BSS138BKAHZGT116: N-Kanal-MOSFET, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

Der BSS138BKAHZGT116 ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM, konzipiert für Anwendungen mit geringer Leistungsschaltung. Dieses Bauteil funktioniert als Schalter, der den Fluss elektrischer Energie in einem Schaltkreis ohne bewegliche Teile steuern kann, indem es die elektrischen Eigenschaften von Silizium nutzt. Es zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, Leistung effizient mit minimalen Verlusten zu verwalten, was es für eine breite Palette von elektronischen Schaltungen geeignet macht.

Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung (Vds) von 50V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 220mA ist es für Niederspannungsanwendungen optimiert, bei denen Energieeffizienz entscheidend ist. Das SOT-23-Gehäuse wird aufgrund seiner kompakten Größe weit verbreitet verwendet, was es für platzbeschränkte Anwendungen geeignet macht. Der niedrige Durchlasswiderstand und die hohe Schaltgeschwindigkeit des BSS138BKAHZGT116 verbessern weiter seine Leistung in Schaltanwendungen.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Typ: N-Kanal-MOSFET
  • Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 50V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 220mA
  • Gehäuse: SOT-23
  • Leistungsverlust: Nicht angegeben
  • Gate-Schwellenspannung: Nicht angegeben
  • Durchlasswiderstand: Nicht angegeben

BSS138BKAHZGT116 Datenblatt

BSS138BKAHZGT116 Datenblatt (PDF)

BSS138BKAHZGT116 Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für BSS138BKAHZGT116 dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Niedrigleistungsschaltanwendungen
  • Energiemanagementschaltungen
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Last-/Schaltertreiber

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine Art von Transistor, die in elektronischen Schaltungen verwendet werden, um Signale zu schalten oder zu verstärken. Sie werden wegen ihrer hohen Eingangsimpedanz und ihres geringen Stromverbrauchs geschätzt und sind wesentliche Komponenten im modernen elektronischen Design. N-Kanal-MOSFETs sind speziell dafür ausgelegt, Strom zu leiten, wenn eine positive Spannung am Gate im Verhältnis zur Source angelegt wird.

Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine spezifische Anwendung ist es wichtig, Parameter wie die maximale Drain-Source-Spannung (Vds), den kontinuierlichen Drain-Strom (Id) und den Gehäusetyp zu berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die Spannungs- und Strompegel in Ihrem Schaltkreis zu bewältigen. Der Durchlasswiderstand (Rds(on)) ist eine weitere entscheidende Spezifikation, da er den Leistungsverlust und die Effizienz des Geräts beeinflusst.

MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich Leistungsumwandlung, Motorsteuerung und Signalschaltung. Die Wahl eines MOSFET hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab, wie Betriebsspannung, Stromtragfähigkeit und physische Größenbeschränkungen. Es ist auch wichtig, das Wärmemanagement des Geräts zu berücksichtigen, da MOSFETs während des Betriebs erhebliche Wärme erzeugen können.

Zusammenfassend spielen MOSFETs eine entscheidende Rolle in der modernen Elektronik und bieten eine vielseitige Lösung für die Steuerung von Leistung in einer breiten Palette von Anwendungen. Das Verständnis der Schlüsselspezifikationen und wie sie sich auf die Anforderungen Ihrer Anwendung beziehen, ist essentiell für die Auswahl des richtigen MOSFETs.

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