BSS138NL6327: Transistor Sinyal-Kecil SIPMOS N-channel, 60V, 0.23A, 3.5Ω

Infineon

BSS138NL6327 adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang dirancang untuk digunakan dalam aplikasi sakelar. Fitur tegangan drain-sumber (VDS) 60V dan arus drain kontinu (ID) 0.23A pada 25°C, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi daya rendah. Perangkat ini dicirikan oleh resistansi on-state (RDS(on)) maksimum 3.5Ω, yang meningkatkan efisiensi dalam operasi sirkuit.

Transistor ini dioptimalkan untuk penggerak level logika, memungkinkannya untuk langsung digerakkan oleh sirkuit logika tanpa kebutuhan untuk pergeseran level tambahan. Peringkat dv/dt dan kelas sensitivitas ESD 0 membuatnya kuat untuk lingkungan yang menuntut. BSS138NL6327 juga terkenal karena kepatuhan lingkungannya, bebas Pb, sesuai RoHS, dan bebas halogen, selain memenuhi standar AEC Q101 untuk aplikasi otomotif.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60V
• Arus Drain Berkelanjutan (ID): 0.23A pada 25°C
• Arus Drain Pulsed (ID,pulse): 0.92A
• Resistansi On-State (RDS(on)): Maks 3.5Ω
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
• Disipasi Daya (Ptot): 0.36W pada 25°C
• Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55 hingga 150°C
• Karakteristik Dinamis: Kapasitansi Masukan (Ciss) 32-41pF, Kapasitansi Keluaran (Coss) 7.2-9.5pF, Kapasitansi Transfer Balik (Crss) 2.8-3.8pF

• Aplikasi sakelar
• Sirkuit penggerak tingkat logika
• Elektronik otomotif
• Manajemen daya

Transistor Efek Medan (FET) adalah jenis transistor yang digunakan dalam rangkaian elektronik untuk switching atau penguatan sinyal. FET ditandai dengan operasi yang dikontrol tegangan, berbeda dengan Transistor Persimpangan Bipolar (BJT) yang dikontrol arus. Ini membuat FET sangat berguna dalam aplikasi di mana impedansi input tinggi diinginkan.

Saat memilih FET untuk aplikasi tertentu, pertimbangan penting termasuk tegangan drain-sumber (VDS), arus drain (ID), resistansi on-state (RDS(on)), dan tegangan gerbang-sumber (VGS). Parameter-parameter ini menentukan kemampuan FET untuk menangani daya dan efisiensinya dalam rangkaian. Selain itu, karakteristik termal dan sensitivitas ESD juga kritis untuk memastikan keandalan dan umur panjang perangkat dalam berbagai kondisi operasi.

FET banyak digunakan dalam berbagai aplikasi, dari saklar sederhana hingga sirkuit logika kompleks dan sistem manajemen daya. Konsumsi daya rendah mereka, kecepatan peralihan tinggi, dan kompatibilitas dengan sinyal level logika membuat mereka sangat cocok untuk perangkat elektronik modern.

Secara kesimpulan, saat memilih FET, insinyur harus mempertimbangkan dengan cermat karakteristik listrik perangkat, kinerja termal, dan kesesuaian untuk aplikasi yang dimaksudkan. Ini memastikan kinerja dan keandalan sistem elektronik yang optimal.