BSS138, onsemi'nin tescilli, yüksek hücre yoğunluklu, DMOS teknolojisi kullanılarak üretilen bir N-Kanal geliştirme modu Alan Etkili Transistördür (FET). Bu teknoloji, BSS138'in sağlam, güvenilir ve hızlı anahtarlama performansını korurken düşük açık durum direnci elde etmesini sağlar. Cihaz, düşük voltaj, düşük akım uygulamaları için optimize edilmiştir, bu da onu küçük servo motor kontrolü, güç MOSFET kapı sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamaları için uygun hale getirir.
Kompakt endüstri standardı SOT-23 yüzey montaj paketine sahip olan BSS138, VGS = 10V'de 3.5Ω ve VGS = 4.5V'de 6.0Ω değerleriyle açık durum direncini en aza indirecek şekilde tasarlanmıştır. Bu düşük açık durum direnci, onsemi'nin yüksek yoğunluklu hücre tasarımıyla elde edilir ve cihazın uygulamalarındaki verimliliğine katkıda bulunur. Ayrıca, BSS138, çeşitli çalışma koşullarında performans sağlayan sağlamlığı ve güvenilirliği ile karakterize edilir.
Cihaz ayrıca, elektronik bileşenler için mevcut çevre standartlarına uygun olarak Kurşunsuz ve Halojensiz olmasıyla da dikkat çekmektedir. Bu, BSS138'i sürdürülebilir ürünler tasarlamak isteyen mühendisler için çevre dostu bir seçim haline getirir.
Transistör
Alan Etkili Transistörler (FET'ler), elektronik devrelerde akım akışını kontrol etmek için kullanılan bir transistör türüdür. Güç yönetiminden sinyal yükseltmeye kadar çok çeşitli uygulamalarda kilit bileşenlerdir. FET'ler, bir yarı iletken malzemedeki bir 'kanalın' şeklini ve dolayısıyla iletkenliğini kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanarak çalışır. Bu, elektronik sinyallerin verimli bir şekilde anahtarlanmasını ve yükseltilmesini sağlar.
Belirli bir uygulama için bir FET seçerken birkaç parametrenin dikkate alınması önemlidir. Bunlar arasında, FET'in akaç ve kaynak terminalleri arasında idare edebileceği maksimum voltajı gösteren akaç-kaynak gerilimi; FET'i iletken hale getirmek için kapıda gereken voltaj farkı olan kapı-kaynak gerilimi; ve FET üzerinden akabilecek maksimum akım olan akaç akımı bulunur. Açık durum direnci de çok önemlidir, çünkü FET iletimdeyken ısı şeklinde ne kadar güç kaybedildiğini belirleyerek FET'in verimliliğini etkiler.
BSS138 gibi N-Kanal FET'ler, verimli güç yönetimi ve anahtarlama gerektiren uygulamalar için özellikle uygundur. Minimum güç kaybıyla akım akışını verimli bir şekilde kontrol edebilmeleri nedeniyle genellikle düşük voltajlı, düşük akımlı uygulamalarda kullanılırlar. Bir N-Kanal FET seçerken, mühendisler uygulamanın gereksinimlerini karşıladığından emin olmak için cihazın voltaj ve akım değerlerini, açık durum direncini, anahtarlama hızını ve termal performansını dikkate almalıdır.
Düşük açık durum direnci ve yüksek yoğunluklu hücre tasarımı ile BSS138, düşük voltajlı, düşük akımlı uygulamalarda verimli performans için tasarlanmış bir N-Kanallı FET örneğidir. Kompakt SOT-23 paketi ve sağlam, güvenilir performansı, motor kontrolü ve güç anahtarlama dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir.