O BSS138 é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de enriquecimento N-Channel produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade celular proprietária da onsemi. Esta tecnologia permite que o BSS138 alcance baixa resistência no estado ligado enquanto mantém desempenho de comutação rápido, confiável e robusto. O dispositivo é otimizado para aplicações de baixa tensão e corrente baixa, tornando-o adequado para controle de pequenos servomotores, drivers de portão de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.
Apresentando um pacote compacto padrão da indústria SOT-23, o BSS138 é projetado para minimizar a resistência em estado ligado, com valores de 3,5Ω em VGS = 10V e 6,0Ω em VGS = 4,5V. Esta baixa resistência em estado ligado é alcançada através do design de célula de alta densidade da onsemi, contribuindo para a eficiência do dispositivo em suas aplicações. Além disso, o BSS138 é caracterizado por sua robustez e confiabilidade, garantindo desempenho em uma variedade de condições operacionais.
O dispositivo também é notável por ser livre de Pb e Halogênio, alinhando-se com os padrões ambientais atuais para componentes eletrônicos. Isso torna o BSS138 uma escolha ecologicamente correta para engenheiros que procuram projetar produtos sustentáveis.
Transistor
Transistores de Efeito de Campo (FETs) são um tipo de transistor usado em circuitos eletrônicos para controlar o fluxo de corrente. Eles são componentes chave em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento de energia até amplificação de sinal. Os FETs operam usando um campo elétrico para controlar a forma e, portanto, a condutividade de um 'canal' em um material semicondutor. Isso permite a comutação e amplificação eficientes de sinais eletrônicos.
Ao selecionar um FET para uma aplicação específica, vários parâmetros são importantes a considerar. Estes incluem a tensão dreno-fonte, que indica a tensão máxima que o FET pode suportar entre seus terminais de dreno e fonte; a tensão de porta-fonte, que é a diferença de tensão necessária na porta para tornar o FET condutivo; e a corrente de dreno, que é a corrente máxima que pode fluir através do FET. A resistência no estado ligado também é crucial, pois afeta a eficiência do FET ao determinar quanto poder é perdido na forma de calor quando o FET está conduzindo.
FETs de Canal N, como o BSS138, são particularmente adequados para aplicações que requerem gerenciamento eficiente de energia e comutação. Eles são tipicamente usados em aplicações de baixa tensão, baixa corrente devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de corrente com perda de potência mínima. Ao escolher um FET de Canal N, os engenheiros devem considerar as classificações de tensão e corrente do dispositivo, resistência em estado ligado, velocidade de comutação e desempenho térmico para garantir que ele atenda aos requisitos de sua aplicação.
O BSS138, com sua baixa resistência no estado de condução e design de célula de alta densidade, é um exemplo de um FET de canal N projetado para desempenho eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Seu pacote compacto SOT-23 e desempenho robusto e confiável o tornam adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo controle de motores e comutação de potência.