BSS138LT1G: N-Kanal Güç MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23 kılıf
onsemi

onsemi'nin BSS138LT1G ürünü, taşınabilir ve pille çalışan cihazlarda verimli güç yönetimi için tasarlanmış bir N-Kanallı Güç MOSFET'idir. Maksimum 200mA sürekli drenaj akımında ve 50V drenaj-kaynak geriliminde çalışır. Bileşenin düşük eşik gerilimi (0.85V ila 1.5V), onu düşük voltajlı uygulamalar için uygun hale getirerek modern elektronik devrelerdeki kullanımını artırır.

Bu MOSFET, yoğun paketlenmiş tasarımlarda kart alanını optimize eden kompakt bir SOT-23 paketinde gelir. Verimli çalışmayı sağlayan 3.5Ω (VGS = 5.0V, ID = 200mA'da) statik drain-source açık direnci ile karakterize edilir. Cihaz ayrıca, tipik olarak 20ns civarında açma ve kapama gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir ve bu da yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarındaki performansına katkıda bulunur.

Temel Özellikler ve Nitelikler

  • Drain-Source Gerilimi (VDSS): 50V
  • Sürekli Drain Akımı (ID): 200mA
  • Darbeli Drain Akımı (IDM): 800mA
  • Statik Drain-Source Açık Direnci (rDS(on)): 3.5Ω
  • Gate-Source Eşik Gerilimi (VGS(th)): 0.85V ila 1.5V
  • Toplam Güç Dağılımı (PD): 225mW
  • Çalışma ve Depolama Sıcaklığı Aralığı: -55°C ila 150°C
  • Termal Direnç, Eklemden Ortama (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G Veri Sayfası

BSS138LT1G veri sayfası (PDF)

BSS138LT1G İkameleri
BSS138LT1G için ikame olarak hizmet edebilecek eşdeğer alternatif bileşenler, en popüler bileşenler başta olmak üzere

Uygulamalar

  • DC-DC dönüştürücüler
  • Taşınabilir cihazlarda güç yönetimi
  • Bilgisayarlar, yazıcılar, PCMCIA kartları, hücresel ve kablosuz telefonlar gibi pille çalışan ürünler

Kategori

MOSFET

Genel bilgiler

Metal-Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörler (MOSFET'ler), elektronik sinyalleri yükseltmek veya anahtarlamak için kullanılan bir transistör türüdür. Yüksek giriş empedansı ve hızlı anahtarlama hızları sunan modern elektronik devrelerde önemli bir bileşendir. BSS138LT1G gibi N-Kanal MOSFET'ler, tipik olarak elektronik sinyalleri negatif (veya 'sink') yönde anahtarlamak için kullanılır.

Bir tasarım için MOSFET seçerken, drain-source gerilimi (VDSS), drain akımı (ID) ve statik drain-source iletim direnci (rDS(on)) dahil olmak üzere çeşitli parametrelerin dikkate alınması önemlidir. Bu parametreler, MOSFET'in gerekli güç seviyelerini ve devrenin verimliliğini idare etme yeteneğini belirler. Ek olarak, gate-source eşik gerilimi (VGS(th)), MOSFET'in belirli bir gate geriliminde ne kadar kolay açılabileceğini belirlemek için çok önemlidir ve bu da cihazın düşük gerilim uygulamaları için uygunluğunu etkiler.

MOSFET'ler, güç yönetimi ve dönüşümünden sinyal anahtarlamaya kadar çeşitli uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Yüksek akımları ve voltajları minimum giriş gücüyle verimli bir şekilde kontrol etme yetenekleri, onları modern elektronik cihazlarda vazgeçilmez kılar. BSS138LT1G için SOT-23 paketi gibi paketleme seçimi de uygulamada önemli bir rol oynar; termal performans ve kart alanı kullanımı gibi faktörleri etkiler.

Özetle, bir MOSFET seçerken, bileşenin özelliklerini uygulamanın gereksinimleriyle yakından eşleştirmek önemlidir. Buna çalışma ortamının dikkate alınması da dahildir, çünkü sıcaklık ve termal yönetim MOSFET'in performansını ve güvenilirliğini önemli ölçüde etkileyebilir.

PartsBox Popülerlik Endeksi

  • İşletme: 4/10
  • Hobi: 4/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components