quan trọng để đảm bảo rằng MOSFET có thể xử lý tải yêu cầu và hoạt động hiệu quả trong điều kiện vận hành của mạch.

Việc lựa chọn bao bì (chẳng hạn như TO-92 hoặc SOT-23 cho dòng 2N7000) cũng đóng một vai trò quan trọng trong ứng dụng, ảnh hưởng đến các yếu tố như quản lý nhiệt và hạn chế không gian vật lý. Ngoài ra, điện trở bật cực máng-nguồn tĩnh (RDS(on)) là một cân nhắc quan trọng đối với hiệu quả năng lượng, vì giá trị thấp hơn dẫn đến tổn thất điện năng ít hơn trong quá trình hoạt động.

MOSFET kênh N được sử dụng trong một loạt các ứng dụng, từ quản lý và điều chỉnh năng lượng đến xử lý tín hiệu. Khả năng chuyển mạch nhanh và xử lý mức công suất đáng kể, trong khi vẫn duy trì hiệu quả, khiến chúng trở nên không thể thiếu trong thiết kế điện tử hiện đại.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 6/10
  • Sở thích: 9/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components