2N7002K-7: N-kanal Enhancement Mode MOSFET, 60V, 380mA, SOT23
Diodes Inc.

2N7002K-7 fra Diodes Inc. er en N-kanal Enhancement Mode MOSFET designet til effektiv strømstyring og motorstyringsapplikationer. Den kommer i en kompakt SOT23 pakke, hvilket gør den velegnet til PCB-layouts med høj tæthed. Denne MOSFET er kendetegnet ved sin lave on-state modstand (RDS(ON)) og hurtige switching-evner, som er afgørende for at minimere effekttab og forbedre den samlede systemeffektivitet.

Med en maksimal drain-source spænding (VDSS) på 60V og en kontinuerlig drain-strøm (ID) kapacitet på op til 380mA ved 25°C, er 2N7002K-7 velegnet til en bred vifte af applikationer. Den har også lave input- og output-lækstrømme, hvilket sikrer minimalt strømspild, når den er i slukket tilstand. Enheden er ESD-beskyttet op til 2kV, hvilket giver ekstra pålidelighed og robusthed i barske miljøer.

Nøglespecifikationer og funktioner

  • Drain-Source Spænding (VDSS): 60V
  • Kontinuerlig Drain-strøm (ID): 380mA ved 25°C
  • Statisk Drain-Source On-Modstand (RDS(ON)): 2Ω ved VGS = 10V
  • Gate-Source Spænding (VGSS): ±20V
  • Maksimalt effekttab (PD): 370mW
  • Driftstemperaturområde: -55 til +150°C
  • Pakke: SOT23

2N7002K-7 Datablad

2N7002K-7 datablad (PDF)

2N7002K-7 Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter, der kan fungere som erstatning for 2N7002K-7, mest populære komponenter først

Applikationer

  • Motorstyring
  • Strømstyringsfunktioner
  • Baggrundsbelysning

Kategori

MOSFET

Generel information

N-kanal Enhancement Mode MOSFET'er er halvlederenheder, der i vid udstrækning bruges i elektroniske kredsløb til switching- og forstærkningsformål. Disse komponenter fungerer ved at bruge et elektrisk felt til at styre ledningsevnen af en kanal i et halvledermateriale, hvilket tillader eller blokerer strømmen.

Når man vælger en N-kanal MOSFET, bør ingeniører overveje flere nøgleparametre såsom drain-source spænding (VDSS), kontinuerlig drain-strøm (ID) og statisk drain-source on-modstand (RDS(ON)). Disse parametre bestemmer MOSFET'ens evne til at håndtere spændings- og strømniveauerne i en given applikation samt dens effektivitet og termiske ydeevne.

Derudover er skiftehastighed, indgangskapacitans og indpakning også vigtige faktorer. Hurtige skiftehastigheder er ønskelige for at reducere skiftetab, mens lav indgangskapacitans hjælper med at opnå højere driftsfrekvenser. Pakketypen påvirker den termiske styring og den fysiske integration af MOSFET'en i kredsløbet.

N-kanal MOSFETs bruges almindeligvis i strømforsyningskredsløb, motorstyringsapplikationer og som omskiftningselementer i forskellige elektroniske enheder. Deres evne til effektivt at styre høje strømme og spændinger, mens effekttab minimeres, gør dem til essentielle komponenter i moderne elektronisk design.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Virksomhed: 4/10
  • Hobby: 2/10

Elektronisk komponentdatabase

Popular electronic components