2N3904-AP od Micro Commercial Components (MCC) to tranzystor bipolarny NPN zaprojektowany do ogólnych zastosowań wzmacniających. Zamknięty w obudowie TO-92, ten tranzystor oferuje napięcie przebicia kolektor-emiter (V(BR)CEO) 40V i może obsługiwać prąd kolektora (Ic) do 200mA, co czyni go odpowiednim do szerokiej gamy obwodów elektronicznych o niskiej mocy.
Kluczowe cechy obejmują napięcie przebicia kolektor-baza (V(BR)CBO) na poziomie 60V i napięcie przebicia emiter-baza (V(BR)EBO) na poziomie 6.0V. Urządzenie wykazuje wzmocnienie prądowe (hFE) w zakresie od 40 do 300, w zależności od prądu kolektora. Charakteryzuje się również niskimi napięciami nasycenia, z parametrami VCE(sat) i VBE(sat) zapewniającymi efektywną pracę przy niskich napięciach. 2N3904-AP jest zaprojektowany do pracy w szerokim zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go przystosowanym do różnych warunków środowiskowych.
Tranzystor
Tranzystory są podstawowymi komponentami we współczesnych obwodach elektronicznych, działając jako przełączniki lub wzmacniacze. Tranzystor NPN, taki jak 2N3904-AP, jest jednym z najczęściej stosowanych typów, gdzie niewielki prąd wejściowy na bazie kontroluje większy przepływ prądu między kolektorem a emiterem. Czyni to je niezbędnymi do wzmacniania sygnałów, przełączania i obwodów logiki cyfrowej.
Przy wyborze tranzystora do konkretnej aplikacji, inżynierowie rozważają parametry takie jak napięcie kolektor-emiter, prąd kolektora, wzmocnienie prądowe i dysypację mocy. Wybór opakowania (takiego jak TO-92 dla 2N3904-AP) jest również ważny dla fizycznej integracji w obwodzie.
2N3904-AP jest ceniony za swoją niezawodność, szeroki zakres temperatur pracy i wszechstronną wydajność w różnych konfiguracjach obwodów. Jego zdolność do pracy przy niskich napięciach i prądach z wysoką efektywnością czyni go szczególnie odpowiednim do przenośnych i niskoprądowych aplikacji.
Podsumowując, wybór tranzystora, takiego jak 2N3904-AP, zależy od konkretnych wymagań obwodu, w tym napięcia, prądu, wzmocnienia i rozważań termicznych. Zrozumienie tych parametrów jest kluczowe dla optymalizacji wydajności i niezawodności projektów elektronicznych.