BSS138LT1G: N-Kanal Güç MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23 paketi

onsemi

onsemi tarafından üretilen BSS138LT1G, taşınabilir ve pil güçlü cihazlarda verimli güç yönetimi için tasarlanmış bir N-Kanal Güç MOSFET'idir. Maksimum sürekli drenaj akımı 200mA ve drenaj-kaynak gerilimi 50V'de çalışır. Bileşenin düşük eşik gerilimi (0.85V ile 1.5V), düşük gerilim uygulamaları için uygun olmasını sağlayarak, modern elektronik devrelerdeki kullanımını artırır.

Bu MOSFET, yoğun paketlenmiş tasarımlarda kart alanını optimize eden kompakt bir SOT-23 paketinde gelir. Statik drenaj-kaynak direnci 3.5Ω (VGS = 5.0V, ID = 200mA'de) ile karakterize edilir, verimli çalışmayı sağlar. Cihaz ayrıca, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında performansına katkıda bulunan tipik olarak 20ns civarında açma ve kapama gecikme süreleri gibi hızlı anahtarlama özelliklerine de sahiptir.

• Akım Taşıma Gerilimi (VDSS): 50V
• Sürekli Akım Taşıma (ID): 200mA
• Darbeli Akım Taşıma (IDM): 800mA
• Statik Akım Taşıma Kaynağı-Drenaj Direnci (rDS(on)): 3.5Ω
• Kapı-Kaynak Eşik Gerilimi (VGS(th)): 0.85V ile 1.5V arası
• Toplam Güç Dağılımı (PD): 225mW
• Çalışma ve Depolama Sıcaklık Aralığı: -55°C ile 150°C
• Termal Direnç, Bağlantı-Noktası-Ortam (RθJA): 556°C/W

• DC-DC dönüştürücüler
• Taşınabilir cihazlarda güç yönetimi
• Bilgisayarlar, yazıcılar, PCMCIA kartlar, cep ve kablosuz telefonlar gibi pil ile çalışan ürünler

Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistörler (MOSFET'ler), elektronik sinyalleri yükseltmek veya anahtarlama için kullanılan bir transistör türüdür. Modern elektronik devrelerde temel bir bileşen olan MOSFET'ler, yüksek giriş empedansı ve hızlı anahtarlama hızları sunar. N-Kanal MOSFET'ler, gibi BSS138LT1G, genellikle elektronik sinyalleri negatif (veya 'batarya') yönde anahtarlama için kullanılır.

Bir tasarımda MOSFET seçerken, drenaj-kaynak voltajı (VDSS), drenaj akımı (ID) ve statik drenaj-kaynak açık direnci (rDS(on)) gibi birkaç parametre önemlidir. Bu parametreler, MOSFET'in gerekli güç seviyelerini ve devrenin verimliliğini yönetme yeteneğini belirler. Ayrıca, kapı-kaynak eşik voltajı (VGS(th)), MOSFET'in belirli bir kapı voltajında ne kadar kolay açılabileceğini belirler, bu da cihazın düşük voltaj uygulamaları için uygunluğunu etkiler.

MOSFET'ler, güç yönetimi ve dönüşümünden sinyal anahtarlama işlemlerine kadar uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Minimal giriş gücü ile yüksek akımları ve voltajları verimli bir şekilde kontrol etme yetenekleri, onları modern elektronik cihazlarda vazgeçilmez kılar. Paketleme seçimi, BSS138LT1G için SOT-23 paketi gibi, uygulamada termal performans ve kart alanı kullanımı gibi faktörleri etkileyen önemli bir rol oynar.

Bir MOSFET seçerken, bileşenin özelliklerinin uygulamanın gereksinimleri ile yakından eşleşmesi önemlidir. Bu, işletim ortamını da içerir, çünkü sıcaklık ve termal yönetim, MOSFET'in performansı ve güvenilirliği üzerinde önemli bir etkiye sahip olabilir.