1N4148W-13-F: Diodo de Comutação Rápida SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr máx 4ns
Diodes Inc.

O 1N4148W-13-F da Diodes Inc. é um diodo de comutação rápida de montagem em superfície projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Este diodo apresenta uma queda de tensão direta baixa e um tempo de recuperação reversa rápido, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência. O pacote SOD123 é otimizado para processos de inserção automatizados, aumentando a eficiência da produção.

Atributos chave incluem uma tensão reversa repetitiva máxima (VRRM) de 100V, uma corrente contínua para frente (IFM) de 300mA e um tempo de recuperação reversa (trr) de até 4ns. Essas especificações tornam o 1N4148W-13-F uma escolha ideal para aplicações de comutação de propósito geral onde a velocidade é um fator crítico.

Especificações e Características Chave

  • Embalagem: SOD123
  • Tensão Reversa Repetitiva Máxima (VRRM): 100V
  • Corrente Contínua para Frente (IFM): 300mA
  • Corrente de Pico para Frente Não Repetitiva: 2A a 1µs, 1A a 1s
  • Dissipação de Potência: 400mW
  • Resistência Térmica Junção ao Ar Ambiente: 315°C/W
  • Faixa de Temperatura Operacional e de Armazenamento: -55 a +150°C
  • Tensão de Ruptura Reversa: Mínimo 100V
  • Tensão para Frente: Até 1.25V a 150mA
  • Corrente Reversa de Pico: Até 50µA a 75V, 150°C
  • Capacitância Total: Máximo 2pF
  • Tempo de Recuperação Reversa: Máximo 4ns

Ficha Técnica de 1N4148W-13-F

1N4148W-13-F folha de dados (PDF)

1N4148W-13-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 1N4148W-13-F, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de comutação de alta frequência
  • Aplicações de comutação de uso geral

Categoria

Diodo

Informações gerais

Diodos de comutação rápida são dispositivos semicondutores que permitem a passagem de corrente em uma direção e podem desligar o fluxo de corrente rapidamente quando invertidos. Eles são caracterizados pela sua capacidade de alternar do estado de condução para o estado de não condução e vice-versa em um curto período de tempo, tipicamente de nanossegundos a microssegundos. Isso os torna adequados para aplicações de comutação de alta velocidade em circuitos digitais e analógicos.

Ao selecionar um diodo de comutação rápida, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão reversa máxima, corrente para frente, dissipação de potência, tempo de recuperação reversa e tipo de pacote. Essas especificações determinam a adequação do diodo para aplicações específicas, incluindo processamento de sinal, gerenciamento de potência e circuitos de proteção.

O tempo de recuperação reversa (trr) é particularmente importante em aplicações de alta velocidade, pois afeta a velocidade de comutação do diodo. Valores mais baixos de trr indicam capacidades de comutação mais rápidas. Além disso, o tipo de pacote influencia o gerenciamento térmico e a integração física do diodo em placas de circuito.

Diodos de comutação rápida são amplamente utilizados em uma variedade de aplicações, de eletrônicos de consumo a sistemas automotivos, onde a comutação rápida é necessária. Sua capacidade de gerenciar eficientemente sinais de alta velocidade os torna componentes essenciais em designs eletrônicos modernos.

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