1N4448: Dioda małosygnałowa, DO-35, 100V, 300mA, czas odzyskiwania wstecznego 4ns

onsemi

1N4448 to dioda małosygnałowa zaprojektowana do szybkich zastosowań przełączających. Zapakowana w obudowę DO-35, charakteryzuje się kompaktowym rozmiarem i łatwością integracji w różnych obwodach. Ta dioda oferuje maksymalne powtarzalne napięcie wsteczne 100V i może obsłużyć prąd przewodzenia do 300mA. Ważną cechą 1N4448 jest szybki czas odzyskiwania wstecznego wynoszący 4ns, co czyni ją odpowiednią do operacji o wysokiej częstotliwości.

Dioda jest zamknięta w hermetycznie uszczelnionej szklanej obudowie, co zapewnia niezawodność i trwałość w różnych warunkach środowiskowych. Jej katoda jest oznaczona czarnym paskiem dla łatwej identyfikacji. 1N4448 jest dostępna w opakowaniach zbiorczych lub na taśmie i szpuli, zaspokajając różne wymagania montażowe.

• Typ obudowy: DO-35
• Maksymalne powtarzalne napięcie wsteczne (VRRM): 100 V
• Prąd przewodzenia DC (IF): 300 mA
• Szczytowy powtarzalny prąd przewodzenia (IFM): 400 mA
• Szczytowy niepowtarzalny udarowy prąd przewodzenia (IFSM): 1 A (szerokość impulsu = 1,0 s), 4 A (szerokość impulsu = 1,0 µs)
• Czas odzyskiwania wstecznego (trr): 4 ns
• Zakres temperatury złącza (TJ): -55 do +175°C
• Zakres temperatury przechowywania (TSTG): -65 do +200°C

• Obwody szybkiego przełączania
• Przetwarzanie sygnałów
• Ograniczanie napięcia
• Obwody zabezpieczające

Diody małosygnałowe, takie jak 1N4448, są fundamentalnymi komponentami w obwodach elektronicznych, używanymi głównie ze względu na ich zdolności przełączania i prostowania. Pozwalają na przepływ prądu w jednym kierunku, blokując go w przeciwnym, co czyni je niezbędnymi do kontrolowania przepływu sygnałów elektrycznych. Wybierając diodę małosygnałową, inżynierowie biorą pod uwagę parametry takie jak maksymalne powtarzalne napięcie wsteczne, prąd przewodzenia, czas odzyskiwania wstecznego i typ obudowy, aby zapewnić kompatybilność z wymaganiami aplikacji.

1N4448 jest szczególnie godna uwagi ze względu na szybki czas odzyskiwania wstecznego (reverse recovery time), co jest krytyczne w aplikacjach szybkiego przełączania, gdzie wymagane są gwałtowne przejścia między stanami przewodzenia i nieprzewodzenia. Jej kompaktowa obudowa DO-35 ułatwia integrację w szerokim zakresie obwodów, od przetwarzania sygnałów po schematy zabezpieczeń. Hermetyczne uszczelnienie diody zapewnia niezawodne działanie w różnych warunkach środowiskowych.

Oprócz specyfikacji technicznych, praktyczne względy, takie jak opcje pakowania i charakterystyka termiczna, również odgrywają rolę w doborze komponentów. Dostępność 1N4448 w opakowaniach zbiorczych oraz na taśmie i szpuli zaspokaja różne skale produkcji, a jej opór cieplny zapewnia stabilną pracę w określonych zakresach temperatur.