BAT54HT1G er en Schottky-barrieredioder fra onsemi, designet for applikasjoner som krever raske bryterhastigheter. Dens konstruksjon tillater ekstremt lave fremoverspenninger, noe som reduserer ledningstap betydelig under drift. Dette gjør den godt egnet for høyhastighets bryterapplikasjoner, kretsbeskyttelse og spenningsklemme.
Plassert i en miniatyr SOD-323-pakke, er BAT54HT1G optimalisert for plassbegrensede applikasjoner, som bærbare og håndholdte enheter. Dens lave fremoverspenning på 0.35V (typisk ved IF = 10 mA) og raske revers gjenopprettingstid sikrer effektiv ytelse i en rekke kretser. I tillegg er dioden AEC-Q101 kvalifisert, noe som gjør den egnet for bilapplikasjoner og andre scenarier som krever strenge pålitelighetsstandarder.
Dioder
Schottky-barrieredioder er halvlederkomponenter som har lav fremoverspenning og raske bryteregenskaper. De brukes mye i ulike elektroniske kretser for applikasjoner som likeretting, spenningsklemme og beskyttelse mot reversspenning. Den lave fremoverspenningen til Schottky-dioder gjør dem svært effektive i strømkonstruksjoner, reduserer varmetap og forbedrer den totale systemytelsen.
Når man velger en Schottky-diode, bør ingeniører vurdere parametere som maksimal reversspenning, fremoverstrømkapasitet, pakningstype og termiske egenskaper. Valget av diode vil avhenge av de spesifikke kravene til applikasjonen, inkludert driftsspenning, strømhåndteringskapasitet og plassbegrensninger.
Schottky-dioder er egnet for høyfrekvente applikasjoner på grunn av deres raske svitsjehastighet. Denne egenskapen er fordelaktig i kretser som krever raske overganger mellom ledende og ikke-ledende tilstander, som i svitsjede strømforsyninger og høyfrekvente likeretter.
I tillegg til deres elektriske ytelse, er den fysiske størrelsen og pakketypen til dioden også viktige hensyn i kretsdesign. Enheter som BAT54HT1G, pakket i et kompakt SOD-323-format, er spesielt nyttige i plassbegrensede applikasjoner der effektiv bruk av PCB-areal er kritisk.