1N4148W-13-F: Diodo de Comutação Rápida SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr máx 4ns
Diodes Inc.

O 1N4148W-13-F da Diodes Inc. é um díodo de comutação rápida de montagem em superfície, concebido para aplicações de comutação de alta velocidade. Este díodo apresenta uma baixa queda de tensão direta e um tempo de recuperação inversa rápido, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência. O encapsulamento SOD123 é otimizado para processos de inserção automatizada, aumentando a eficiência da produção.

Os principais atributos incluem uma tensão repetitiva reversa máxima (VRRM) de 100V, uma corrente contínua direta (IFM) de 300mA e um tempo de recuperação reversa (trr) de até 4ns. Essas especificações tornam o 1N4148W-13-F uma escolha ideal para aplicações de comutação de uso geral onde a velocidade é um fator crítico.

Principais Especificações e Recursos

  • Pacote: SOD123
  • Tensão Repetitiva Reversa Máxima (VRRM): 100V
  • Corrente Contínua Direta (IFM): 300mA
  • Corrente de Surto Direta de Pico Não Repetitiva: 2A a 1µs, 1A a 1s
  • Dissipação de Potência: 400mW
  • Resistência Térmica Junção para Ar Ambiente: 315°C/W
  • Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento: -55 a +150°C
  • Tensão de Ruptura Reversa: Mínimo 100V
  • Tensão Direta: Até 1,25V a 150mA
  • Corrente Reversa de Pico: Até 50µA a 75V, 150°C
  • Capacitância Total: Máximo 2pF
  • Tempo de Recuperação Reversa: Máximo 4ns

Datasheet 1N4148W-13-F

Datasheet 1N4148W-13-F (PDF)

Substitutos de 1N4148W-13-F
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para 1N4148W-13-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de comutação de alta frequência
  • Aplicações de comutação de uso geral

Categoria

Diodo

Informação geral

Diodos de comutação rápida são dispositivos semicondutores que permitem que a corrente flua em uma direção e podem desligar o fluxo de corrente rapidamente quando invertidos. Eles são caracterizados por sua capacidade de mudar do estado condutor para o não condutor e vice-versa em um curto período de tempo, tipicamente nanossegundos a microssegundos. Isso os torna adequados para aplicações de comutação de alta velocidade em circuitos digitais e analógicos.

Ao selecionar um diodo de comutação rápida, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão reversa máxima, corrente direta, dissipação de potência, tempo de recuperação reversa e tipo de encapsulamento. Essas especificações determinam a adequação do diodo para aplicações específicas, incluindo processamento de sinais, gerenciamento de energia e circuitos de proteção.

O tempo de recuperação reversa (trr) é particularmente importante em aplicações de alta velocidade, pois afeta a velocidade de comutação do diodo. Valores de trr mais baixos indicam capacidades de comutação mais rápidas. Além disso, o tipo de encapsulamento influencia o gerenciamento térmico e a integração física do diodo nas placas de circuito.

Diodos de comutação rápida são amplamente utilizados em uma variedade de aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas automotivos, onde a comutação rápida é necessária. Sua capacidade de gerenciar eficientemente sinais de alta velocidade os torna componentes essenciais em designs eletrônicos modernos.

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