BS170 to tranzystor MOSFET z kanałem N wyprodukowany przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS o wysokiej gęstości komórek firmy onsemi. Ten komponent został zaprojektowany tak, aby oferować niską rezystancję w stanie włączenia, zapewniając jednocześnie wytrzymałość, niezawodność i szybkie przełączanie. Jest w stanie obsłużyć do 500 mA ciągłego prądu drenu, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu zastosowań, szczególnie tych wymagających niskiego napięcia i niskiego prądu. Przykłady obejmują sterowanie małymi serwomotorami, sterowniki bramek tranzystorów mocy MOSFET i różne zastosowania przełączające.
Dzięki konstrukcji komórek o wysokiej gęstości, BS170 zapewnia niską rezystancję RDS(ON), co jest korzystne dla aplikacji wymagających efektywnego zarządzania energią. Jego wysoka zdolność prądowa nasycenia i funkcjonalność przełącznika małosygnałowego sterowanego napięciem czynią go wszechstronnym wyborem dla projektantów. Dodatkowo, BS170 charakteryzuje się wytrzymałością i niezawodnością, z wysoką zdolnością prądową nasycenia, co czyni go solidnym wyborem do wymagających środowisk.
Tranzystor
Tranzystory polowe (FET), takie jak BS170, to urządzenia półprzewodnikowe szeroko stosowane w elektronice do przełączania i wzmacniania sygnałów. Tranzystor MOSFET z kanałem typu N, rodzaj tranzystora FET, jest zaprojektowany do przewodzenia prądu między zaciskami drenu i źródła, gdy do zacisku bramki przyłożone jest dodatnie napięcie. To sprawia, że tranzystory MOSFET z kanałem typu N są idealne do zastosowań przełączających o wysokiej wydajności.
Wybierając tranzystor MOSFET z kanałem N, inżynierowie powinni wziąć pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDSS), napięcie bramka-źródło (VGSS), prąd drenu oraz statyczną rezystancję włączenia dren-źródło (RDS(ON)). Parametry te określają zdolność tranzystora MOSFET do obsługi napięć i prądów w danej aplikacji, a także jego sprawność i wydajność termiczną.
BS170, dzięki niskiemu RDS(ON) i wysokiej zdolności prądowej nasycenia, jest szczególnie odpowiedni do zastosowań niskonapięciowych i niskoprądowych. Jego wytrzymała i niezawodna konstrukcja zapewnia stabilną pracę w zmiennych warunkach. Inżynierowie powinni również wziąć pod uwagę charakterystykę termiczną tranzystora MOSFET, w tym maksymalne rozpraszanie mocy i rezystancję termiczną, aby zapewnić niezawodne działanie w określonym zakresie temperatur.
Podsumowując, MOSFET z kanałem N BS170 oferuje równowagę wydajności, niezawodności i efektywności, co czyni go atrakcyjną opcją dla różnych zastosowań. Jego wybór powinien opierać się na dokładnej ocenie wymagań elektrycznych i termicznych aplikacji.