Central Semiconductor 2N2222A to krzemowy tranzystor epitaksjalny planarny NPN zaprojektowany głównie do zastosowań w przełączaniu sygnałów małej mocy. Ten komponent jest zamknięty w metalowej obudowie TO-18, oferując kompaktowy rozmiar dla projektów, gdzie przestrzeń jest na wagę złota.
Kluczowe cechy 2N2222A obejmują jego zdolność do obsługi ciągłych prądów kolektora do 800mA, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu zastosowań. Dodatkowo, jego solidne maksymalne oceny, w tym napięcie kolektor-emiter (VCEO) 40V i rozpraszanie mocy (PD) 500mW przy temperaturze otoczenia 25°C, zapewniają niezawodną pracę w różnych warunkach. Urządzenie wykazuje również niskie napięcia nasycenia i wysoki wzrost prądu (hFE) w różnych warunkach pracy, co jeszcze bardziej zwiększa jego wszechstronność w projektowaniu obwodów.
Tranzystor
Tranzystory NPN są podstawowymi komponentami w obwodach elektronicznych, działającymi jako wzmacniacze lub przełączniki. Te urządzenia składają się z trzech warstw materiału półprzewodnikowego, z warstwami zewnętrznymi typu n i środkową warstwą typu p, tworząc konfigurację NPN. Działanie tranzystora NPN opiera się na kontroli przepływu prądu od kolektora do emitera, modulowanego przez prąd bazy.
Przy wyborze tranzystora NPN kluczowe są takie parametry jak maksymalne napięcia kolektor-emiter i kolektor-baza, maksymalny prąd kolektora, dysypacja mocy i wzmocnienie prądowe. Te parametry określają przydatność tranzystora do konkretnych zastosowań, od niskomocnego wzmacniania sygnałów po wysokomocowe przełączanie.
2N2222A, ze swoją kompaktową metalową obudową TO-18, jest szczególnie odpowiedni do zastosowań, gdzie przestrzeń jest ograniczona, a niezawodność ma kluczowe znaczenie. Jego zdolność do obsługi stosunkowo wysokich prądów i napięć, wraz z wysokim wzmocnieniem prądowym i niskimi napięciami nasycenia, czyni go wszechstronnym wyborem dla szerokiego zakresu zastosowań.
Oprócz specyfikacji elektrycznych, ważne są także cechy termiczne, takie jak opór termiczny i zakres temperatur pracy. Czynniki te wpływają na wybór radiatora i ogólną niezawodność tranzystora w różnych warunkach pracy.