BSS138-7-F: MOSFET de Modo de Enriquecimento de Canal N, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

O BSS138-7-F é um MOSFET de Modo de Enriquecimento de Canal N projetado para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência. Ele apresenta uma baixa resistência ligada (RDS(ON)) de 3.5Ω a VGS = 10V, o que minimiza a perda de potência enquanto mantém um desempenho de comutação superior. Este componente é caracterizado por sua baixa tensão de limiar de porta, velocidade de comutação rápida e baixa fuga de entrada/saída, tornando-o adequado para aplicações de chaveamento de sistema e carga.

Este MOSFET é embalado em um pequeno invólucro SOT23, oferecendo uma solução compacta para designs com restrição de espaço. É totalmente compatível com RoHS e designado como um dispositivo "Verde", indicando que é livre de halogênio e antimônio. O BSS138-7-F é ideal para engenheiros que procuram um interruptor confiável com baixo consumo de energia e alta eficiência de comutação.

Especificações e Características Chave

  • Tensão de Dreno-Fonte (VDSS): 50V
  • Corrente de Dreno (ID): 200mA
  • Resistência de Dreno-Fonte Estática (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Tensão de Limiar de Porta (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 50pF
  • Dissipação de Potência (PD): 300mW
  • Faixa de Temperatura Operacional: -55 a +150°C

BSS138-7-F Datasheet

BSS138-7-F folha de dados (PDF)

BSS138-7-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BSS138-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de Chaveamento de Sistema/Carga
  • Gerenciamento de energia de alta eficiência

Categoria

Transistores

Informações gerais

MOSFETs de Modo de Enriquecimento de Canal N são um tipo de MOSFET projetado para comutação de sinais eletrônicos. Esses componentes são amplamente utilizados em aplicações de gerenciamento de energia devido à sua eficiência e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. MOSFETs de Canal N são caracterizados por sua capacidade de conduzir corrente entre o dreno e a fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao portão em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET N-Channel, engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão de dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência de dreno-fonte estática (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência necessários e eficiência em um circuito. A tensão de limiar do portão (VGS(TH)) também é importante, pois afeta a tensão necessária para ligar o dispositivo.

MOSFETs de Canal-N são usados em uma variedade de aplicações, incluindo circuitos de fonte de alimentação, controladores de motor e como interruptores em sistemas de gerenciamento de energia de alta eficiência. Sua baixa resistência no estado ligado e capacidades de comutação rápida os tornam adequados para aplicações que requerem manuseio e controle eficientes de energia.

Além das especificações técnicas, o encapsulamento e o gerenciamento térmico também são considerações importantes. Dispositivos como o BSS138-7-F, com seu encapsulamento compacto SOT23, oferecem uma solução para aplicações com restrições de espaço enquanto garantem dissipação de calor adequada para operação confiável.

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