1N4148W-13-F: Diodo a commutazione rapida SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr max 4ns
Diodes Inc.

L'1N4148W-13-F di Diodes Inc. è un diodo a commutazione rapida a montaggio superficiale progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Questo diodo presenta una bassa caduta di tensione diretta e un tempo di recupero inverso rapido, rendendolo adatto per applicazioni ad alta frequenza. Il pacchetto SOD123 è ottimizzato per i processi di inserimento automatico, migliorando l'efficienza produttiva.

Gli attributi chiave includono una tensione ripetitiva inversa massima (VRRM) di 100V, una corrente continua diretta (IFM) di 300mA e un tempo di recupero inverso (trr) fino a 4ns. Queste specifiche rendono l'1N4148W-13-F una scelta ideale per applicazioni di commutazione generiche dove la velocità è un fattore critico.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Package: SOD123
  • Tensione inversa ripetitiva massima (VRRM): 100V
  • Corrente diretta continua (IFM): 300mA
  • Corrente di picco diretta non ripetitiva: 2A a 1µs, 1A a 1s
  • Dissipazione di potenza: 400mW
  • Resistenza termica giunzione-aria ambiente: 315°C/W
  • Intervallo di temperatura operativa e di stoccaggio: da -55 a +150°C
  • Tensione di rottura inversa: Minimo 100V
  • Tensione diretta: Fino a 1,25V a 150mA
  • Corrente inversa di picco: Fino a 50µA a 75V, 150°C
  • Capacità totale: Massimo 2pF
  • Tempo di recupero inverso: Massimo 4ns

Datasheet 1N4148W-13-F

Datasheet 1N4148W-13-F (PDF)

1N4148W-13-F Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per 1N4148W-13-F, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Circuiti di commutazione ad alta frequenza
  • Applicazioni di commutazione generiche

Categoria

Diodo

Informazioni generali

I diodi a commutazione rapida sono dispositivi a semiconduttore che consentono alla corrente di fluire in una direzione e possono interrompere il flusso di corrente rapidamente quando invertiti. Sono caratterizzati dalla loro capacità di passare dallo stato di conduzione a quello di non conduzione e viceversa in un breve lasso di tempo, tipicamente da nanosecondi a microsecondi. Questo li rende adatti per applicazioni di commutazione ad alta velocità in circuiti digitali e analogici.

Quando si seleziona un diodo a commutazione rapida, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la massima tensione inversa, la corrente diretta, la dissipazione di potenza, il tempo di recupero inverso e il tipo di package. Queste specifiche determinano l'idoneità del diodo per applicazioni specifiche, inclusi l'elaborazione del segnale, la gestione dell'alimentazione e i circuiti di protezione.

Il tempo di recupero inverso (trr) è particolarmente importante nelle applicazioni ad alta velocità, in quanto influisce sulla velocità di commutazione del diodo. Valori trr più bassi indicano capacità di commutazione più veloci. Inoltre, il tipo di package influenza la gestione termica e l'integrazione fisica del diodo nei circuiti stampati.

I diodi a commutazione rapida sono ampiamente utilizzati in una varietà di applicazioni, dall'elettronica di consumo ai sistemi automobilistici, dove è richiesta una commutazione rapida. La loro capacità di gestire in modo efficiente segnali ad alta velocità li rende componenti essenziali nei moderni design elettronici.

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