BSS138BKAHZGT116: MOSFET typu N-Channel, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

BSS138BKAHZGT116 to N-Channel MOSFET produkowany przez ROHM, zaprojektowany do aplikacji niskomocowych przełączania. Ten komponent działa jako przełącznik, który może kontrolować przepływ mocy elektrycznej w obwodzie bez ruchomych części, wykorzystując właściwości elektryczne krzemu. Charakteryzuje się zdolnością do efektywnego zarządzania mocą przy minimalnych stratach, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu obwodów elektronicznych.

Posiadając maksymalne napięcie dren-źródło (Vds) 50V i ciągły prąd drenu (Id) 220mA, jest zoptymalizowany do zastosowań niskonapięciowych, gdzie kluczowa jest efektywność energetyczna. Obudowa SOT-23 jest szeroko stosowana ze względu na swoje kompaktowe rozmiary, co czyni ją odpowiednią do zastosowań o ograniczonej przestrzeni. Niska rezystancja w stanie załączenia i wysoka szybkość przełączania BSS138BKAHZGT116 dodatkowo zwiększają jego wydajność w aplikacjach przełączających.

Kluczowe specyfikacje i funkcje

  • Typ: Tranzystor MOSFET kanału N
  • Maksymalne napięcie dren-źródło (Vds): 50V
  • Ciągły prąd drenu (Id): 220mA
  • Obudowa: SOT-23
  • Rozpraszanie mocy: Nieokreślone
  • Napięcie progowe bramki: Nieokreślone
  • Oporność w stanie przewodzenia: Nieokreślona

BSS138BKAHZGT116 Karta katalogowa

BSS138BKAHZGT116 karta katalogowa (PDF)

BSS138BKAHZGT116 Zamienniki
Równoważne alternatywne części, które mogą służyć jako zamiennik dla BSS138BKAHZGT116, najpopularniejsze części na początku

Zastosowania

  • Aplikacje przełączające o niskiej mocy
  • Obwody zarządzania zasilaniem
  • Urządzenia zasilane bateryjnie
  • Sterowniki obciążenia/przełączniki

Kategoria

Tranzystor

Informacje ogólne

MOSFETy (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) są typem tranzystora używanego w obwodach elektronicznych do przełączania lub wzmacniania sygnałów. Są one szeroko cenione za ich wysoką impedancję wejściową i niskie zużycie energii, co czyni je niezbędnymi komponentami we współczesnym projektowaniu elektronicznym. Tranzystory MOSFET typu N-Channel, w szczególności, są zaprojektowane do przewodzenia prądu, gdy na bramkę względem źródła jest przyłożone dodatnie napięcie.

Przy wyborze tranzystora MOSFET do określonego zastosowania ważne jest, aby wziąć pod uwagę parametry takie jak maksymalne napięcie dren-źródło (Vds), ciągły prąd drenu (Id) i typ obudowy. Parametry te decydują o zdolności MOSFET do obsługi poziomów napięcia i prądu w obwodzie. Oporność w stanie załączenia (Rds(on)) jest kolejną kluczową specyfikacją, ponieważ wpływa na straty mocy i efektywność urządzenia.

MOSFETy są używane w różnorodnych zastosowaniach, w tym w konwersji mocy, sterowaniu silnikami i przełączaniu sygnałów. Wybór MOSFETu zależy od konkretnych wymagań aplikacji, takich jak napięcie pracy, zdolność do przewodzenia prądu i ograniczenia rozmiarowe. Ważne jest również, aby wziąć pod uwagę zarządzanie ciepłem urządzenia, ponieważ MOSFETy mogą generować znaczne ilości ciepła podczas pracy.

Podsumowując, MOSFET-y odgrywają kluczową rolę we współczesnej elektronice, oferując wszechstronne rozwiązanie do kontrolowania mocy w szerokim zakresie aplikacji. Zrozumienie kluczowych specyfikacji i ich związku z wymaganiami aplikacji jest niezbędne do wyboru odpowiedniego MOSFET-u.

Indeks Popularności PartsBox

  • Biznes: 1/10
  • Hobby: 0/10

Baza danych komponentów elektronicznych

Popular electronic components