BSS138LT3G: N-Kanal MOSFET, 200 mA, 50 V, SOT-23

onsemi

onsemi'den BSS138LT3G, maksimum 200 mA ve 50 V'ta çalışan, kompakt bir SOT-23 paketinde kapsüllenmiş bir N-Kanallı MOSFET'tir. Bu bileşen, elektronik devrelerdeki düşük ila orta güç gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanmıştır ve bu da onu çok çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir.

Temel özellikler arasında, düşük voltaj senaryolarında verimli çalışmaya olanak tanıyan 0.85 V ila 1.5 V arasında değişen düşük bir eşik gerilimi (VGS(th)) bulunur. Ek olarak cihaz, VGS 5.0 V ve ID 200 mA olduğunda 3.5 Ω'luk düşük statik drenaj-kaynak açık direnci (RDS(on)) ile karakterize edilir ve bu da akımı iletmedeki verimliliğine katkıda bulunur. BSS138LT3G ayrıca, çeşitli çevresel koşullarda güvenilir performans sağlayan -55 ila 150 °C'lik maksimum çalışma ve depolama sıcaklığı aralığıyla sağlamlığıyla da dikkat çekmektedir.

• Drain-Source Voltajı (VDSS): 50 V
• Gate-Source Voltajı (VGS): ±20 V
• 25°C'de Sürekli Drain Akımı (ID): 200 mA
• Darbeli Drain Akımı (IDM): 800 mA
• Statik Drain-Source Açık Direnci (RDS(on)): VGS = 5.0 V, ID = 200 mA'da 3.5 Ω
• Gate-Source Eşik Voltajı (VGS(th)): 0.85 V ila 1.5 V
• 25°C'de Toplam Güç Dağılımı (PD): 225 mW
• Çalışma ve Depolama Sıcaklık Aralığı: -55 ila 150 °C
• Termal Direnç, Bağlantıdan Ortama (RθJA): 556 °C/W

• DC-DC dönüştürücüler
• Taşınabilir ve pille çalışan ürünlerde güç yönetimi
  • Bilgisayarlar
  • Yazıcılar
  • PCMCIA kartları
  • Cep ve telsiz telefonlar

N-Kanal MOSFET'ler, elektronik devrelerde anahtarlama ve yükseltme amaçları için yaygın olarak kullanılan bir alan etkili transistör (FET) türüdür. Bu bileşenler, nispeten düşük bir voltaj kullanarak yüksek akım akışını kontrol etme yetenekleriyle karakterize edilir, bu da onları güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında vazgeçilmez kılar.

Bir N-Kanal MOSFET seçerken, mühendisler drenaj-kaynak voltajı (VDSS), kapı-kaynak voltajı (VGS), drenaj akımı (ID) ve statik drenaj-kaynak açık direnci (RDS(on)) gibi parametreleri dikkate almalıdır. Bu parametreler, MOSFET'in belirli uygulamalarda voltaj ve akımı işleme yeteneğinin yanı sıra verimliliğini ve ısı dağılımı özelliklerini belirler.

Bir diğer önemli husus, cihazı açmak için gereken minimum kapı-kaynak voltajını gösteren eşik voltajıdır (VGS(th)). Daha düşük bir eşik voltajı, güç verimliliğinin kritik olduğu düşük voltajlı uygulamalarda avantajlı olabilir.

Paket tipi de, özellikle alan kısıtlaması olan tasarımlarda çok önemli bir rol oynar. Örneğin BSS138LT3G'nin SOT-23 paketi, kompaktlık ve termal performans arasında bir denge sunarak taşınabilir ve pille çalışan cihazlar da dahil olmak üzere çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir.