BSS138-7-F: MOSFET Mode Penguatan N-Channel, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

BSS138-7-F adalah MOSFET N-Channel Mode Peningkatan yang dirancang untuk aplikasi manajemen daya efisiensi tinggi. Ini menampilkan resistansi on-rendah (RDS(ON)) sebesar 3,5Ω pada VGS = 10V, yang meminimalkan kehilangan daya sambil mempertahankan kinerja switching yang unggul. Komponen ini dicirikan oleh tegangan ambang gerbang rendah, kecepatan switching cepat, dan kebocoran masukan/keluaran rendah, menjadikannya cocok untuk aplikasi saklar sistem dan beban.

MOSFET ini dikemas dalam kasus SOT23 yang kecil, menawarkan solusi kompak untuk desain yang terbatas ruang. Ini sepenuhnya mematuhi RoHS dan ditunjuk sebagai perangkat "Hijau", menunjukkan bebas dari halogen dan antimon. BSS138-7-F ideal untuk insinyur yang mencari saklar yang dapat diandalkan dengan konsumsi daya rendah dan efisiensi sakelar tinggi.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 50V
  • Arus Drain (ID): 200mA
  • Resistansi On-State Drain-Source (RDS(ON)): 3.5Ω pada VGS = 10V
  • Tegangan Ambang Gerbang (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Kapasitansi Masukan (Ciss): 50pF
  • Disipasi Daya (PD): 300mW
  • Rentang Suhu Operasi: -55 hingga +150°C

BSS138-7-F Lembar Data

BSS138-7-F datasheet (PDF)

BSS138-7-F Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138-7-F, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi Sakelar Sistem/Beban
  • Manajemen daya efisiensi tinggi

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET Mode Penguatan N-Channel adalah jenis MOSFET yang dirancang untuk mengalihkan sinyal elektronik. Komponen ini banyak digunakan dalam aplikasi manajemen daya karena efisiensinya dan kemampuannya untuk menangani tingkat daya yang signifikan. MOSFET N-Channel ditandai dengan kemampuannya untuk mengalirkan arus antara drain dan sumber ketika tegangan positif diterapkan ke gerbang relatif terhadap sumber.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), dan resistansi drain-source statis (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya dan efisiensi yang dibutuhkan dalam sirkuit. Tegangan ambang gerbang (VGS(TH)) juga penting, karena mempengaruhi tegangan yang diperlukan untuk mengaktifkan perangkat.

MOSFET N-Channel digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk rangkaian catu daya, pengontrol motor, dan sebagai sakelar dalam sistem manajemen daya berkeefisienan tinggi. Resistansi on rendah dan kemampuan pengalihan cepat mereka membuatnya cocok untuk aplikasi yang memerlukan penanganan dan kontrol daya yang efisien.

Selain spesifikasi teknis, kemasan dan manajemen termal juga merupakan pertimbangan penting. Perangkat seperti BSS138-7-F, dengan kemasan SOT23 yang kompak, menawarkan solusi untuk aplikasi yang terbatas ruangnya sambil memastikan disipasi panas yang memadai untuk operasi yang dapat diandalkan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 5/10
  • Hobi: 3/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components