O BSS138W da onsemi é um Transistor de Efeito de Campo de Nível Lógico de Canal N projetado para operação eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Este MOSFET apresenta um compacto pacote de montagem em superfície SOT-323, tornando-o adequado para layouts densos de PCB. Ele é projetado para minimizar a resistência no estado ligado, oferecendo valores tão baixos quanto 3.5Ω em VGS = 10V, ID = 0.22A, garantindo assim uma gestão eficiente de energia em circuitos.
Seu design robusto e confiável, combinado com um design de célula de alta densidade para um RDS(on) extremamente baixo, torna o BSS138W uma escolha ideal para aplicações como controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação. O dispositivo opera dentro de uma tensão dreno-fonte (VDSS) de 50V e pode lidar com correntes de dreno contínuas de até 0,21A, tornando-o versátil para uma gama de designs eletrônicos.
Transistor
Transistores de Efeito de Campo (FETs), especificamente os MOSFETs N-Channel, são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos por sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia. Eles operam usando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, oferecendo alta impedância de entrada e velocidades de comutação rápidas. MOSFETs N-Channel, como o BSS138W, são particularmente úteis em aplicações que requerem gerenciamento e controle eficientes de energia em uma pegada compacta.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, fatores importantes a considerar incluem a tensão de dreno para fonte (VDSS), tensão de porta para fonte (VGSS), corrente contínua de dreno (ID) e resistência estática de dreno-fonte (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e eficiência desejados. Além disso, o tipo de embalagem e as características térmicas são cruciais para garantir que o componente se encaixe nas restrições físicas e térmicas do design.
O BSS138W é projetado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, oferecendo um equilíbrio entre desempenho e tamanho. Seu baixo RDS(on) ajuda a reduzir as perdas de potência, tornando-o adequado para aplicações de alta eficiência. O pacote SOT-323 compacto permite layouts densos de PCB, proporcionando flexibilidade no design.
No geral, a seleção de um MOSFET N-Channel como o BSS138W deve ser baseada nos requisitos específicos da aplicação, incluindo especificações elétricas, tamanho físico e necessidades de gerenciamento térmico. Entender esses fatores ajudará os engenheiros a escolher o componente certo para seus projetos, garantindo desempenho ótimo e confiabilidade.