2N7002-T1-E3: N-kanal 60-V (D-S) MOSFET, VGS(th) 1-2,5V, ID 0,115A
Vishay

2N7002-T1-E3 er en N-kanal MOSFET produceret af Vishay, designet til effektiv strømstyring og højhastighedsskiftning. Denne komponent er kendetegnet ved sin evne til at håndtere en dræn-kilde spænding (VDS) på op til 60V, med en gate-kilde tærskelspænding (VGS(th)) på 1 til 2,5V. Den maksimale kontinuerlige drænstrøm (ID) den kan understøtte er 0,115A, hvilket gør den velegnet til anvendelser med lav til moderat strøm.

Nøglefunktionerne ved 2N7002-T1-E3 inkluderer dens lave on-modstand og hurtige skiftehastighed, hvilket bidrager til reduceret strømtab og forbedret effektivitet i elektroniske kredsløb. Enheden er pakket i et kompakt SOT-23 format, der tilbyder en balance mellem ydeevne og størrelse, hvilket gør den ideel til pladsbegrænsede applikationer. Dens robuste design sikrer pålidelighed og lang levetid, selv under udfordrende driftsbetingelser.

Nøglespecifikationer og Funktioner

  • Dræn-kilde spænding (VDS): 60V
  • Port-kilde tærskelspænding (VGS(th)): 1 til 2.5V
  • Kontinuerlig drænstrøm (ID): 0.115A
  • Modstand ved tænding (rDS(on)): 7.5 Ohm ved VGS = 10V
  • Indgangskapacitans (Ciss): 22pF
  • Skiftehastighed: 7ns
  • Driftstemperaturområde: -55 til 150°C

2N7002-T1-E3 Datablad

2N7002-T1-E3 datablad (PDF)

2N7002-T1-E3 Substitutter
Ækvivalente alternative komponenter, der kan fungere som erstatning for 2N7002-T1-E3, mest populære komponenter først

Applikationer

  • Applikationer med højhastighedsskiftning
  • Strømstyringskredsløb
  • Batteridrevne systemer
  • Drivere til relæer, solenoider, lamper og transistorer

Kategori

Transistor

Generel information

N-kanal MOSFET'er er en type felteffekttransistor (FET), der er bredt anvendt i elektroniske kredsløb til at skifte og forstærke signaler. De fungerer ved at anvende et elektrisk felt til at styre ledningsevnen af en kanal, hvilket muliggør effektiv strømstyring og hurtig skiftning. Betegnelsen 'N-kanal' refererer til typen af ladningsbærer (elektroner), der strømmer gennem enheden.

Når man vælger en N-kanal MOSFET, overvejer ingeniører flere nøgleparametre, herunder dræn-kilde spænding (VDS), gate-kilde tærskelspænding (VGS(th)), og kontinuerlig drænstrøm (ID). Disse parametre bestemmer MOSFET'ens egnethed til specifikke applikationer, fra strømomdannelse til signalforstærkning.

Fordele ved at bruge N-kanal MOSFET'er inkluderer deres høje effektivitet, hurtige skiftehastighed og lave on-modstand, hvilket bidrager til reduceret strømtab og varmegenerering. Det er dog vigtigt at sikre, at MOSFET'ens specifikationer matcher kravene til den tilsigtede applikation, herunder driftsspænding, strømkapacitet og skiftefrekvens.

Udover elektriske specifikationer er emballage og termisk styring også vigtige overvejelser. Pakketype påvirker MOSFET'ens termiske modstand og dermed dens evne til at afgive varme. Korrekt termisk styring er afgørende for at opretholde enhedens ydelse og pålidelighed over tid.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Forretning: 3/10
  • Hobby: 2/10

Elektronisk Komponent Database

Popular electronic components