BAT54HT1G: Schottky-barriererdiode, 30V, SOD-323, rask svitsjing

onsemi

BAT54HT1G er en Schottky-barriererdiode fra onsemi, designet for applikasjoner som krever raske svitsjehastigheter. Konstruksjonen tillater ekstremt lave forspenninger, noe som reduserer ledningstap betydelig under drift. Dette gjør den godt egnet for høyhastighets svitsjeapplikasjoner, kretsbeskyttelse og spenningsbegrensning.

BAT54HT1G er plassert i en miniatyr SOD-323-pakke og er optimalisert for plassbegrensede applikasjoner, som bærbare og håndholdte enheter. Dens lave foroverspenning på 0,35V (typisk ved IF = 10 mA) og raske revers gjenopprettingstid sikrer effektiv ytelse i en rekke kretser. I tillegg er dioden AEC-Q101-kvalifisert, noe som gjør den egnet for bilapplikasjoner og andre scenarier som krever strenge pålitelighetsstandarder.

• Pakke: SOD-323
• Reversspenning (VR): 30V
• Foroverspenning (VF): 0,35V (typisk ved IF = 10 mA)
• Foroverstrøm (IF): 200 mA
• Ikke-repeterende topp foroverstrøm (IFSM): 600 mA
• Termisk motstand, overgang-til-omgivelse (RθJA): 635 °C/W
• Driftstemperaturområde: -55°C til +150°C

• Høyhastighets svitsjekretser
• Kretsbeskyttelse
• Spenningsklemming
• Bærbare og håndholdte enheter

Schottky-barrierer-dioder er halvlederenheter som utviser lavt foroverspenningsfall og raske svitsjeegenskaper. De er mye brukt i ulike elektroniske kretser for applikasjoner som likeretting, spenningsbegrensning og beskyttelse mot reversspenning. Det lave foroverspenningsfallet til Schottky-dioder gjør dem svært effektive i strømkonverteringsapplikasjoner, reduserer varmeutvikling og forbedrer den generelle systemytelsen.

Når man velger en Schottky-diode, bør ingeniører vurdere parametere som maksimal sperrespenning, foroverstrømkapasitet, pakketype og termiske egenskaper. Valget av diode vil avhenge av de spesifikke kravene til applikasjonen, inkludert driftsspenningsområdet, strømhåndteringskapasiteten og plassbegrensninger.

Schottky-dioder er egnet for høyfrekvente applikasjoner på grunn av deres raske svitsjehastighet. Denne egenskapen er fordelaktig i kretser som krever rask overgang mellom ledende og ikke-ledende tilstander, for eksempel i svitsjede strømforsyninger og høyfrekvente likerettere.

I tillegg til deres elektriske ytelse, er den fysiske størrelsen og pakketypen til dioden også viktige hensyn i kretsdesign. Enheter som BAT54HT1G, pakket i et kompakt SOD-323-format, er spesielt nyttige i plassbegrensede applikasjoner der effektiv bruk av kretskortareal er kritisk.