BSS138NL6327: Transistor Sinyal Kecil SIPMOS N-channel, 60V, 0,23A, 3,5Ω
Infineon

BSS138NL6327 adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan saluran-N yang dirancang untuk digunakan dalam aplikasi switching. Ini memiliki tegangan drain-source (VDS) 60V dan arus drain kontinu (ID) 0,23A pada 25°C, sehingga cocok untuk berbagai aplikasi berdaya rendah. Perangkat ini ditandai dengan resistansi on-state (RDS(on)) yang rendah maksimum 3,5Ω, yang meningkatkan efisiensinya dalam operasi sirkuit.

Transistor ini dioptimalkan untuk penggerak level logika, memungkinkannya digerakkan langsung oleh sirkuit logika tanpa perlu pergeseran level tambahan. Peringkat dv/dt dan kelas sensitivitas ESD 0 membuatnya tangguh untuk lingkungan yang menuntut. BSS138NL6327 juga terkenal karena kepatuhan lingkungannya, bebas Pb, sesuai RoHS, dan bebas halogen, selain memenuhi syarat menurut standar AEC Q101 untuk aplikasi otomotif.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDS): 60V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 0.23A pada 25°C
  • Arus Drain Berdenyut (ID,pulse): 0.92A
  • Resistansi On-State (RDS(on)): Maks 3.5Ω
  • Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
  • Disipasi Daya (Ptot): 0.36W pada 25°C
  • Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55 hingga 150°C
  • Karakteristik Dinamis: Kapasitansi Input (Ciss) 32-41pF, Kapasitansi Output (Coss) 7.2-9.5pF, Kapasitansi Transfer Terbalik (Crss) 2.8-3.8pF

Lembar Data BSS138NL6327

BSS138NL6327 lembar data (PDF)

BSS138NL6327 Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138NL6327, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi switching
  • Sirkuit penggerak level logika
  • Elektronik otomotif
  • Manajemen daya

Kategori

Transistor

Informasi umum

Transistor Efek Medan (FET) adalah jenis transistor yang digunakan dalam sirkuit elektronik untuk mengalihkan atau memperkuat sinyal. FET dicirikan oleh operasi yang dikendalikan tegangan, berbeda dengan Transistor Bipolar Junction (BJT) yang dikendalikan arus. Ini membuat FET sangat berguna dalam aplikasi di mana impedansi input tinggi diinginkan.

Saat memilih FET untuk aplikasi tertentu, pertimbangan penting meliputi tegangan drain-source (VDS), arus drain (ID), resistansi on-state (RDS(on)), dan tegangan gate-source (VGS). Parameter-parameter ini menentukan kemampuan FET untuk menangani daya dan efisiensinya dalam sirkuit. Selain itu, karakteristik termal dan sensitivitas ESD juga penting untuk memastikan keandalan dan umur panjang perangkat dalam berbagai kondisi operasi.

FET digunakan secara luas dalam berbagai aplikasi, dari sakelar sederhana hingga sirkuit logika kompleks dan sistem manajemen daya. Konsumsi daya yang rendah, kecepatan switching yang tinggi, dan kompatibilitas dengan sinyal level logika membuatnya sangat cocok untuk perangkat elektronik modern.

Singkatnya, ketika memilih FET, insinyur harus mempertimbangkan dengan cermat karakteristik listrik perangkat, kinerja termal, dan kesesuaian untuk aplikasi yang dimaksud. Ini memastikan kinerja optimal dan keandalan sistem elektronik.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 1/10
  • Hobi: 0/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components