1N5819HW-7-F: 1,0A Oberflächenmontierter Schottky-Barrieren-Gleichrichter, 40V, 450mV max VF
Diodes Inc.

Die 1N5819HW-7-F ist eine Schottky-Barrieren-Gleichrichterdiode für Oberflächenmontageanwendungen. Sie verfügt über eine Spitzenwiederholsperrspannung (VRRM) von 40V und einen durchschnittlichen gleichgerichteten Ausgangsstrom (IO) von 1,0A. Das Bauteil bietet einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall (VF) von maximal 450mV, was zu seiner hohen Effizienz und geringen Leistungsverlust beiträgt. Der Schottky-Gleichrichter weist auch einen niedrigen Rückwärtsleckstrom (IR) von maximal 50µA auf, was seine Leistung in Hochtemperaturumgebungen verbessert.

Die Konstruktion mit Schutzring-Diode bietet transienten Schutz und gewährleistet Zuverlässigkeit und Stabilität unter transienten Bedingungen. Der Gleichrichter ist in einem SOD123-Gehäuse eingekapselt, das für seine kompakte Größe und Haltbarkeit bekannt ist. Das Gehäusematerial ist geformtes Plastik mit einer UL-Entflammbarkeitsklassifizierung von 94V-0, was seine Eignung für den Einsatz in sicherheitskritischen Anwendungen anzeigt.

Hohe Stoßfestigkeit, hohe Stromtragfähigkeit und niedriger Vorwärtsspannungsabfall machen dieses Gerät ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Niederspannungs-, Hochfrequenzumrichtern, Freilauf und Polaritätsschutz.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Spitzenwiederholsperrspannung (VRRM): 40V
  • Durchschnittlicher gleichgerichteter Ausgangsstrom (IO): 1,0A
  • Maximale Vorwärtsspannung (VF): 450mV
  • Maximaler Sperrstrom (IR): 50µA
  • Gehäuse: SOD123
  • Betriebstemperaturbereich: -65 bis +150°C

1N5819HW-7-F Datenblatt

1N5819HW-7-F Datenblatt (PDF)

1N5819HW-7-F Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für 1N5819HW-7-F dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Niederspannungs-Hochfrequenz-Inverter
  • Freilauf
  • Polaritätsschutz

Kategorie

Diode

Allgemeine Informationen

Schottky-Barrieren-Gleichrichter sind Halbleiterdioden, die mit einem Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines p-n-Übergangs, der bei Standarddioden üblich ist, konstruiert sind. Diese einzigartige Konstruktion ermöglicht Schottky-Dioden, sehr niedrige Vorwärtsspannungsabfälle und schnelle Schaltfähigkeiten zu haben, was sie hoch effizient für Anwendungen macht, die Gleichrichtung, Spannungsbegrenzung und Schutz gegen Verpolung erfordern.

Bei der Auswahl eines Schottky-Barrierengleichrichters sollten Ingenieure Parameter wie die Spitzenwiederholsperrspannung, den durchschnittlichen gleichgerichteten Ausgangsstrom, den Vorwärtsspannungsabfall und den Rückwärtsleckstrom berücksichtigen. Diese Parameter sind entscheidend, um sicherzustellen, dass die Diode den Leistungs-, Effizienz- und thermischen Anforderungen der Anwendung entspricht.

Schottky-Dioden werden häufig in Stromversorgungsschaltungen, Spannungsreglern und DC-DC-Wandlern aufgrund ihrer Effizienz und schnellen Reaktion eingesetzt. Sie werden auch in Hochfrequenzanwendungen wie RF-Mischern und Detektoren verwendet, wo ihr niedriger Durchlassspannungsabfall und ihre schnellen Schaltgeschwindigkeiten von Vorteil sind.

Neben den technischen Spezifikationen sind auch der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften wichtige Überlegungen. Das Gehäuse muss die Anforderungen an die Wärmeabfuhr der Anwendung unterstützen, und der Betriebstemperaturbereich der Diode sollte mit den Umweltbedingungen übereinstimmen, in denen das Gerät verwendet wird.

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