2N3904-AP firmy Micro Commercial Components (MCC) to bipolarny tranzystor złączowy NPN zaprojektowany do ogólnych zastosowań wzmacniających. Zamknięty w obudowie TO-92, ten tranzystor oferuje napięcie przebicia kolektor-emiter (V(BR)CEO) wynoszące 40V i może obsłużyć prąd kolektora (Ic) do 200mA, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu obwodów elektronicznych małej mocy.
Kluczowe cechy obejmują napięcie przebicia kolektor-baza (V(BR)CBO) wynoszące 60 V i napięcie przebicia emiter-baza (V(BR)EBO) wynoszące 6,0 V. Urządzenie wykazuje wzmocnienie prądowe DC (hFE) w zakresie od 40 do 300, w zależności od prądu kolektora. Charakteryzuje się również niskimi napięciami nasycenia, przy czym parametry VCE(sat) i VBE(sat) zapewniają wydajną pracę przy niskich napięciach. 2N3904-AP jest zaprojektowany do pracy w szerokim zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go przystosowanym do różnych warunków środowiskowych.
Tranzystor
Tranzystory są fundamentalnymi elementami w nowoczesnych obwodach elektronicznych, działającymi jako przełączniki lub wzmacniacze. Tranzystor NPN, taki jak 2N3904-AP, jest jednym z najczęstszych typów, gdzie mały prąd wejściowy na bazie steruje większym przepływem prądu między kolektorem a emiterem. To czyni je niezbędnymi do wzmacniania sygnału, przełączania i cyfrowych układów logicznych.
Wybierając tranzystor do konkretnego zastosowania, inżynierowie biorą pod uwagę parametry takie jak napięcie kolektor-emiter, prąd kolektora, wzmocnienie prądowe i rozpraszanie mocy. Wybór obudowy (takiej jak TO-92 dla 2N3904-AP) jest również ważny dla fizycznej integracji w obwodzie.
2N3904-AP jest ceniony za swoją niezawodność, szeroki zakres temperatur pracy i wszechstronną wydajność w różnych konfiguracjach obwodów. Jego zdolność do pracy przy niskich napięciach i prądach z wysoką sprawnością czyni go szczególnie odpowiednim do zastosowań przenośnych i niskomocowych.
Podsumowując, wybór tranzystora takiego jak 2N3904-AP zależy od konkretnych wymagań obwodu, w tym napięcia, prądu, wzmocnienia i kwestii termicznych. Zrozumienie tych parametrów jest kluczowe dla optymalizacji wydajności i niezawodności projektów elektronicznych.