O BSS138LT3G da onsemi é um MOSFET de Canal N que opera no máximo de 200 mA e 50 V, encapsulado em um pacote SOT-23 compacto. Este componente é projetado para lidar com requisitos de potência baixos a moderados em circuitos eletrônicos, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações.
Características chave incluem uma baixa tensão de limiar (VGS(th)) variando de 0,85 V a 1,5 V, que permite uma operação eficiente em cenários de baixa tensão. Além disso, o dispositivo é caracterizado por sua baixa resistência estática dreno-fonte (RDS(on)) de 3,5 Ω quando VGS é 5,0 V e ID é 200 mA, contribuindo para sua eficiência na condução de corrente. O BSS138LT3G também é notável por sua robustez, com uma faixa de temperatura de operação e armazenamento máxima de -55 a 150 °C, garantindo um desempenho confiável em várias condições ambientais.
Transistor
Os MOSFETs de canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente usados em circuitos eletrônicos para comutação e propósitos de amplificação. Esses componentes são caracterizados pela sua capacidade de controlar o fluxo de corrente alta usando uma tensão relativamente baixa, tornando-os essenciais em aplicações de gerenciamento de energia e processamento de sinal.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão de dreno-para-fonte (VDSS), tensão de porta-para-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e resistência de dreno-para-fonte estática (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com tensão e corrente em aplicações específicas, bem como sua eficiência e características de dissipação de calor.
Outra consideração importante é a tensão de limiar (VGS(th)), que indica a tensão mínima de porta-fonte necessária para ligar o dispositivo. Uma tensão de limiar mais baixa pode ser vantajosa em aplicações de baixa tensão, onde a eficiência energética é crítica.
O tipo de encapsulamento também desempenha um papel crucial, especialmente em designs com limitações de espaço. O encapsulamento SOT-23 do BSS138LT3G, por exemplo, oferece um equilíbrio entre compactação e desempenho térmico, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações, incluindo dispositivos portáteis e alimentados por bateria.