BAT54-7-F: Diodo de Barreira Schottky SMT, 200mA, 30V, encapsulamento SOT23
Diodes Inc.

O BAT54-7-F é um Diodo de Barreira Schottky de montagem em superfície projetado para alta eficiência e aplicações de comutação rápida. Embalado em um formato compacto SOT23, oferece uma baixa tensão de ativação e é capaz de lidar com uma corrente de saída retificada média de 200mA e uma tensão reversa repetitiva de pico de 30V. Este diodo é projetado com um Anel de Guarda de Junção PN, fornecendo proteção aprimorada contra eventos transitórios e de descarga eletrostática (ESD), garantindo assim confiabilidade em aplicações sensíveis.

Além de seu desempenho elétrico, o BAT54-7-F é caracterizado por sua conformidade ambiental e de qualidade. É totalmente livre de chumbo, compatível com RoHS e classificado como um dispositivo “Verde”, o que significa que é livre de halogênio e antimônio. Além disso, atende aos padrões JEDEC para alta confiabilidade e é adequado para aplicações automotivas, com uma versão compatível com automotivo disponível sob uma folha de dados separada.

Principais Especificações e Recursos

  • Corrente Média Retificada de Saída (IO): 200mA
  • Tensão Reversa Repetitiva de Pico (VRRM): 30V
  • Tensão Direta (VFmax): 0,8V
  • Corrente de Fuga Reversa (IRmax): 2µA
  • Pacote: SOT23
  • Polaridade: Ver Diagramas
  • Peso: Aproximadamente 0,008 gramas

Datasheet BAT54-7-F

Datasheet BAT54-7-F (PDF)

Substitutos de BAT54-7-F
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para BAT54-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de fonte de alimentação de alta eficiência
  • Aplicações de comutação rápida
  • Circuitos de proteção contra eventos transientes e ESD

Categoria

Diodo

Informação geral

Os Díodos de Barreira Schottky são dispositivos semicondutores que permitem que a corrente flua numa direção com uma queda de tensão direta mínima, tornando-os altamente eficientes para aplicações que requerem comutação rápida e baixa perda de potência. Distinguem-se dos díodos tradicionais pela sua construção, que envolve uma junção de metal para semicondutor, levando à sua característica baixa tensão direta e capacidades de comutação rápida.

Ao selecionar um Diodo de Barreira Schottky, os engenheiros devem considerar parâmetros como a corrente de saída retificada média, tensão reversa de pico repetitiva e tensão direta, pois estes afetam o desempenho do diodo em diferentes aplicações. O tamanho do encapsulamento e as características térmicas também são considerações importantes, pois impactam a integração do diodo em projetos de circuitos e sua capacidade de dissipar calor durante a operação.

Diodos Schottky são amplamente utilizados em circuitos de fonte de alimentação, aplicações de fixação de tensão e como retificadores em inversores de baixa tensão e alta frequência. Sua capacidade de proteger contra eventos de descarga eletrostática e transientes os torna adequados para aplicações eletrônicas sensíveis. Ao escolher um Diodo Schottky, também é essencial considerar sua conformidade com os padrões ambientais e sua confiabilidade no ambiente de aplicação pretendido.

No geral, a seleção de um Díodo de Barreira Schottky envolve um equilíbrio entre especificações elétricas, considerações de encapsulamento, conformidade ambiental e requisitos da aplicação. Os engenheiros devem avaliar cuidadosamente estes fatores para garantir que o díodo escolhido satisfaz as necessidades dos seus designs.

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