BAT54C-7-F: Diodo de Barreira Schottky SMT, 200mA, 30V, SOT-23
Diodes Inc.

O BAT54C-7-F da Diodes Inc. é um Diodo de Barreira Schottky de montagem em superfície encapsulado em um pacote SOT-23. Ele é projetado para fornecer uma baixa tensão de ativação e capacidades de comutação rápida, tornando-o adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. O diodo apresenta um Anel de Proteção de Junção PN para proteção aprimorada contra transientes e Descarga Eletrostática (ESD), garantindo confiabilidade sob condições de estresse. Sua construção atende à conformidade RoHS, tornando-o uma escolha ambientalmente amigável para designs eletrônicos.

Este diodo Schottky é capaz de lidar com uma corrente de saída retificada média de 200mA e suporta uma tensão reversa de pico repetitiva de 30V. Ele é caracterizado por uma tensão direta máxima de 0.8V e uma corrente de fuga reversa de 2μA, otimizando o desempenho em condições de polarização direta e reversa. O BAT54C-7-F é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo gerenciamento de energia, proteção de circuitos e demodulação de sinais.

Especificações e Características Chave

  • Pacote: SOT-23 (Padrão)\n- Corrente de Saída Retificada Média (IO): 200mA\n- Tensão Reversa de Pico Repetitiva (VRRM): 30V\n- Tensão Direta (VFmax): 0.8V\n- Corrente de Fuga Reversa (IRmax): 2μA\n- Anel de Proteção de Junção PN para proteção contra transientes e ESD\n- Faixa de Temperatura de Operação: -65 a +150°C

Ficha Técnica de BAT54C-7-F

BAT54C-7-F folha de dados (PDF)

BAT54C-7-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BAT54C-7-F, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de gerenciamento de energia\n- Aplicações de comutação de alta velocidade\n- Proteção de circuitos\n- Demodulação de sinais

Categoria

Diodo

Informações gerais

Os Diodos de Barreira Schottky são um tipo de diodo semicondutor com uma baixa queda de tensão direta e uma ação de comutação muito rápida. Ao contrário dos diodos de junção p-n regulares, os diodos Schottky são construídos a partir de um contato metal-semicondutor, o que resulta em suas características elétricas únicas. A baixa queda de tensão direta os torna altamente eficientes para aplicações que exigem comutação rápida e baixa perda de energia. Eles são comumente usados em circuitos de fontes de alimentação, aplicações de clampeamento de tensão e para prevenir o fluxo de corrente reversa.

Ao selecionar um diodo Schottky, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão reversa repetitiva máxima, classificação de corrente direta, queda de tensão direta e a corrente de fuga reversa. O tipo de pacote e as características térmicas também são importantes para garantir que o diodo possa ser integrado adequadamente ao design e operará de forma confiável nas condições pretendidas. Os diodos Schottky estão disponíveis em várias configurações, incluindo formatos simples, duplos e arrays, para atender a diferentes requisitos de circuito.

A série BAT54, incluindo o BAT54C-7-F, oferece recursos adicionais, como proteção ESD e um Anel de Proteção de Junção PN, aprimorando a robustez do diodo contra picos de tensão transitória e descargas eletrostáticas. Esses recursos tornam a série BAT54 adequada para aplicações automotivas e industriais, onde a confiabilidade em condições adversas é primordial.

Em resumo, os Diodos de Barreira Schottky são componentes essenciais em designs eletrônicos modernos, fornecendo capacidades eficientes e rápidas de comutação. O BAT54C-7-F é um exemplo notável, oferecendo baixa tensão de ativação, comutação rápida e recursos de proteção aprimorados em um encapsulamento compacto SOT-23, tornando-o uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações.

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