2N7002LT3G er en N-kanal MOSFET fra onsemi, designet til småsignalsapplikationer og indkapslet i en kompakt SOT-23 pakke. Denne komponent tilbyder en dræn-kilde-spænding (VDSS) på 60V og en maksimal drænstrøm (ID) på 115mA, hvilket gør den velegnet til en række lavstrømsapplikationer. Den er kendetegnet ved sin lave tilstandsmotstand og højhastighedsskiftekapaciteter. Enheden er AEC-Q101 kvalificeret, hvilket gør den velegnet til bilapplikationer, og den er også blyfri, halogenfri/BFR-fri og RoHS-kompatibel, hvilket afspejler onsemi's engagement i miljømæssig bæredygtighed.
MOSFET'en har en maksimal RDS(on) på 7.5Ω ved 10V, hvilket indikerer dens effektivitet i at lede strøm med minimalt krafttab. Den understøtter også en pulseret drain-strøm (IDM) på op til 800mA, hvilket tillader midlertidige højere strømoperationer. Enhedens termiske karakteristika sikrer pålidelig drift, med en maksimal junction temperatur på 150°C. Dens dynamiske karakteristika inkluderer en input kapacitans (Ciss) på 50pF, hvilket gør den responsiv i højhastighedsskifteapplikationer.
MOSFET
MOSFET'er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en type transistor, der anvendes til forstærkning eller skift af elektroniske signaler. De er kendetegnet ved deres gate, drain og source terminaler. N-kanal MOSFET'er, såsom 2N7002LT3G, leder strøm, når en positiv spænding påføres gaten i forhold til sourcen, hvilket gør dem egnede til en række skifteapplikationer.
Når man vælger en MOSFET til en specifik applikation, overvejer ingeniører parametre såsom drain-source spænding (VDSS), drain-strøm (ID), gate-source spænding (VGS) og statisk drain-source on-state modstand (RDS(on)). Disse parametre bestemmer MOSFET'ens evne til at håndtere spænding og strøm, dens effektivitet og egnethed til højhastighedsskiftapplikationer. Termiske karakteristika er også vigtige, da de påvirker enhedens pålidelighed og levetid under forskellige driftsbetingelser.
MOSFET'er anvendes bredt i strømstyringskredsløb, motorsystemer og i omskiftningen af belastninger i forskellige elektroniske enheder. Deres evne til hurtigt at skifte og med høj effektivitet gør dem værdifulde i at reducere strømforbruget og varmegenereringen i elektroniske systemer. Desuden afhænger valget mellem N-kanal og P-kanal MOSFET'er af de specifikke krav til kredsløbet, herunder strømningsretningen og typen af belastning, der drives.
Generelt involverer valget af en MOSFET en omhyggelig analyse af dens elektriske karakteristika, termiske ydeevne og de specifikke krav fra applikationen. Pålidelighed, effektivitet og overholdelse af miljøstandarder er også nøgleovervejelser i udvælgelsesprocessen.