BSS138, onsemi'nin özel, yüksek hücre yoğunluklu, DMOS teknolojisi kullanılarak üretilmiş bir N-Kanal geliştirme modu Alan Etkili Transistörüdür (FET). Bu teknoloji, BSS138'in düşük açık-durum direncine ulaşmasını sağlarken, sağlam, güvenilir ve hızlı anahtarlama performansını korumasını sağlar. Cihaz, küçük servo motor kontrolü, güç MOSFET kapı sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamaları için düşük voltaj, düşük akım uygulamaları için optimize edilmiştir.
Kompakt endüstri standardı SOT-23 yüzey montaj paketi ile BSS138, onsemi'nin yüksek yoğunluklu hücre tasarımı aracılığıyla 3.5Ω değerinde düşük açık-direnç elde etmek için tasarlanmıştır, VGS = 10V iken 3.5Ω ve VGS = 4.5V iken 6.0Ω. Bu düşük açık-direnç, cihazın uygulamalarındaki verimliliğe katkıda bulunur. Ayrıca, BSS138, çeşitli çalışma koşullarında performansı sağlama konusunda sağlamlığı ve güvenilirliği ile karakterizedir.
Cihaz ayrıca, elektronik bileşenler için geçerli çevresel standartlarla uyumlu olarak, Pb içermeyen ve Halojensiz olarak belirtilmiştir. Bu, sürdürülebilir ürünler tasarlamak isteyen mühendisler için çevre dostu bir seçenek yapar BSS138'ı.
Transistör
Alan Etkili Transistörler (FET'ler), elektronik devrelerde akım akışını kontrol etmek için kullanılan bir transistör türüdür. Güç yönetiminden sinyal amplifikasyonuna kadar geniş bir uygulama yelpazesinde anahtar bileşenlerdir. FET'ler, bir yarı iletken malzemedeki 'kanal'ın şeklini ve dolayısıyla iletkenliğini kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanarak çalışır. Bu, elektronik sinyallerin verimli bir şekilde anahtarlama ve amplifikasyonunu sağlar.
Belirli bir uygulama için bir FET seçerken, dikkate alınması gereken birkaç parametre vardır. Bunlar arasında, FET'in drenaj ve kaynak terminalleri arasında yönetebileceği maksimum voltajı belirten drenaj-kaynak voltajı; FET'i iletken hale getirmek için kapıda gereken voltaj farkını gösteren kapı-kaynak voltajı; ve FET üzerinden akabilecek maksimum akımı belirten drenaj akımı bulunur. Açık devre direnci de kritik öneme sahiptir, çünkü FET iletken olduğunda ne kadar gücün ısı şeklinde kaybolduğunu belirleyerek FET'in verimliliğini etkiler.
N-Kanal FET'ler, BSS138 gibi, verimli güç yönetimi ve anahtarlama gerektiren uygulamalar için özellikle uygundur. Düşük voltaj, düşük akım uygulamalarında, akım akışını minimal güç kaybı ile verimli bir şekilde kontrol edebilme yetenekleri nedeniyle tipik olarak kullanılırlar. Bir N-Kanal FET seçerken, mühendisler cihazın voltaj ve akım derecelendirmelerini, açık durum direncini, anahtarlama hızını ve termal performansını göz önünde bulundurmalıdır, böylece ihtiyaçlarına uygun olduğundan emin olmalıdırlar.
BSS138, düşük açık durum direnci ve yüksek yoğunluklu hücre tasarımı ile, düşük gerilim, düşük akım uygulamalarında verimli performans için tasarlanmış bir N-Kanal FET örneğidir. Kompakt SOT-23 paketi ve sağlam, güvenilir performansı, motor kontrolü ve güç anahtarlama dahil geniş bir uygulama yelpazesi için uygun kılar.