BSS138LT1G: MOSFET Daya N-Channel, 200mA, 50V, paket SOT-23
onsemi

BSS138LT1G dari onsemi adalah MOSFET Daya N-Channel yang dirancang untuk manajemen daya yang efisien dalam perangkat portabel dan yang ditenagai baterai. Ini beroperasi pada arus drain kontinu maksimum 200mA dan tegangan antara drain ke sumber 50V. Tegangan ambang rendah komponen (0.85V hingga 1.5V) membuatnya cocok untuk aplikasi tegangan rendah, meningkatkan kegunaannya dalam sirkuit elektronik modern.

MOSFET ini hadir dalam paket SOT-23 yang kompak, mengoptimalkan ruang papan dalam desain yang padat. Ini ditandai dengan resistansi drain-to-source statis sebesar 3.5Ω (pada VGS = 5.0V, ID = 200mA), memastikan operasi yang efisien. Perangkat ini juga menampilkan karakteristik sakelar cepat, dengan waktu tunda hidup dan mati yang biasanya sekitar 20ns, berkontribusi pada kinerjanya dalam aplikasi sakelar kecepatan tinggi.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Sumber (VDSS): 50V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 200mA
  • Arus Drain Terpulsa (IDM): 800mA
  • Resistansi Drain-ke-Sumber Statis (rDS(on)): 3.5Ω
  • Tegangan Ambang Gerbang-Sumber (VGS(th)): 0.85V hingga 1.5V
  • Disipasi Daya Total (PD): 225mW
  • Rentang Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55°C hingga 150°C
  • Resistansi Termal, Junction-to-Ambient (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G Lembar Data

BSS138LT1G datasheet (PDF)

BSS138LT1G Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138LT1G, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Konverter DC-DC
  • Manajemen daya dalam perangkat portabel
  • Produk bertenaga baterai seperti komputer, printer, kartu PCMCIA, telepon seluler dan tanpa kabel

Kategori

MOSFET

Informasi Umum

Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida (MOSFET) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka adalah komponen penting dalam rangkaian elektronik modern, menawarkan impedansi masukan tinggi dan kecepatan pengalihan cepat. MOSFET N-Channel, seperti BSS138LT1G, biasanya digunakan untuk mengalihkan sinyal elektronik dalam arah negatif (atau 'sink').

Saat memilih MOSFET untuk desain, beberapa parameter penting untuk dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-to-source (VDSS), arus drain (ID), dan resistansi drain-to-source statis (rDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dan efisiensi sirkuit. Selain itu, tegangan ambang gate-source (VGS(th)) sangat penting untuk menentukan seberapa mudah MOSFET dapat diaktifkan pada tegangan gerbang tertentu, mempengaruhi kesesuaian perangkat untuk aplikasi tegangan rendah.

MOSFET banyak digunakan dalam aplikasi mulai dari manajemen daya dan konversi hingga pengalihan sinyal. Kemampuan mereka untuk mengontrol arus dan tegangan tinggi secara efisien dengan daya masukan minimal membuat mereka sangat penting dalam perangkat elektronik modern. Pilihan paket, seperti paket SOT-23 untuk BSS138LT1G, juga memainkan peran penting dalam aplikasi, mempengaruhi faktor-faktor seperti kinerja termal dan pemanfaatan ruang papan.

Secara keseluruhan, saat memilih MOSFET, penting untuk mencocokkan spesifikasi komponen dengan kebutuhan aplikasi dengan cermat. Ini termasuk mempertimbangkan lingkungan operasi, karena suhu dan manajemen termal dapat berdampak signifikan pada kinerja dan keandalan MOSFET.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 4/10
  • Hobi: 4/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components