PMEG40T20ERX: Prostownik z barierą Schottky'ego Trench MEGA o niskim VF, 40 V, 2 A, obudowa SOD123W

Nexperia

PMEG40T20ER firmy Nexperia to prostownik barierowy Schottky'ego typu Trench Maximum Efficiency General Application (MEGA), zaprojektowany w celu zwiększenia wydajności energetycznej w różnych zastosowaniach. Jest zamknięty w obudowie CFP3 (SOD123W), która jest małą i płaską plastikową obudową do montażu powierzchniowego (SMD), co czyni go odpowiednim do kompaktowych projektów.

Ten komponent charakteryzuje się średnim prądem przewodzenia 2 A i zdolnością napięcia wstecznego do 40 V. Wykorzystuje technologię Trench MEGA Schottky, aby osiągnąć niskie napięcie przewodzenia i prąd upływu, co przyczynia się do jego wysokiej sprawności. Dodatkowo zastosowanie technologii clip-bonding zwiększa jego obciążalność prądową. Jest również zaprojektowany tak, aby był kompatybilny zarówno z procesami lutowania rozpływowego, jak i na fali, zapewniając łatwość integracji z różnymi procesami produkcyjnymi.

• Średni prąd przewodzenia (IF(AV)): 2 A
• Napięcie wsteczne (VR): ≤ 40 V
• Napięcie przewodzenia (VF): 450 do 515 mV przy IF = 2 A
• Prąd wsteczny (IR): 3 do 22 µA przy VR = 40 V
• Rezystancja termiczna, złącze do otoczenia (Rth(j-a)): 220 K/W (standardowy footprint), 130 K/W (pole montażowe dla katody 1 cm2)
• Czas odzyskiwania wstecznego (trr): 11.5 ns
• Pojemność diody (Cd): 145 do 350 pF przy VR = 1 do 10 V
• Obudowa: CFP3 (SOD123W)

• Prostowanie niskiego napięcia
• Konwersja DC-DC o wysokiej sprawności
• Zasilacze impulsowe
• Zastosowania z diodą zwrotną (freewheeling)
• Ochrona przed odwrotną polaryzacją
• Zastosowania o niskim zużyciu energii

Prostowniki z barierą Schottky'ego to diody półprzewodnikowe, które zapewniają niski spadek napięcia w kierunku przewodzenia i szybkie możliwości przełączania. Te cechy czynią je wysoce odpowiednimi do zastosowań wysokoczęstotliwościowych i wrażliwych na moc, takich jak obwody zasilania, przetwornice DC-DC i obwody ochrony przed odwrotną polaryzacją.

Wybierając prostownik z barierą Schottky'ego, inżynierowie powinni wziąć pod uwagę parametry takie jak maksymalne napięcie wsteczne, obciążalność prądowa w kierunku przewodzenia, spadek napięcia przewodzenia i typ obudowy. Wybór diody Schottky'ego zależy od konkretnych wymagań aplikacji, w tym efektywności energetycznej, ograniczeń rozmiaru i potrzeb zarządzania ciepłem.

Technologia Trench MEGA Schottky dodatkowo zwiększa wydajność tych diod poprzez redukcję prądu upływu i poprawę charakterystyki termicznej. Ta technologia, w połączeniu z zaawansowanymi technikami pakowania, takimi jak clip-bonding, pozwala na obsługę wyższej mocy i większą sprawność.

Oprócz parametrów elektrycznych, wydajność termiczna diody jest również kluczowym czynnikiem. Skuteczne zarządzanie ciepłem zapewnia, że dioda działa w granicach swoich limitów temperaturowych, co wydłuża jej żywotność i niezawodność w obwodzie.