BSS138LT3G från onsemi är en N-kanals MOSFET som fungerar vid maximalt 200 mA och 50 V, inkapslad i ett kompakt SOT-23-paket. Denna komponent är utformad för att hantera låga till måttliga kraftkrav i elektroniska kretsar, vilket gör den lämplig för ett brett spektrum av applikationer.
Nyckelfunktioner inkluderar en låg tröskelspänning (VGS(th)) som varierar från 0,85 V till 1,5 V, vilket möjliggör effektiv drift i lågspänningsscenarier. Dessutom kännetecknas enheten av dess låga statiska dränera-till-källa-motstånd (RDS(on)) på 3,5 Ω när VGS är 5,0 V och ID är 200 mA, vilket bidrar till dess effektivitet i att leda ström. BSS138LT3G är också anmärkningsvärd för sin robusthet, med ett maximalt drifts- och lagringstemperaturområde från -55 till 150 °C, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda över olika miljöförhållanden.
Transistor
N-kanals MOSFET är en typ av fälteffekttransistor (FET) som är mycket använd i elektroniska kretsar för switchning och förstärkningsändamål. Dessa komponenter kännetecknas av deras förmåga att kontrollera högt strömflöde med hjälp av relativt låg spänning, vilket gör dem nödvändiga i kraftstyrning och signalbehandlingsapplikationer.
När man väljer en N-kanals MOSFET bör ingenjörer överväga parametrar som dräner-till-källspänning (VDSS), grind-till-källspänning (VGS), dränerström (ID) och statiskt dräner-till-källa på-tillståndsmotstånd (RDS(on)). Dessa parametrar avgör MOSFET:ens förmåga att hantera spänning och ström i specifika tillämpningar, samt dess effektivitet och värmeavledningsegenskaper.
En annan viktig övervägning är tröskelspänningen (VGS(th)), som indikerar den minsta gate-till-source-spänningen som krävs för att slå på enheten. En lägre tröskelspänning kan vara fördelaktig i lågspänningsapplikationer, där effektivitet är kritisk.
Förpackningstyp spelar också en avgörande roll, särskilt i utrymmesbegränsade konstruktioner. SOT-23-paketet för BSS138LT3G erbjuder en balans mellan kompakthet och termisk prestanda, vilket gör det lämpligt för en mängd applikationer, inklusive bärbara och batteridrivna enheter.