BSS138-7-F: N-Kanal Güçlendirme Modu MOSFET, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

BSS138-7-F, yüksek verimli güç yönetimi uygulamaları için tasarlanmış bir N-Kanal Geliştirme Modu MOSFET'tir. VGS = 10V'de 3.5Ω düşük açık-direnç (RDS(ON)) özelliği ile güç kaybını en aza indirirken üstün anahtarlama performansını korur. Bu bileşen, düşük kapı eşik gerilimi, hızlı anahtarlama hızı ve düşük giriş/çıkış sızıntısı ile karakterize edilir, bu da onu sistem ve yük anahtarı uygulamaları için uygun kılar.

Bu MOSFET, yer sınırlamaları olan tasarımlar için kompakt bir çözüm sunan küçük bir SOT23 kılıfında paketlenmiştir. Tamamen RoHS uyumludur ve "Yeşil" bir cihaz olarak belirlenmiştir, yani halojen ve antimon içermez. BSS138-7-F, düşük güç tüketimi ve yüksek anahtarlama verimliliği arayan mühendisler için idealdir.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Dren-Kaynak Gerilimi (VDSS): 50V
  • Dren Akımı (ID): 200mA
  • Statik Dren-Kaynak Açık-Direnç (RDS(ON)): VGS = 10V'de 3.5Ω
  • Kapı Eşik Gerilimi (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Giriş Kapasitansı (Ciss): 50pF
  • Güç Dağılımı (PD): 300mW
  • Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55'den +150°C'ye

BSS138-7-F Veri Sayfası

BSS138-7-F veri sayfası (PDF)

BSS138-7-F Yerine Geçenler
BSS138-7-F için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Sistem/Yük Anahtarlama uygulamaları
  • Yüksek verimli güç yönetimi

Kategori

Transistörler

Genel bilgiler

N-Kanal Artırım Modu MOSFET'ler, elektronik sinyalleri anahtarlama için tasarlanmış bir MOSFET türüdür. Bu bileşenler, verimlilikleri ve önemli güç seviyelerini yönetme yetenekleri nedeniyle güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. N-Kanal MOSFET'ler, kaynağa göre kapıya pozitif voltaj uygulandığında drenaj ve kaynak arasında akım taşıyabilme yetenekleri ile karakterize edilir.

Bir N-Kanal MOSFET seçerken, mühendisler drenaj-kaynak voltajı (VDSS), drenaj akımı (ID) ve statik drenaj-kaynak direnci (RDS(ON)) gibi parametreleri göz önünde bulundurmalıdır. Bu parametreler, MOSFET'in devrede gerekli güç seviyelerini ve verimliliği yönetme yeteneğini belirler. Kapı eşik voltajı (VGS(TH)) da önemlidir, çünkü cihazı açmak için gereken voltajı etkiler.

N-Kanal MOSFET'ler, güç kaynağı devreleri, motor kontrolörleri ve yüksek verimli güç yönetim sistemlerinde anahtarlar olarak çeşitli uygulamalarda kullanılır. Düşük açık dirençleri ve hızlı anahtarlama yetenekleri, verimli güç yönetimi ve kontrolü gerektiren uygulamalar için onları uygun hale getirir.

Teknik özelliklerin yanı sıra, paketleme ve termal yönetim de önemli hususlardır. BSS138-7-F gibi kompakt SOT23 paketlemesi sunan cihazlar, alan kısıtlamaları olan uygulamalar için bir çözüm sunarken, güvenilir çalışma için yeterli ısı dağılımını sağlar.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 5/10
  • Hobi: 3/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components