onsemi tarafından üretilen BSS138LT3G, maksimum 200 mA ve 50 V'de çalışan, kompakt SOT-23 paketinde kapsüllenmiş bir N-Kanal MOSFET'tir. Bu bileşen, elektronik devrelerde düşük ila orta güç gereksinimlerini yönetmek üzere tasarlanmış olup, geniş bir uygulama yelpazesinde uygun hale gelir.
Ana özellikler arasında, düşük voltaj senaryolarında verimli çalışmaya olanak tanıyan 0.85 V ile 1.5 V arasında değişen düşük eşik voltajı (VGS(th)) bulunur. Ayrıca, cihaz 5.0 V VGS ve 200 mA ID olduğunda 3.5 Ω düşük statik dren-kaynak direnci (RDS(on)) ile akımı iletmede verimliliği ile dikkat çeker. BSS138LT3G ayrıca, -55 ile 150 °C arasında maksimum çalışma ve depolama sıcaklık aralığı ile sağlamlığı ile de dikkat çeker.
"- Drenaj-Kaynak Voltajı (VDSS): 50 V
Transistör
N-Kanal MOSFET'ler, elektronik devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon amaçları için yaygın olarak kullanılan bir alan etkili transistör (FET) türüdür. Bu bileşenler, nispeten düşük bir voltaj kullanarak yüksek akım akışını kontrol edebilme özellikleriyle karakterize edilirler, bu da onları güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında vazgeçilmez kılar.
N-Kanal MOSFET seçerken, mühendisler drenaj-kaynak voltajı (VDSS), kapı-kaynak voltajı (VGS), drenaj akımı (ID) ve statik drenaj-kaynak açık durum direnci (RDS(on)) gibi parametreleri göz önünde bulundurmalıdır. Bu parametreler, MOSFET'in belirli uygulamalardaki voltaj ve akımı idare etme kapasitesini, ayrıca verimliliğini ve ısı dağıtım özelliklerini belirler.
Eşik gerilimi (VGS(th)), cihazı açmak için gereken minimum kapı-kaynak gerilimini gösterir. Düşük eşik gerilimi, güç verimliliğinin kritik olduğu düşük voltaj uygulamalarında avantajlı olabilir.
Paket tipi de, özellikle yer sınırlaması olan tasarımlarda kritik bir rol oynar. Örneğin, BSS138LT3G'nin SOT-23 paketi, taşınabilir ve pil ile çalışan cihazlar dahil çeşitli uygulamalar için uygun olan kompaktlık ve termal performans arasında bir denge sunar.