Der BS170 ist ein N-Kanal-MOSFET, der mit der proprietären Hochzellendichte-DMOS-Technologie von onsemi hergestellt wird. Diese Komponente ist darauf ausgelegt, einen niedrigen Einschaltwiderstand zu bieten und gleichzeitig robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistungen zu gewährleisten. Sie ist in der Lage, bis zu 500 mA kontinuierlichen Drainstrom zu handhaben, was sie für eine breite Palette von Anwendungen geeignet macht, insbesondere solche, die niedrige Spannungen und niedrigen Strom benötigen. Beispiele hierfür sind kleine Servomotorsteuerungen, Power-MOSFET-Gatetreiber und verschiedene Schaltanwendungen.
Durch ein hochdichtes Zellendesign bietet der BS170 einen niedrigen RDS(ON), was für Anwendungen, die eine effiziente Energieverwaltung erfordern, vorteilhaft ist. Seine hohe Sättigungsstromfähigkeit und die Funktion als spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter machen ihn zu einer vielseitigen Wahl für Designer. Zusätzlich wird der BS170 als robust und zuverlässig charakterisiert, mit hoher Sättigungsstromfähigkeit, was ihn zu einer soliden Wahl für anspruchsvolle Umgebungen macht.
Transistor
Feldeffekttransistoren (FETs) wie der BS170 sind Halbleiterbauelemente, die in der Elektronik weit verbreitet sind, um Signale zu schalten und zu verstärken. Der N-Kanal-MOSFET, eine Art von FET, ist darauf ausgelegt, Strom zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen zu leiten, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird. Dies macht N-Kanal-MOSFETs ideal für Anwendungen mit hocheffizientem Schalten.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDSS), Gate-Source-Spannung (VGSS), Drain-Strom und statischen Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die Spannungen und Ströme in einer gegebenen Anwendung zu handhaben, sowie seine Effizienz und thermische Leistung.
Der BS170, mit seinem niedrigen RDS(ON) und hohen Sättigungsstromvermögen, eignet sich besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung und niedrigem Strom. Sein robustes und zuverlässiges Design gewährleistet eine stabile Leistung unter verschiedenen Bedingungen. Ingenieure sollten auch die thermischen Eigenschaften des MOSFETs berücksichtigen, einschließlich der maximalen Leistungsabgabe und des thermischen Widerstands, um einen zuverlässigen Betrieb im angegebenen Temperaturbereich sicherzustellen.
Zusammenfassend bietet der BS170 N-Kanal-MOSFET eine Balance aus Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz, was ihn zu einer attraktiven Option für eine Vielzahl von Anwendungen macht. Seine Auswahl sollte auf einer gründlichen Bewertung der elektrischen und thermischen Anforderungen der Anwendung basieren.