2N7002LT3G er en N-kanal MOSFET fra onsemi, designet til småsignalapplikationer og indkapslet i en kompakt SOT-23 pakke. Denne komponent tilbyder en drain-source spænding (VDSS) på 60V og en maksimal drain-strøm (ID) på 115mA, hvilket gør den velegnet til en række laveffektapplikationer. Den er kendetegnet ved sin lave on-state modstand og højhastigheds skifteevner. Enheden er AEC-Q101 kvalificeret, hvilket gør den velegnet til bilapplikationer, og den er også Pb-fri, halogenfri/BFR-fri og RoHS-kompatibel, hvilket afspejler onsemis engagement i miljømæssig bæredygtighed.
MOSFET'en har en maksimal RDS(on) på 7.5Ω ved 10V, hvilket indikerer dens effektivitet i at lede strøm med minimalt effekttab. Den understøtter også en pulseret drain-strøm (IDM) på op til 800mA, hvilket tillader transiente operationer med højere strøm. Enhedens termiske egenskaber sikrer pålidelig drift med en maksimal junction-temperatur på 150°C. Dens dynamiske egenskaber inkluderer en indgangskapacitans (Ciss) på 50pF, hvilket gør den responsiv i højhastigheds-switching-applikationer.
MOSFET
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en type transistor, der bruges til at forstærke eller skifte elektroniske signaler. De er kendetegnet ved deres gate-, drain- og source-terminaler. N-Kanal MOSFETs, såsom 2N7002LT3G, leder strøm, når en positiv spænding påføres gaten i forhold til sourcen, hvilket gør dem velegnede til en række switching-applikationer.
Når man vælger en MOSFET til en specifik applikation, overvejer ingeniører parametre såsom drain-source spænding (VDSS), drain-strøm (ID), gate-source spænding (VGS) og statisk drain-source on-state modstand (RDS(on)). Disse parametre bestemmer MOSFET'ens evne til at håndtere spænding og strøm, dens effektivitet og dens egnethed til højhastigheds-switching-applikationer. Termiske egenskaber er også vigtige, da de påvirker enhedens pålidelighed og levetid under forskellige driftsforhold.
MOSFET'er bruges i vid udstrækning i strømstyringskredsløb, motorstyringssystemer og til omskiftning af belastninger i forskellige elektroniske enheder. Deres evne til at skifte hurtigt og med høj effektivitet gør dem værdifulde til at reducere strømforbrug og varmeudvikling i elektroniske systemer. Derudover afhænger valget mellem N-kanal og P-kanal MOSFET'er af de specifikke krav til kredsløbet, herunder strømretningen og typen af belastning, der skal drives.
Samlet set involverer valget af en MOSFET en omhyggelig analyse af dens elektriske egenskaber, termiske ydeevne og de specifikke krav til applikationen. Pålidelighed, effektivitet og overholdelse af miljøstandarder er også nøgleovervejelser i udvælgelsesprocessen.