: N-Kanal-MOSFET, 50V, 220mA, SOT-23

Der BSS138BKAHZGT116 ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM, der für Schaltanwendungen mit geringer Leistung entwickelt wurde. Diese Komponente fungiert als Schalter, der den Fluss elektrischer Energie in einem Stromkreis ohne bewegliche Teile steuern kann, indem er die elektrischen Eigenschaften von Silizium nutzt. Er zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, Energie effizient mit minimalen Verlusten zu verwalten, was ihn für eine Vielzahl elektronischer Schaltungen geeignet macht.

Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung (Vds) von 50V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 220mA ist er für Niederspannungsanwendungen optimiert, bei denen Energieeffizienz entscheidend ist. Das SOT-23-Gehäuse wird aufgrund seiner kompakten Größe häufig verwendet und eignet sich daher für platzbeschränkte Anwendungen. Der niedrige Einschaltwiderstand und die hohe Schaltgeschwindigkeit des BSS138BKAHZGT116 verbessern seine Leistung in Schaltanwendungen zusätzlich.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Typ: N-Kanal-MOSFET
  • Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 50V
  • Dauer-Drain-Strom (Id): 220mA
  • Gehäuse: SOT-23
  • Verlustleistung: Nicht spezifiziert
  • Gate-Schwellenspannung: Nicht spezifiziert
  • Einschaltwiderstand: Nicht spezifiziert

Datenblatt

Datenblatt (PDF)

Anwendungen

  • Schaltanwendungen mit geringer Leistung
  • Energiemanagement-Schaltungen
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Last-/Schalttreiber

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind eine Art von Transistor, der in elektronischen Schaltungen zum Schalten oder Verstärken von Signalen verwendet wird. Sie werden wegen ihrer hohen Eingangsimpedanz und ihres geringen Stromverbrauchs sehr geschätzt, was sie zu wesentlichen Komponenten im modernen Elektronikdesign macht. Insbesondere N-Kanal-MOSFETs sind so konzipiert, dass sie Strom leiten, wenn eine positive Spannung am Gate relativ zur Source angelegt wird.

Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine bestimmte Anwendung ist es wichtig, Parameter wie die maximale Drain-Source-Spannung (Vds), den kontinuierlichen Drain-Strom (Id) und den Gehäusetyp zu berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die Spannungs- und Strompegel in Ihrer Schaltung zu bewältigen. Der Einschaltwiderstand (Rds(on)) ist eine weitere entscheidende Spezifikation, da er den Leistungsverlust und die Effizienz des Geräts beeinflusst.

MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich Leistungsumwandlung, Motorsteuerung und Signalschaltung. Die Wahl eines MOSFETs hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab, wie z. B. der Betriebsspannung, der Strombelastbarkeit und den physikalischen Größenbeschränkungen. Es ist auch wichtig, das Wärmemanagement des Bauteils zu berücksichtigen, da MOSFETs während des Betriebs erhebliche Wärme erzeugen können.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass MOSFETs eine entscheidende Rolle in der modernen Elektronik spielen und eine vielseitige Lösung zur Leistungssteuerung in einer Vielzahl von Anwendungen bieten. Das Verständnis der wichtigsten Spezifikationen und deren Bezug zu den Anforderungen Ihrer Anwendung ist entscheidend für die Auswahl des richtigen MOSFETs.

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