BAT54C-7-F: Díodo de Barreira Schottky SMT, 200mA, 30V, SOT-23
Diodes Inc.

O BAT54C-7-F da Diodes Inc. é um Diodo de Barreira Schottky de montagem em superfície encapsulado em um pacote SOT-23. Ele é projetado para fornecer uma baixa tensão de ativação e capacidades de comutação rápida, tornando-o adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. O diodo possui um Anel de Guarda de Junção PN para proteção aprimorada contra transientes e Descarga Eletrostática (ESD), garantindo confiabilidade sob condições de estresse. Sua construção adere à conformidade RoHS, tornando-o uma escolha ecologicamente correta para projetos eletrônicos.

Este diodo Schottky é capaz de lidar com uma corrente de saída retificada média de 200mA e suporta uma tensão reversa repetitiva de pico de 30V. É caracterizado por uma tensão direta máxima de 0,8V e uma corrente de fuga reversa de 2μA, otimizando o desempenho em condições de polarização direta e reversa. O BAT54C-7-F é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo gerenciamento de energia, proteção de circuitos e demodulação de sinal.

Principais Especificações e Recursos

  • Pacote: SOT-23 (Padrão)
  • Corrente Média Retificada de Saída (IO): 200mA
  • Tensão Reversa de Pico Repetitivo (VRRM): 30V
  • Tensão Direta (VFmax): 0.8V
  • Corrente de Fuga Reversa (IRmax): 2μA
  • Anel de Guarda de Junção PN para proteção contra transientes e ESD
  • Faixa de Temperatura de Operação: -65 a +150°C

Datasheet BAT54C-7-F

Datasheet BAT54C-7-F (PDF)

Substitutos de BAT54C-7-F
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para BAT54C-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de gerenciamento de energia
  • Aplicações de comutação de alta velocidade
  • Proteção de circuitos
  • Demodulação de sinal

Categoria

Diodo

Informação geral

Os Díodos de Barreira Schottky são um tipo de díodo semicondutor com uma baixa queda de tensão direta e uma ação de comutação muito rápida. Ao contrário dos díodos de junção p-n regulares, os díodos Schottky são construídos a partir de um contacto metal-semicondutor, o que resulta nas suas características elétricas únicas. A baixa queda de tensão direta torna-os altamente eficientes para aplicações que requerem comutação rápida e baixa perda de potência. São comummente utilizados em circuitos de fonte de alimentação, aplicações de fixação de tensão e para prevenir o fluxo de corrente inversa.

Ao selecionar um diodo Schottky, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão reversa repetitiva máxima, classificação de corrente direta, queda de tensão direta e a corrente de fuga reversa. O tipo de pacote e as características térmicas também são importantes para garantir que o diodo possa ser integrado adequadamente ao projeto e opere de forma confiável nas condições pretendidas. Diodos Schottky estão disponíveis em várias configurações, incluindo formatos simples, duplos e de matriz, para atender a diferentes requisitos de circuito.

A série BAT54, incluindo o BAT54C-7-F, oferece recursos adicionais como proteção ESD e um Anel de Guarda de Junção PN, aumentando a robustez do diodo contra picos de tensão transientes e descargas eletrostáticas. Esses recursos tornam a série BAT54 adequada para aplicações automotivas e industriais onde a confiabilidade sob condições adversas é fundamental.

Em resumo, os Diodos de Barreira Schottky são componentes essenciais em projetos eletrônicos modernos, fornecendo capacidades de comutação eficientes e rápidas. O BAT54C-7-F é um exemplo notável, oferecendo baixa tensão de ativação, comutação rápida e recursos de proteção aprimorados em um pacote compacto SOT-23, tornando-o uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações.

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