BSS138W: MOSFET Tingkat Logika N-Channel, SOT-323, 50V, 0.22A
onsemi

BSS138W dari onsemi adalah Transistor Efek Medan Tingkat Logika Saluran-N yang dirancang untuk operasi efisien dalam aplikasi tegangan rendah, arus rendah. MOSFET ini memiliki paket permukaan gunung SOT-323 yang kompak, menjadikannya cocok untuk tata letak PCB yang padat. Dirancang untuk meminimalkan resistansi saat aktif, menawarkan nilai serendah 3,5Ω pada VGS = 10V, ID = 0,22A, sehingga memastikan manajemen daya yang efisien dalam sirkuit.

Desainnya yang tangguh dan andal, dikombinasikan dengan desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(on) yang sangat rendah, membuat BSS138W menjadi pilihan ideal untuk aplikasi seperti kontrol motor servo kecil, penggerak gerbang MOSFET daya, dan aplikasi pengalihan lainnya. Perangkat beroperasi dalam tegangan drain ke sumber (VDSS) 50V, dan dapat menangani arus drain kontinu hingga 0.21A, membuatnya serbaguna untuk berbagai desain elektronik.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain ke Source (VDSS): 50V
  • Tegangan Gate ke Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 0,21A
  • Arus Drain Terpulsa: 0,84A
  • RDS(on): 3,5Ω pada VGS = 10V, ID = 0,22A
  • Disipasi Daya Maksimum: 340mW
  • Rentang Suhu Operasi: -55 hingga +150°C

BSS138W Lembar Data

BSS138W datasheet (PDF)

BSS138W Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138W, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Pengemudi gerbang MOSFET daya
  • Aplikasi switching

Kategori

Transistor

Informasi Umum

Transistor efek medan (FET), khususnya MOSFET N-Channel, banyak digunakan dalam sirkuit elektronik karena kemampuannya mengontrol aliran daya secara efisien. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas sebuah kanal, menawarkan impedansi masukan tinggi dan kecepatan switching cepat. MOSFET N-Channel, seperti BSS138W, sangat berguna dalam aplikasi yang memerlukan manajemen dan kontrol daya yang efisien dalam jejak kompak.

Saat memilih MOSFET N-Channel, faktor penting yang perlu dipertimbangkan termasuk tegangan drain ke sumber (VDSS), tegangan gerbang ke sumber (VGSS), arus drain terus-menerus (ID), dan resistansi drain-sumber statis (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya dan efisiensi yang diinginkan. Selain itu, jenis paket dan karakteristik termal sangat penting untuk memastikan komponen akan sesuai dalam batasan fisik dan termal desain.

BSS138W dirancang untuk aplikasi tegangan rendah, arus rendah, menawarkan keseimbangan antara kinerja dan ukuran. RDS(on) yang rendah membantu mengurangi kerugian daya, menjadikannya cocok untuk aplikasi efisiensi tinggi. Paket SOT-323 yang kompak memungkinkan untuk tata letak PCB yang padat, memberikan fleksibilitas dalam desain.

Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET N-Channel seperti BSS138W harus didasarkan pada kebutuhan spesifik dari aplikasi, termasuk spesifikasi elektrik, ukuran fisik, dan kebutuhan manajemen termal. Memahami faktor-faktor ini akan membantu insinyur memilih komponen yang tepat untuk desain mereka, memastikan kinerja dan keandalan optimal.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components