BSS138NL6327: N-kanal SIPMOS Küçük-Sinyal-Transistör, 60V, 0.23A, 3.5Ω
Infineon

BSS138NL6327, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmış N-kanal geliştirme modu Alan-Etkili Transistör (FET)'dir. 25°C'de 0.23A sürekli drenaj akımı (ID) ve 60V drenaj-kaynak voltajı (VDS) ile çeşitli düşük güç uygulamaları için uygundur. Cihaz, devre işletiminde verimliliğini artıran maksimum 3.5Ω düşük açık durum direnci (RDS(on)) ile karakterizedir.

Bu transistör, mantık seviyesi sürücü için optimize edilmiştir, böylece ek seviye kaydırma ihtiyacı olmadan doğrudan mantık devreleri tarafından sürülebilir. dv/dt derecesi ve ESD hassasiyet sınıfı 0, talepkar ortamlar için sağlam yapısını sağlar. BSS138NL6327 ayrıca, Pb içermeyen, RoHS uyumlu ve halojensiz olmasının yanı sıra otomotiv uygulamaları için AEC Q101 standartlarına göre nitelendirilmiş olmasıyla çevresel uyumluluğu açısından dikkat çekicidir.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Drenaj-Kaynak Voltajı (VDS): 60V
  • Sürekli Drenaj Akımı (ID): 25°C'de 0.23A
  • Darbeli Drenaj Akımı (ID,pulse): 0.92A
  • Açık Durum Direnci (RDS(on)): Maks 3.5Ω
  • Kapı-Kaynak Voltajı (VGS): ±20V
  • Güç Dağılımı (Ptot): 25°C'de 0.36W
  • İşletme ve Saklama Sıcaklığı: -55 ila 150°C
  • Dinamik Özellikler: Giriş Kapasitansi (Ciss) 32-41pF, Çıkış Kapasitansi (Coss) 7.2-9.5pF, Ters Transfer Kapasitansi (Crss) 2.8-3.8pF

BSS138NL6327 Veri Sayfası

BSS138NL6327 veri sayfası (PDF)

BSS138NL6327 Yerine Geçenler
BSS138NL6327 için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Anahtarlama uygulamaları
  • Mantık seviyesi sürücü devreleri
  • Otomotiv elektroniği
  • Güç yönetimi

Kategori

Transistör

Genel bilgiler

Alan-Etki Transistörleri (FET'ler), elektronik devrelerde sinyalleri anahtarlama veya amplifikasyon için kullanılan bir transistör türüdür. FET'ler, voltaj kontrollü işletimleri ile karakterize edilir, Bipolar Kavşak Transistörleri (BJT'ler) ise akım kontrollüdür. Bu, yüksek giriş empedansının arzu edildiği uygulamalarda FET'leri özellikle kullanışlı kılar.

Belirli bir uygulama için bir FET seçerken önemli hususlar arasında, drenaj-kaynak voltajı (VDS), drenaj akımı (ID), açık durum direnci (RDS(on)) ve kapı-kaynak voltajı (VGS) bulunur. Bu parametreler, FET'in gücü yönetme yeteneğini ve devredeki verimliliğini belirler. Ayrıca, termal özellikler ve ESD hassasiyeti de, çeşitli çalışma koşullarında cihazın güvenilirliğini ve uzun ömürlülüğünü sağlamak için kritiktir.

FET'ler, basit anahtarlamalardan karmaşık mantık devrelerine ve güç yönetim sistemlerine kadar çeşitli uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Düşük güç tüketimleri, yüksek anahtarlama hızları ve mantık seviyesi sinyallerle uyumlulukları, özellikle modern elektronik cihazlar için onları özellikle uygun kılar.

Özetle, bir FET seçerken, mühendisler cihazın elektriksel özelliklerini, termal performansını ve amaçlanan uygulama için uygunluğunu dikkatlice değerlendirmelidir. Bu, elektronik sistemin optimal performansını ve güvenilirliğini sağlar.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 1/10
  • Hobi: 0/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components