BSS138W: MOSFET Level Logika Kanal-N, SOT-323, 50V, 0.22A
onsemi

BSS138W dari onsemi adalah Transistor Efek Medan Mode Peningkatan Level Logika Saluran-N yang dirancang untuk operasi yang efisien dalam aplikasi tegangan rendah dan arus rendah. MOSFET ini memiliki paket pemasangan permukaan SOT-323 yang ringkas, sehingga cocok untuk tata letak PCB yang padat. Ini dirancang untuk meminimalkan resistansi on-state, menawarkan nilai serendah 3,5Ω pada VGS = 10V, ID = 0,22A, sehingga memastikan manajemen daya yang efisien dalam sirkuit.

Desainnya yang kokoh dan andal, dikombinasikan dengan desain sel kepadatan tinggi untuk RDS(on) yang sangat rendah, menjadikan BSS138W pilihan ideal untuk aplikasi seperti kontrol motor servo kecil, driver gerbang MOSFET daya, dan aplikasi switching lainnya. Perangkat ini beroperasi dalam tegangan drain ke source (VDSS) 50V, dan dapat menangani arus drain berkelanjutan hingga 0,21A, membuatnya serbaguna untuk berbagai desain elektronik.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain ke Source (VDSS): 50V
  • Tegangan Gate ke Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 0.21A
  • Arus Drain Pulsa: 0.84A
  • RDS(on): 3.5Ω pada VGS = 10V, ID = 0.22A
  • Disipasi Daya Maksimum: 340mW
  • Rentang Suhu Operasi: -55 hingga +150°C

Lembar Data BSS138W

BSS138W lembar data (PDF)

BSS138W Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138W, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Driver gerbang MOSFET daya
  • Aplikasi switching

Kategori

Transistor

Informasi umum

Transistor efek medan (FET), khususnya MOSFET Saluran-N, banyak digunakan dalam sirkuit elektronik karena kemampuannya untuk mengontrol aliran daya secara efisien. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas saluran, menawarkan impedansi input tinggi dan kecepatan switching cepat. MOSFET Saluran-N, seperti BSS138W, sangat berguna dalam aplikasi yang membutuhkan manajemen daya dan kontrol yang efisien dalam tapak yang ringkas.

Saat memilih MOSFET N-Channel, faktor penting yang perlu dipertimbangkan meliputi tegangan drain ke source (VDSS), tegangan gate ke source (VGSS), arus drain kontinu (ID), dan resistansi on-state drain-source statis (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya dan efisiensi yang diinginkan. Selain itu, jenis paket dan karakteristik termal sangat penting untuk memastikan komponen akan sesuai dengan batasan fisik dan termal desain.

BSS138W dirancang untuk aplikasi tegangan rendah dan arus rendah, menawarkan keseimbangan antara kinerja dan ukuran. RDS(on) yang rendah membantu mengurangi kehilangan daya, membuatnya cocok untuk aplikasi efisiensi tinggi. Paket SOT-323 yang ringkas memungkinkan tata letak PCB yang padat, memberikan fleksibilitas dalam desain.

Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET N-Channel seperti BSS138W harus didasarkan pada persyaratan spesifik aplikasi, termasuk spesifikasi listrik, ukuran fisik, dan kebutuhan manajemen termal. Memahami faktor-faktor ini akan membantu insinyur memilih komponen yang tepat untuk desain mereka, memastikan kinerja dan keandalan yang optimal.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 2/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components